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1. 发明授权

KR102216528B1 주입된 측벽들을 가진 게이트 트렌치들을 갖는 전력 반도체 디바이스들 및 관련 방법들 有权
公开(公告)号：KR102216528B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020197015586
申请日：2017-09-29
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 리치텐왈너,다니엘제이. , 반브룬트,에드워드알. , 휼,브레트 , 수보로브,알렉산더5세 , 카펠,크레이그
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/20
摘要： 반도체디바이스들은제1 전도형을갖는넓은밴드갭반도체드리프트영역을갖는반도체층 구조체를포함한다. 게이트트렌치는반도체층 구조체의상부부분내에제공되며, 게이트트렌치는반도체층 구조체의상부부분에서제1 방향으로연장되는제1 및제2 대향측벽들을갖는다. 이러한디바이스들은게이트트렌치의하단표면아래의반도체층 구조체에서제1 전도형과대향하는제2 전도형을갖는깊은차폐패턴, 및게이트트렌치의제1 측벽에서제2 전도형을갖는깊은차폐연결패턴을추가로포함한다. 디바이스들은게이트트렌치의제2 측벽에서제1 전도형을갖는반도체채널영역을포함한다.

2. 发明授权

KR102116388B1 쇼트키 다이오드 有权
公开(公告)号：KR102116388B1
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：KR1020197015179
申请日：2012-09-07
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 헨닝,제이슨,패트릭 , 장,칭천 , 류,세-형 , 아가르왈,아난트,쿠마르 , 팔무어,존,윌리엄스 , 알렌,스캇
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/16

3. 发明授权

KR101970185B1 발광 장치(LED) 조명 기구 제어 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101970185B1
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：KR1020187012577
申请日：2014-01-28
申请人： 크리,인코포레이티드
发明人： 피카드,폴,케네스 , 해리스,마이클,제임스 , 트롯트,개리,데이빗
IPC分类号： H05B33/08 , H05B37/02 , H05B37/03

4. 发明授权

KR101948383B1 단일 금속 플랜지를 갖는 멀티 캐비티 패키지 有权
公开(公告)号：KR101948383B1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：KR1020160038369
申请日：2016-03-30
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 블레어신시아 , 고엘사우랍 , 고찌크리스티안 , 콤포슈알렉산더
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/04 , H01L23/538 , H01L23/48 , H01L23/00

5. 发明授权

KR101843907B1 분산 제어를 위한 조명 고정구 有权
标题翻译：分布式控制的照明灯具
公开(公告)号：KR101843907B1
公开(公告)日：2018-04-02
申请号：KR1020157019152
申请日：2013-12-17
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 초보트,조세프,피. , 해리스,마이클,제임스
IPC分类号： F21V23/04 , H05B37/02 , F21Y101/02
CPC分类号： F21V23/0435 , F21V23/0442 , F21V23/045 , H05B37/0272
摘要： 네트워크내의조명고정구들의제어가조명고정구들사이에분산될수 있는조명네트워크. 조명고정구들은상이한조명구역들과관련되는그룹들로분할될수 있다. 소정의조명고정구들은점유센서, 주변광센서등과같은하나이상의센서를갖거나그들과관련될것이다. 조명네트워크또는다양한조명구역들내에서, 조명고정구들은센서데이터를공유할수 있다. 각각의조명고정구는그 자신의센서, 원격독립센서또는조명고정구에의해제공되는센서데이터를처리하고, 조명고정구자신의내부논리에따라센서데이터를처리하여동작을제어할수 있다. 조명고정구들은또한다른조명고정구들, 제어노드들, 광스위치들및 커미셔닝도구들로부터제어입력을수신할수 있다. 제어입력을내부논리에따라센서데이터와함께처리하여조명고정구의제어를더 향상시킬수 있다.
摘要翻译：其中网络中的照明装置的控制可以分布在照明装置之间。照明器材可以分成与不同照明区域相关联的组。某些照明装置将具有或与一个或多个传感器相关联，诸如占用传感器，环境光传感器等。在照明网络或各种照明区域内，照明装置可共享传感器数据。每个照明装置可以处理由其自己的传感器，远程独立传感器或照明装置提供的传感器数据，并根据照明装置本身的内部逻辑处理传感器数据以控制操作。照明器材还可以接收来自其他照明器材，控制节点，光学开关和调试工具的控制输入。控制输入可以根据内部逻辑与传感器数据一起处理，以进一步改善照明器材的控制。

