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    • 5. 发明授权
    • 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법
    • 闪存设备及闪存设备编程方法
    • KR101021701B1
    • 2011-03-15
    • KR1020090053811
    • 2009-06-17
    • 한양대학교 산학협력단
    • 김영일이학수김동현윤한섭곽계달
    • G11C16/34G11C16/12G11C16/30
    • 플래시 메모리의 프로그램 속도를 향상시킬 수 있고 프로그램 오류를 감소시킬 수 있는 플래시 메모리 장치 및 플래시 메모리 장치의 프로그램 방법이 개시된다. 플래시 메모리 장치는 선택된 셀에 대해 임시 프로그램 전압을 제공하고 ISPP전압을 제공한 후 선택된 셀의 프로그램 여부를 판단하기 위한 제1 검증전압 및 제2 검증전압을 제공하는 ISPP전압 발생부와, 제1 검증전압 및 제2 검증전압의 제공에 상응하는 선택된 셀의 턴온 여부에 따라 선택된 셀의 프로그램 및 오버프로그램 여부를 판단하는 오류 점검부와, ISPP전압 발생부의 동작을 제어하고 오류 점검부의 판단 결과에 기초하여 소거 동작의 수행을 제어하는 제어부 및 제어부의 제어에 기초하여 부(negative)전압을 생성하고 선택된 셀 및 선택된 셀과 공통으로 연결된 셀들의 워드라인에 부전압을 소거전압으로 제공하는 소거전압 발생부를 포함한다. 따라서, 플래시 메모리의 프로그램 시간을 단축할 수 있고, 문턱 전압 분포의 정확도를 향상시킬 수 있다. 또한, 각 프로그램 상태에 대응되는 문턱 전압 분포 사이의 간격을 넓게 함으로써 센싱 마진을 증가시키고 이로 인해 센싱 오류를 감소시킬 수 있다.
      플래시 메모리, MLC, 프로그램, ISPP, 소거
    • 6. 发明公开
    • 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법
    • 用于抛光的浆料及其制造方法
    • KR1020070087840A
    • 2007-08-29
    • KR1020050131395
    • 2005-12-28
    • 주식회사 케이씨한양대학교 산학협력단
    • 김용국김대형서명원김동현박재근백운규
    • C09K3/14
    • Provided are a method for preparing a polishing slurry, and a polishing slurry prepared by the method which reduces the generation of scratch and residual particles in CMP process. A method comprises the steps of preparing an abrasive, ultrapure water and a dispersant; milling the mixture comprising the abrasive, ultrapure water and the dispersant; optionally filtering it to remove large particle; maturing the mixture to stabilize a slurry; and controlling the average particle size of the abrasive particle to be 80-300 nm by the maturing process. Preferably the maturing process is carried out with a rotation number of a tank stirrer of 300 rpm or less at a temperature of 20-50 deg.C for 100 days or less.
    • 提供了一种制备抛光浆料的方法,以及通过减少CMP工艺中的划痕和残留颗粒的产生的方法制备的研磨浆料。 一种方法包括制备磨料,超纯水和分散剂的步骤; 研磨包含研磨剂,超纯水和分散剂的混合物; 任选地过滤以除去大颗粒; 熟化混合物以稳定浆料; 并且通过熟化过程控制磨料颗粒的平均粒度为80-300nm。 优选地,成熟过程在20-50℃的温度下以300rpm或更少的罐式搅拌器的转数进行100天或更少。
    • 9. 发明公开
    • 플래시 메모리의 바이어스 회로
    • 闪存存储器的偏置电路
    • KR1020110043941A
    • 2011-04-28
    • KR1020090100697
    • 2009-10-22
    • 한양대학교 산학협력단
    • 김영일김동현이종석윤한섭곽계달
    • G11C16/30G11C16/08
    • PURPOSE: A bias circuit of a flash memory is provided to perform a program operation and an erase operation through a hot carrier by supplying a first type positive high voltage, a second type negative high voltage, and a pass voltage. CONSTITUTION: In a bias circuit of a flash memory, a DC-DC converter(100) forms a positive DC current signal and a negative DC current signal. A cell gate switch(200) is connected to the DC-DC converter. The cell gate switch outputs one of the positive DC current signal and the negative DC current signal as a word line signal controlling a cell transistor. A p- well switch(300) receives the specific signal of the DC current signals and generates a p-well signal, which is supplied to the p-well in the lower part of the cell transistor.
    • 目的:提供闪速存储器的偏置电路,以通过提供第一类型正高电压,第二类型负高电压和通过电压来通过热载体执行编程操作和擦除操作。 构成:在闪存的偏置电路中,DC-DC转换器(100)形成正的直流电流信号和负的直流电流信号。 单元栅极开关(200)连接到DC-DC转换器。 单元栅极开关输出正直流电流信号和负直流电流信号之一作为控制单元晶体管的字线信号。 p阱开关(300)接收DC电流信号的特定信号,并产生p阱信号,其被提供给单元晶体管的下部的p阱。