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1. 发明授权

KR100922463B1 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
公开(公告)号：KR100922463B1
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：KR1020097009540
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/52 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616
摘要： 반사형 마스크 블랭크는 기판(11)을 가지고, 그 위에 극단 자외선 영역을 포함하는 단파장영역의 노광광을 반사하는 반사층(12) 및 노광광을 흡수하는 흡수체층(16)이 순차적으로 형성되어 있다. 흡수체층(16)이 극단자외선 영역을 포함하는 단파장 영역의 노광광의 흡수체로 구성되는 노광광 흡수층(14)을 하층으로 하고, 마스크 패턴의 검사에 사용되는 검사광의 흡수체로 구성되는 저반사율층(15)을 상층으로 하는 적어도 2층의 구조를 가진다. 상층은 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)을 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 30at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7 범위이다. 혹은 반사형 마스크 블랭크는 기판을 가지고, 그 기판상에 다층반사막 및 흡수체층이 순차적으로 형성되어 있는 것이어도 무방하다. 이 경우, 흡수체층이 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)를 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 25at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7의 범위이다.

2. 发明公开

KR1020090066318A 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
公开(公告)号：KR1020090066318A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020097009540
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/52 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616 , G03F7/091 , H01L21/0276
摘要： A reflection type mask blank comprising a substrate (11), and, sequentially formed thereon, a reflection layer (12) for reflecting an exposure light in a short-wave region including an extreme ultraviolet region and an absorber layer (16) for absorbing an exposure light. The absorber layer (16) has a structure of at least two layers consisting of as a lower layer an exposure light absorbing layer (14) composed of an absorber of an exposure light in a short-wave region including an extreme ultraviolet region, and as an upper layer a low- reflectance layer (15) composed of an absorber of an inspection light used for mask pattern inspection. The upper layer consists of a material containing tantalum (Ta), boron (B) and nitrogen (N), B content being 5 at%-30 at%, a composition ratio between Ta and N (Ta:N) being 8:1 to 2:7. Alternatively, the reflection type mask blank may comprise a substrate, and, sequentially formed thereon, a multi-layer reflection film and an absorber layer, wherein the absorber layer consists of a material containing tantalum (Ta), boron (B) and nitrogen (N), B content being 5 at%-25 at%, a composition ratio between Ta and N (Ta:N) being 8:1 to 2:7.
摘要翻译：一种反射型掩模坯料，包括基板（11），并且依次形成有用于反射包括极紫外区域的短波区域中的曝光用光的反射层（12）和吸收层曝光灯吸收层（16）具有由下层组成的至少两层的结构，曝光光吸收层（14）由包括极紫外区域的短波区域中的曝光光的吸收体构成，并且上层，由用于掩模图案检查的检查光的吸收体构成的低反射层（15）。上层由含钽（Ta），硼（B）和氮（N）的材料组成，B含量为5原子％-30原子％，Ta和N（Ta：N）的组成比为8：1 至2：7。或者，反射型掩模坯料可以包括基底，并且依次形成多层反射膜和吸收层，其中吸收层由含有钽（Ta），硼（B）和氮（ N），B含量为5原子％-25原子％，Ta与N（Ta：N）的组成比为8：1〜2：7。

3. 发明公开

KR1020040106342A 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：反射罩坯，反射罩及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040106342A
公开(公告)日：2004-12-17
申请号：KR1020047016219
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/52 , G03F1/50 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616 , G03F1/52
摘要： 반사형 마스크 블랭크는 기판(11)을 가지고, 그 위에 극단 자외선 영역을 포함하는 단파장영역의 노광광을 반사하는 반사층(12) 및 노광광을 흡수하는 흡수체층(16)이 순차적으로 형성되어 있다. 흡수체층(16)이 극단자외선 영역을 포함하는 단파장 영역의 노광광의 흡수체로 구성되는 노광광 흡수층(14)을 하층으로 하고, 마스크 패턴의 검사에 사용되는 검사광의 흡수체로 구성되는 저반사율층(15)을 상층으로 하는 적어도 2층의 구조를 가진다. 상층은 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)을 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 30at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7 범위이다. 혹은 반사형 마스크 블랭크는 기판을 가지고, 그 기판상에 다층반사막 및 흡수체층이 순차로 형성되어 있는 것이어도 무방하다. 이 경우, 흡수체층이 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)를 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 25at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7의 범위이다.