6. 发明授权

KR101837794B1 전송 회로를 위한 정합 회로망 有权
标题翻译：传输电路匹配网络
公开(公告)号：KR101837794B1
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR1020137011166
申请日：2011-10-28
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 해리스,크리스토퍼 , 펭겔리,레이몬드시드니
IPC分类号： H04B1/04 , H03H7/40 , H03F1/56
CPC分类号： H03H7/38 , H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/24 , H03F2200/222 , H03F2200/378 , H03F2200/387 , H03H7/40 , H04B1/0458
摘要： 본발명은무선통신장치의전송회로에관한것이다. 이전송회로는전력증폭기회로, 출력정합회로망, 및임피던스제어회로를포함한다. 전력증폭기회로는무선주파수(RF) 입력신호를증폭시켜증폭된 RF 출력신호를제공하고, 이증폭된 RF 출력신호는출력정합회로망을통과하여하나이상의안테나를통해전송된다. RF 입력신호의중심주파수와동작파라미터들의조건들이변화함에따라, 임피던스제어회로는출력정합회로망의하나이상의가변임피던스소자의값들을원하는방식으로조절한다. 가변임피던스소자들의값들은소정의성능사양을달성하기위해출력정합회로망이 RF 입력신호의중심주파수에서그리고하나이상의고조파에서원하는부하임피던스들을동시에동적으로제시하도록조절된다.
摘要翻译：无线通信设备的传输电路本发明涉及无线通信设备的传输电路。先前的传输电路包括功率放大器电路，输出匹配网络和阻抗控制电路。功率放大器电路放大射频（RF）输入信号以提供放大的RF输出信号，该放大的RF输出信号通过输出匹配网络通过一个或多个天线发送。随着RF输入信号的中心频率和操作参数的条件改变，阻抗控制电路以期望的方式调整输出匹配网络的一个或多个可变阻抗元件的值。调整可变阻抗元件的值，使得输出匹配网络同时在RF输入信号的中心频率处和一个或多个谐波处动态地呈现期望的负载阻抗，以实现给定的性能规格。

7. 发明授权

KR101798249B1 조명 장치용 광 엔진 有权
公开(公告)号：KR101798249B1
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020127010528
申请日：2010-09-21
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 밴더벤안토니폴 , 스워보다찰스엠. , 첸와이콴
IPC分类号： F21V15/01 , F21S8/02 , F21S8/06 , F21V21/30 , F21V23/02 , F21V29/77 , F21V29/74 , F21Y101/02
CPC分类号： F21V15/01 , F21S8/026 , F21S8/061 , F21V17/002 , F21V21/30 , F21V23/02 , F21V29/74 , F21V29/773 , F21Y2115/10
摘要： 고체광 엔진은 (1) 광엔진하우징, 및 (2) 광엔진하우징에제거가능하게부착되는혼합챔버요소및/또는드라이버챔버요소를포함한다. 또한, 고체광 엔진은 (1) 광엔진하우징, 및모듈형혼합챔버요소및/또는모듈형드라이버챔버요소를포함한다. 또한, 고체광 엔진은적어도제1 연결요소를포함하는광 엔진하우징을포함한다.

8. 发明授权

KR101764038B1 쇼트키 다이오드들 및 쇼트키 다이오드들을 제조하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101764038B1
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：KR1020157016845
申请日：2013-11-20
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 장,칭춘
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/47 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0684 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/6606
摘要： 본개시는드리프트층 및쇼트키층을가지는쇼트키다이오드에관한것이다. 드리프트층은제1 도전타입의도핑재료에의해도핑되고, 활성영역과연관되는제1 표면을가진다. 쇼트키층은쇼트키접합을형성하기위하여, 제1 표면의활성영역위에제공된다. 제2 도전타입의복수의접합장벽요소들은쇼트키접합아래의드리프트층 내에형성되고, 제2 도전타입의복수의중앙임플란트들또한쇼트키접합아래의드리프트층 내에형성된다. 소정의실시예들에서, 적어도하나의중앙임플란트는접합장벽요소들의각각의인접한쌍 사이에서제공된다.

9. 发明授权

KR101675626B1 오버랩 도핑 영역을 갖는 쇼트키 다이오드를 포함하는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：包括具有重叠区域的肖特基二极管的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101675626B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020137025482
申请日：2012-03-06
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 장,칭춘 , 헤닝,제이슨
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/44
CPC分类号： H01L29/6606 , H01L21/046 , H01L21/0495 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/8611 , H01L29/872
摘要： 반도체디바이스는제1 도전형을갖고상기반도체의활성영역이정의되는표면을갖는반도체층 및활성영역내에이격된복수의도핑영역을포함한다. 복수의도핑영역은제1 도전형의반대인제2 도전형을갖고상기활성영역내의반도체층의복수의노출부분을정의한다. 복수의도핑영역은세로방향으로연장되는복수의행을포함한다. 각각의행은복수의세로연장세그먼트를포함하며, 제1 행의세로연장세그먼트는세로방향에수직인가로방향으로인접행의세로연장세그먼트들과적어도부분적으로오버랩한다.

10. 发明授权

KR101667070B1 형광체 조성물 有权
标题翻译：磷化合物
公开(公告)号：KR101667070B1
公开(公告)日：2016-10-17
申请号：KR1020117014100
申请日：2009-11-09
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 콜린스,브라이언,티. , 후셀,크리스토퍼,피. , 에머슨,데이비드,티. , 르토킨,로난,피.
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/77 , C09K11/70
CPC分类号： C09K11/7734 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/591 , C04B35/593 , C04B35/5935 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/3873 , C04B2235/445 , C09K11/025 , C09K11/0883 , C09K11/7728
摘要： 혼합형형광체조성물을형성하는방법이개시된다. 이방법은내화성금속도가니내에서그리고질화물출발재료와도가니를형성하는내화성금속사이에서의질화물조성물의형성을차단하는가스의존재하에서, 유러퓸, 및적어도칼슘, 스트론튬및 알루미늄의질화물을포함하는전구체조성물을소성하는단계를포함한다. 결과로서생성된조성물은가시스펙트럼의청색부분의주파수를가시스펙트럼의적색부분의주파수로변환하는형광체를포함할수 있다.

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