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1. 发明公开

KR1020130124907A 진공처리장치의 기판의 온도를 측정하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于测量真空加工设备中基板温度的方法和装置
公开(公告)号：KR1020130124907A
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020130050985
申请日：2013-05-06
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 리,요우센 , 스티븐리 , 데이비드치하오첸
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/46 , G01K11/00 , G01K11/12
摘要： Disclosed are a method and a device for determining the temperature of a substrate in a vacuum processing device during a process for manufacturing the substrate. The method for determining the temperature of a substrate in a vacuum processing device by the present invention comprises the steps of: disposing a substrate to be measured on a susceptor of a vacuum processing device for a manufacturing process and selecting i wavelengths from radiance emitted from the susceptor and passing through the substrate, where i is a natural number greater than 1; and obtaining the temperature of the substrate based on the i radiances and the i wavelengths by using a mathematical equation. The substrate temperature measuring mechanism of the present invention has high accuracy and high reliability. [Reference numerals] (AA) Start;(BB) End;(S1) Selecting i wavelengths from radiance emitted from the susceptor and passing through the substrate, where i is a natural number greater than 1;(S2) Obtaining at least one radiance corresponding to selected i wavelength;(S3) Calculating temperature of substrate based on i radiance and i wavelength, using the following mathematical equation
摘要翻译：公开了一种用于在制造基板的工艺期间确定真空处理装置中的基板的温度的方法和装置。通过本发明的用于确定真空处理装置中的基板的温度的方法包括以下步骤：将待测量的基板设置在用于制造工艺的真空处理装置的基座上，并从从感受器并穿过衬底，其中i是大于1的自然数; 并且通过使用数学方程，基于i辐射和i波长来获得衬底的温度。本发明的基板温度测量机构具有高精度和高可靠性。（标号）（AA）开始;（BB）结束;（S1）从基座发射并通过衬底的辐射度选择i波长，其中i是大于1的自然数;（S2）获得至少一个辐射对应于所选择的i波长;（S3）使用以下数学方程式，基于i辐射和i波长计算衬底的温度

2. 发明授权

KR101482043B1 진공처리장치의 기판의 온도를 측정하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于测量真空加工设备中基板温度的方法和装置
公开(公告)号：KR101482043B1
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020130050985
申请日：2013-05-06
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 리,요우센 , 스티븐리 , 데이비드치하오첸
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/46 , G01K11/00 , G01K11/12
摘要： 기판의 제조 공정동안 진공처리장치의 기판의 온도를 결정하는 방법과 장치가 개시된다.
본 발명에 따른 진공처리장치의 기판의 온도를 결정하기 위한 방법은, 측정될 기판은 제조 공정을 위한 진공처리장치의 서셉터 상에 위치하고, 상기 서셉터로부터 방사되고 기판을 통과하는 라디언스로부터 i개의 파장을 선택하는 단계, 여기서 i는 1보다 큰 자연수; 선택된 i개의 파장과 대응되는 적어도 i개의 라디언스를 획득하는 단계; 및 다음과 같은 수학방정식 을 이용하여, i개의 라디언스와 i개의 파장에 기초하여 기판의 온도를 산출하는 단계, 여기서 는 i번째 파장인 에 대응하는 i번째 방사량이고, 는 기판의 투과율이고, 기판 상에 성장된 층의 두께 d에 관한 함수이며, 그리고 은 흑체 복사 방정식이고, i번째 파장 와 기판의 온도 T의 함수; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 온도 측정 메카니즘은 높은 정확성과 신뢰성을 가진다.

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