4. 发明授权

KR100815671B1 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
公开(公告)号：KR100815671B1
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：KR1020047016219
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/52 , G03F1/50 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616
摘要： 반사형 마스크 블랭크는 기판(11)을 가지고, 그 위에 극단 자외선 영역을 포함하는 단파장영역의 노광광을 반사하는 반사층(12) 및 노광광을 흡수하는 흡수체층(16)이 순차적으로 형성되어 있다. 흡수체층(16)이 극단자외선 영역을 포함하는 단파장 영역의 노광광의 흡수체로 구성되는 노광광 흡수층(14)을 하층으로 하고, 마스크 패턴의 검사에 사용되는 검사광의 흡수체로 구성되는 저반사율층(15)을 상층으로 하는 적어도 2층의 구조를 가진다. 상층은 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)을 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 30at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7 범위이다. 혹은 반사형 마스크 블랭크는 기판을 가지고, 그 기판상에 다층반사막 및 흡수체층이 순차적으로 형성되어 있는 것이어도 무방하다. 이 경우, 흡수체층이 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)를 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 25at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7의 범위이다.

5. 发明公开

KR1020080015052A 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
公开(公告)号：KR1020080015052A
公开(公告)日：2008-02-15
申请号：KR1020087001353
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/52 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616 , G03F1/52
摘要： A reflection type mask blank comprising a substrate (11), and, sequentially formed thereon, a reflection layer (12) for reflecting an exposure light in a short-wave region including an extreme ultraviolet region and an absorber layer (16) for absorbing an exposure light. The absorber layer (16) has a structure of at least two layers consisting of as a lower layer an exposure light absorbing layer (14) composed of an absorber of an exposure light in a short-wave region including an extreme ultraviolet region, and as an upper layer a low- reflectance layer (15) composed of an absorber of an inspection light used for mask pattern inspection. The upper layer consists of a material containing tantalum (Ta), boron (B) and nitrogen (N), B content being 5 at%-30 at%, a composition ratio between Ta and N (Ta:N) being 8:1 to 2:7. Alternatively, the reflection type mask blank may comprise a substrate, and, sequentially formed thereon, a multi-layer reflection film and an absorber layer, wherein the absorber layer consists of a material containing tantalum (Ta), boron (B) and nitrogen (N), B content being 5 at%-25 at%, a composition ratio between Ta and N (Ta:N) being 8:1 to 2:7.
摘要翻译：一种反射型掩模坯料，包括基板（11），并且依次形成有用于反射包括极紫外区域的短波区域中的曝光用光的反射层（12）和吸收层曝光灯吸收层（16）具有由下层组成的至少两层的结构，曝光光吸收层（14）由包括极紫外区域的短波区域中的曝光光的吸收体构成，并且上层，由用于掩模图案检查的检查光的吸收体构成的低反射层（15）。上层由含钽（Ta），硼（B）和氮（N）的材料组成，B含量为5原子％-30原子％，Ta和N（Ta：N）的组成比为8：1 至2：7。或者，反射型掩模坯料可以包括基底，并且依次形成多层反射膜和吸收层，其中吸收层由含有钽（Ta），硼（B）和氮（ N），B含量为5原子％-25原子％，Ta与N（Ta：N）的组成比为8：1〜2：7。

