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1. 发明授权

KR101867726B1 멀티존 액티브 매트릭스 온도제어 시스템과 온도제어 방법 및 이를 적용한 정전척과 플라스마 처리장치 有权
公开(公告)号：KR101867726B1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：KR1020160175226
申请日：2016-12-21
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 니,투치앙 , 주오,라손 , 우,디 , 린,샤
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号： H01J37/32724 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要： 본발명은멀티존액티브매트릭스온도제어시스템으로, 이온도제어시스템에는온도제어매트릭스와게이트드라이버를포함하고, 상기온도제어매트릭스는다음으로이루어진다; N행 M열의매트릭스로형성되는 N*M 온도제어모듈들, 전원공급선, 전원복귀선; 각온도제어모듈은다음을포함한다; 온도제어를위한전력에의해가열하는데적당한온도제어유닛, 상기게이트드라이버에연결되는게이트전극과상기전원공급선과상기온도제어유닛을통해상기전원복귀선에게이트의양단이연결되어온오프되는반도체스위치; 온도제어매트릭스에서, 동일한행의또는동일한열의온도제어모듈의온도제어유닛은전원복귀선의한쪽끝과직렬연결됨과동시에전원복귀선과연결된다. 동일한행의또는동일한열의온도제어모듈의반도체스위치는전원공급선의한쪽끝과직렬연결됨과동시에전원공급선과연결된다. 본발명은정전척의각 존에대해정확하게온도제어를하여, 정전척인출선수량을대폭줄일수 있다.

2. 发明授权

KR101735958B1 가스 유동패턴을 변경하는 장치, 웨이퍼 처리방법 및 설비 有权
标题翻译：改变气流模式的装置，晶片处理方法和装置
公开(公告)号：KR101735958B1
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150162465
申请日：2015-11-19
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 니,투치앙 , 후앙,지린
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/54 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/321 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32633
摘要： 본발명은처리챔버내의가스유동패턴을변경하는장치, 웨이퍼처리방법및 시스템에관한것으로, 흡기포트로부터처리챔버로유입된가스가처리챔버내에서웨이퍼를처리하고; 처리챔버내에가스유동패턴을조정하도록가스센터링이설치되며; 가스센터링은흡기포트아래와상기웨이퍼위의고정부재, 및제1위치또는제2위치에각각위치될수 있는이동링을포함되며; 이동링이제1위치에위치할경우가스는상기고정부재상에설치된제1개구를통하여하측으로웨이퍼로전달되며; 이동링이제2위치에위치할경우가스는상기이동링상에설치된제2개구를통하여하측으로웨이퍼로전달된다. 본발명은고정부재와이동가능부재의상이한조합에의해가스센터링을구성하여처리챔버내의가스유동패턴을변경하고, 웨이퍼처리효과에대한효과적인제어를달성하며가스센터링조정과정에서처리챔버를개방할필요가없다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于改变处理室中的气流模式的设备，晶片处理方法和系统，其中从进气口引入处理室的气体处理处理室中的晶片; 提供气体定心以调节处理室中的气体流动模式; 气体定心装置包括位于晶片上的进气口和固定构件下方的移动构件以及可分别位于第一位置或第二位置的可移动环; 当移动环现在处于位置1时，气体通过设置在固定部分上的第一开口向下传送到晶片; 当移动环现在处于第二位置时，气体通过设置在移动环上的第二开口向下传送到晶片。本发明需要通过固定部件和可动部件的不同组合的气体对中来改变处理室中的气流模式以实现对晶片处理效果的有效控制并且在气体对中调节过程中打开处理室没有。

3. 发明公开

KR1020150145195A 가스분사장치, 화학기상증착장치 및 방법 有权
标题翻译：燃气淋浴装置，化学蒸气沉积装置及方法
公开(公告)号：KR1020150145195A
公开(公告)日：2015-12-29
申请号：KR1020150085206
申请日：2015-06-16
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 지앙,용 , 두,지유
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： 본발명은가스분사장치, 화학기상증착장치및 방법을제공한다. 가스분사장치는샤워헤드(showerhead)를포함한다. 샤워헤드는중심부및 중심부를둘러싼주변부를포함하며; 샤워헤드의중심부및 주변부는평행으로배열된복수의제2가스-배출구(outlet)를가지며; 상기제2가스-배출구는제2가스의출력에사용되며; 상기제1가스-배출구는 2개의인접한제2가스-배출구들사이에배치되며, 상기중심부에위치한제1서브가스-배출구및 상기주변부에위치한제2서브가스-배출구를포함하며; 상기제1서브가스-배출구와상기제2서브가스-배출구는서로격리되며, 상기제1서브가스-배출구는제1가스의출력에사용되며, 상기제2서브가스-배출구는제2가스의출력에사용되며; 제1가스통로는상기제1서브가스-배출구와연결되며; 제2가스통로는제2가스-배출구및 제2서브가스-배출구와연결된다. 박막형성품질은가스분사장치를갖는화학기상증착장치를이용하여개선된다.
摘要翻译：本发明提供一种气体喷射装置，以及用于化学气相沉积的装置和方法。气体喷射装置包括喷头。淋浴头包括中心部分和围绕中心部分的周围部分。淋浴头的中央部分和周围部分包括水平布置的多个第二气体出口。第二气体出口用于输出第二气体。第一气体出口被放置在两个相邻的第二气体出口之间，并且在中心部分包括第一副气体出口和在周围部分中的第二副气体出口。第一副气体出口和第二副气体出口彼此隔离，第一副气体出口用于输出第一气体，第二气体出口用于输出第二气体。第一气体路径连接到第一子气体出口。第二气体路径连接到第二气体出口和第二副气体出口。通过使用包括气体喷射装置的化学气相沉积装置，提高了薄膜形成的质量。

4. 发明授权

KR101488243B1 플라즈마 균일성과 효율성 개선을 위한 인덕턴스 커플링 플라즈마 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：用于等离子体均匀性和效率增强的电感耦合等离子体反应器以及使用该器件制造半导体衬底的方法
公开(公告)号：KR101488243B1
公开(公告)日：2015-01-30
申请号：KR1020130130035
申请日：2013-10-30
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 쉬,송린 , 스,강 , 니,투치앙
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32633 , H01J37/321 , H01J37/32119 , H01J37/32449 , H01J37/32642 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要： 본 발명은 일종의 인덕턴스 커플링 플라즈마를 제공한다. 그 중에는 기밀 셀을 포함하고, 상기 기밀 셀에 포함된 천정에는 최소한 절연재료로 제작된 절연재료 창이 구성되어 있다. 기판 지지대는 상기 기밀 셀의 상기 절연재료 창 하부에 설치된다. 무선주파수 파워서플라이는 상기 절연재료 창 상부에 위치하며, 방사된 무선주파수 에너지는 상기 절연재료 창을 꿰뚫고 상기 기밀 셀 내부로 들어간다. 복수의 처리기체 주입기는 상기 기판 지지대 상에 균일하게 분포되어 처리기체를 상기 기밀 셀 내부로 공급한다. 환형 조절기는 상기 기밀 셀 내부 및 상기 기판 지지대 상부와 상기 복수의 처리기체 주입기 하부에 위치하여 상기 처리기체를 안내한다.

5. 发明授权

KR101478626B1 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101478626B1
公开(公告)日：2015-01-02
申请号：KR1020130121761
申请日：2013-10-14
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 수,레이 , 니,투키앙 , 시,자오후이
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32183
摘要： 본 발명은 플라즈마 처리 장치용 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치는 반응 챔버, 반응 챔버에 RF 전기장을 인가하기 위해 서로 다른 RF 주파수 출력들을 가진 다수의 RF 파워 서플라이들을 구비하고, 적어도 하나의 펄스 RF 파워 서플라이의 출력은 다수의 출력 상태를 가진다. 플라즈마 처리 방법은 매치 주파수 획득 단계와 펄스 처리 단계를 포함한다. 매치 주파수 획득 단계에서, 펄스 RF파워 서플라이의 출력 상태는 반응 챔버가 다수의 임피던스들을 가져서 펄스 처리 단계의 임피던스를 여기시키도록 절환된다. 가변 주파수 RF 파워 서플라이의 출력 주파수들은 여기된 임피던스와 매칭되도록 조절된다. 조절된 출력 주파수들은 매치 주파수들로 저장된다. 연속 펄스 처리 단계에서, 신속하게 절환된 임피던스들은 저장된 매치 주파수들에 의해 즉각적으로 매칭된다.