6. 发明公开

KR1020070086692A 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 无效
标题翻译：反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
公开(公告)号：KR1020070086692A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020077014597
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616 , G03F7/18
摘要： A reflection type mask blank comprising a substrate (11), and, sequentially formed thereon, a reflection layer (12) for reflecting an exposure light in a short-wave region including an extreme ultraviolet region and an absorber layer (16) for absorbing an exposure light. The absorber layer (16) has a structure of at least two layers consisting of as a lower layer an exposure light absorbing layer (14) composed of an absorber of an exposure light in a short-wave region including an extreme ultraviolet region, and as an upper layer a low- reflectance layer (15) composed of an absorber of an inspection light used for mask pattern inspection. The upper layer consists of a material containing tantalum (Ta), boron (B) and nitrogen (N), B content being 5 at%-30 at%, a composition ratio between Ta and N (Ta:N) being 8:1 to 2:7. Alternatively, the reflection type mask blank may comprise a substrate, and, sequentially formed thereon, a multi-layer reflection film and an absorber layer, wherein the absorber layer consists of a material containing tantalum (Ta), boron (B) and nitrogen (N), B content being 5 at%-25 at%, a composition ratio between Ta and N (Ta:N) being 8:1 to 2:7.
摘要翻译：一种反射型掩模坯料，包括基板（11），并且依次形成有用于反射包括极紫外区域的短波区域中的曝光用光的反射层（12）和吸收层曝光灯吸收层（16）具有由下层组成的至少两层的结构，曝光光吸收层（14）由包括极紫外区域的短波区域中的曝光光的吸收体构成，并且上层，由用于掩模图案检查的检查光的吸收体构成的低反射层（15）。上层由含钽（Ta），硼（B）和氮（N）的材料组成，B含量为5原子％-30原子％，Ta和N（Ta：N）的组成比为8：1 至2：7。或者，反射型掩模坯料可以包括基底，并且依次形成多层反射膜和吸收层，其中吸收层由含有钽（Ta），硼（B）和氮（ N），B含量为5原子％-25原子％，Ta与N（Ta：N）的组成比为8：1〜2：7。

7. 发明授权

KR101530732B1 마스크 블랭크, 및 임프린트용 몰드의 제조 방법 有权
标题翻译：掩模布，以及生产印花模的方法
公开(公告)号：KR101530732B1
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020107006422
申请日：2008-09-26
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 사또,다까시 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/80 , H01L21/027 , B29C33/38
CPC分类号： G03F7/0002 , B81C99/009 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： 마스크블랭크를이용하여고정밀도의미세패턴이형성된임프린트용몰드의제조방법을제공한다. 투광성기판상에패턴을형성하기위한박막을갖는마스크블랭크에있어서, 박막은, Cr과질소를함유하는재료로형성되어있는상층과, Ta를주성분으로하는화합물을함유하고, 또한, 염소계가스를이용한드라이에칭처리에의해에칭가공이가능한재료로형성되어있는하층으로이루어진다. 박막의상층및 하층을, 산소를실질적으로함유하지않는염소계가스를이용한드라이에칭처리에의해에칭가공하고, 이어서기판을, 불소계가스를이용한드라이에칭처리에의해에칭가공함으로써임프린트용몰드를얻는다.

8. 发明公开

KR1020140031248A 몰드 제조용 마스크 블랭크스 및 몰드의 제조 방법 无效
标题翻译：模具坯料用于模具制造和模具制造方法
公开(公告)号：KR1020140031248A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：KR1020137028866
申请日：2011-04-06
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 구레이시,미쯔히로 , 기시모또,슈지 , 사또,다까시
IPC分类号： H01L21/027 , G11B5/84 , B29C33/38
CPC分类号： B29C33/38 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G11B5/855 , B29C59/02
摘要： 높은 패턴 정밀도로 미세 패턴을 형성하고, 몰드의 제작 시간을 대폭 단축화한다. 원형 몰드의 표면에 형성되어 있는 미세 패턴을 임프린트에 의해 전사하여 서브 마스터 몰드를 제조할 때에 이용되는 마스크 블랭크스로서, 화학식 CrO
x N
y C
z (단 x>0)인 크롬 화합물층을 포함하는 하드마스크층을 기판 위에 갖는다.