6. 发明公开

KR1020130124907A 진공처리장치의 기판의 온도를 측정하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于测量真空加工设备中基板温度的方法和装置
公开(公告)号：KR1020130124907A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020130050985
申请日：2013-05-06
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 리,요우센 , 스티븐리 , 데이비드치하오첸
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/46 , G01K11/00 , G01K11/12
摘要： Disclosed are a method and a device for determining the temperature of a substrate in a vacuum processing device during a process for manufacturing the substrate. The method for determining the temperature of a substrate in a vacuum processing device by the present invention comprises the steps of: disposing a substrate to be measured on a susceptor of a vacuum processing device for a manufacturing process and selecting i wavelengths from radiance emitted from the susceptor and passing through the substrate, where i is a natural number greater than 1; and obtaining the temperature of the substrate based on the i radiances and the i wavelengths by using a mathematical equation. The substrate temperature measuring mechanism of the present invention has high accuracy and high reliability. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S1) Selecting i wavelengths from radiance emitted from the susceptor and passing through the substrate, where i is a natural number greater than 1;(S2) Obtaining at least one radiance corresponding to selected i wavelength;(S3) Calculating temperature of substrate based on i radiance and i wavelength, using the following mathematical equation
摘要翻译：公开了一种用于在制造基板的工艺期间确定真空处理装置中的基板的温度的方法和装置。通过本发明的用于确定真空处理装置中的基板的温度的方法包括以下步骤：将待测量的基板设置在用于制造工艺的真空处理装置的基座上，并从从感受器并穿过衬底，其中i是大于1的自然数; 并且通过使用数学方程，基于i辐射和i波长来获得衬底的温度。本发明的基板温度测量机构具有高精度和高可靠性。（标号）（AA）开始;（BB）结束;（S1）从基座发射并通过衬底的辐射度选择i波长，其中i是大于1的自然数;（S2）获得至少一个辐射对应于所选择的i波长;（S3）使用以下数学方程式，基于i辐射和i波长计算衬底的温度

7. 发明授权

KR101792941B1 화학기상증착장치 및 그 세정방법 有权
标题翻译：化学气相沉积设备及其清洁方法
公开(公告)号：KR101792941B1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：KR1020160048645
申请日：2016-04-21
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 두,지유 , 씽,페이진 , 팬,웬유안 , 지앙,인신
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4407
摘要： 화학기상증착장치는반응챔버, 반응챔버의상부에위치한반응구역, 반응챔버하부에위치한배기구역, 반응챔버외부에연결된펌핑장치를포함한다. 상기배기구역은배기구역을배기챔버와저장챔버로분리하는격리디바이스를포함한다. 격리디바이스는배기챔버와저장챔버사이를연결하는가스개구를갖는측벽을포함한다. 배기구역은가스개구의상단과하단사이에서상하로이동할수 있는이동가능한스크래핑컴포넌트를더 포함한다.
摘要翻译：化学气相沉积设备包括反应室，位于反应室上方的反应区，位于反应室下方的排气区和连接至反应室外部的泵送装置。排气区包括将排气区分成排气室和储存室的隔离装置。隔离装置包括具有连接排气室和储存室之间的气体开口的侧壁。排气区还包括能够在气体开口的顶部和底部之间上下移动的可移动的刮擦部件。

8. 发明授权

KR101775281B1 MOCVD 가스 샤워 헤드 전처리방법 有权
公开(公告)号：KR101775281B1
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020160090813
申请日：2016-07-18
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 리우,잉빈 , 두,지유
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/18 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4404 , C23C16/4557
摘要： 본발명은 MOCVD가스샤워헤드전처리방법에있어서, 전처리반응챔버, 전처리반응챔버저부에위치한배기시스템및 전처리반응챔버꼭대기에고정된가스샤워헤드를포함하고, 상기가스샤워헤드내에는저부에위치한냉각판과꼭대기에위치한가스공급시스템을포함하고, 처리절차로서전처리반응챔버내에고압전처리가스주입-전처리가스배출-공기주입-공기배출등 여러개의절차를포함하고, 전처리반응챔버내 가스샤워헤드및 기타노출된부품의전처리가끝날때까지상기절차를반복실시한다.

9. 发明公开

KR1020170076572A 포커스 링의 온도 조절 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：温度控制装置和聚焦环的方法
公开(公告)号：KR1020170076572A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020160173488
申请日：2016-12-19
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 우,레이 , 예,루빈 , 푸,브라이언
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H01J49/10
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32082 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/67103 , H01L21/68735 , H01L21/67248 , H01J49/105 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/3065 , H01L21/68721 , H05H1/46
摘要： 본발명은포커스링의온도조절장치를제공하며, 플라즈마로부터포커스링 위로방출된열이포커스링의하부면을접촉하는제1열전도정기선(pad), 제1열전도정기선(pad)의하부면을접촉하는절연링및 절연링의하부면을접촉하는제2열전도정기선(pad)을통하여베이스아래로전달되어, 베이스에설치된냉각시스템에의해냉각되며, 제어가능한외부열원을발생하도록접지차폐링에배치된가열기를시동하여, 가열기로부터열은차폐링, 차폐링을접촉하는제3열전도정기선(pad), 제3열전도정기선(pad)을접촉하는절연링및 제1열전도정기선(pad)를통하여포커스링으로전달되어, 포커스링에제어가능한온기(warming)를실현한다. 제어가능한열 힘과함께우수한열 전도경로를제공함으로써, 본발명은에칭과같은공정에서조정될수 있도록포커스링의작동온도를미세한제어를달성함으로써, 공정수요를만족시킬수 있다.
摘要翻译：本发明提供了聚焦环的温度控制，并且第一导热衬垫（衬垫），第一导热衬垫（PAD）面乌伊哈岛接触所述聚焦环的下表面接触的热释放在聚焦环从等离子体以及第二导热垫，其与绝缘环的下表面接触并且被安装在基座中的冷却系统冷却，由起动时，来自加热器的热量通过所述第三导热衬垫（PAD），第三热传导衬垫绝缘环和该第一热导电衬里，其接触（垫）（垫），其接触所述屏蔽环，屏蔽环传递至聚焦环从而达到可以通过聚焦环控制的变暖。通过提供具有可控热功率优良的热传导路径中，本发明是由聚焦环的操作温度的精确控制，以实现在一个过程进行调整，诸如蚀刻，它能够满足工艺要求。

10. 发明公开

KR1020170062392A 기판 처리방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：基板处理方法和设备
公开(公告)号：KR1020170062392A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020160156335
申请日：2016-11-23
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 양,핑 , 완,레이
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32642 , H01J37/32862 , H01J37/32871 , H01J37/32963 , H01J2237/3341 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要： 본발명은기판처리방법및 관련된장치에관한것이다. 상기방법은다음을포함한다: 기판을여러개의벽으로둘러싸인반응챔버내에장착하고; 상기반응챔버내로에칭가스를주입하여, 기판을에칭하고; 적어도상기벽들중 하나에배치된검측창을가지는반응챔버로부터광학신호를수신하여에칭종점을결정하고; 에칭과정동안검측창에보호가스를발생시켜, 에칭가스또는에칭부산물이검측창에도달하는것을방지하거나감소시킨다. 본발명은에칭종점에대한모니터링의정확성과안정성을개선할수 있다.
摘要翻译：基板处理方法及相关装置技术领域本发明涉及基板处理方法及相关装置该方法包括：将衬底安装在多个有壁反应室中; 将蚀刻气体注入反应室以蚀刻基板; 从具有设置在至少一个壁中的检测窗的反应室接收光信号以确定蚀刻终点; 在蚀刻过程期间在检查窗口中产生保护气体，以防止或减少蚀刻气体或蚀刻副产品到达检查窗口。本发明可以提高对蚀刻终点的监测的准确性和稳定性。

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