9. 发明公开

KR1020100061505A 마스크 블랭크, 및 임프린트용 몰드의 제조 방법 有权
标题翻译：掩模布，以及生产印花模的方法
公开(公告)号：KR1020100061505A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020107006422
申请日：2008-09-26
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 사또,다까시 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/50 , G03F1/80 , H01L21/027 , B29C33/38
CPC分类号： G03F7/0002 , B81C99/009 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/50 , B29C33/38 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要： 마스크블랭크를이용하여고정밀도의미세패턴이형성된임프린트용몰드의제조방법을제공한다. 투광성기판상에패턴을형성하기위한박막을갖는마스크블랭크에있어서, 박막은, Cr과질소를함유하는재료로형성되어있는상층과, Ta를주성분으로하는화합물을함유하고, 또한, 염소계가스를이용한드라이에칭처리에의해에칭가공이가능한재료로형성되어있는하층으로이루어진다. 박막의상층및 하층을, 산소를실질적으로함유하지않는염소계가스를이용한드라이에칭처리에의해에칭가공하고, 이어서기판을, 불소계가스를이용한드라이에칭처리에의해에칭가공함으로써임프린트용몰드를얻는다.
摘要翻译：公开了一种通过使用掩模板在其上形成高精度精细图案的压印模具的制造方法。具体公开了一种掩模坯料，其包括透光性基板和用于形成在基板上形成的图案的薄膜。该薄膜包括：包含含有Cr和氮的材料的上层; 以及下层，其含有主要由Ta组成的化合物，并且包含可通过含有氯气的干蚀刻工艺进行蚀刻的材料。通过用基本上不含氧的含氯气体的干蚀刻工艺对薄膜的上层和下层进行蚀刻，然后通过用含氟气体的干法蚀刻工艺蚀刻该衬底，从而产生印记模具

10. 发明授权

KR100871047B1 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：反射罩坯，反射罩及其制造方法
公开(公告)号：KR100871047B1
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：KR1020087001353
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/52 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616
摘要： 반사형 마스크 블랭크는 기판(11)을 가지고, 그 위에 극단 자외선 영역을 포함하는 단파장영역의 노광광을 반사하는 반사층(12) 및 노광광을 흡수하는 흡수체층(16)이 순차적으로 형성되어 있다. 흡수체층(16)이 극단자외선 영역을 포함하는 단파장 영역의 노광광의 흡수체로 구성되는 노광광 흡수층(14)을 하층으로 하고, 마스크 패턴의 검사에 사용되는 검사광의 흡수체로 구성되는 저반사율층(15)을 상층으로 하는 적어도 2층의 구조를 가진다. 상층은 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)을 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 30at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7 범위이다. 혹은 반사형 마스크 블랭크는 기판을 가지고, 그 기판상에 다층반사막 및 흡수체층이 순차적으로 형성되어 있는 것이어도 무방하다. 이 경우, 흡수체층이 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)를 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 25at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7의 범위이다.
摘要翻译：用反射型掩模具有衬底11，以及用于吸收反射层12和用于在短波长区域的反射光曝光的曝光光的吸收体层16依次形成，包括极紫外区域上。吸收体层16和低反射率层（15是曝光光吸收包括由下层极紫外区域和层14中的短波长区域由曝光光吸收体中的掩模图案的检查中使用的检查光吸收体构成）作为上层。上层是钽（Ta）和一个材料包括硼（B）形成，和氮（N），B的含量为5原子％〜30原子％，还的Ta和N的比（TA：N）为8：1 到2：7。或反射型掩模基板，而可以是甚至与所述基底，所述多层反射膜和吸收层被在基板上依次形成。在这种情况下，吸收层是钽（Ta），硼（B）和由含材料的氮（N）的，B的含量为5原子％〜25原子％，还的Ta和N的比（TA：N）在8：1到2：7的范围内。

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