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1. 发明授权

KR101380206B1 드레인 바이어스 변조 회로가 적용된 고주파 전력 증폭기 有权
标题翻译：包含排水偏心调制电路的高效放大器
公开(公告)号：KR101380206B1
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：KR1020120001789
申请日：2012-01-06
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
发明人： 김정곤 , 최영규
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/193
摘要： 본 발명의 실시예에 따르면, 입력 신호의 크기에 따라 전원 전압 또는 전원 전압의 배수에 해당하는 전압을 출력하는 드레인 바이어스 변조 회로; 및 드레인에 상기 드레인 바이어스 변조 회로의 출력 전압이 인가되며, 게이트로 입력되는 상기 입력 신호를 증폭하여 출력하는 증폭 트랜지스터를 갖는 전력 증폭기를 포함하며, 상기 드레인 바이어스 변조 회로는 드레인에 상기 전원 전압이 인가되고, 소스가 상기 증폭 트랜지스터의 드레인에 연결되는 일 이상의 트랜지스터; 및 상기 입력 신호의 크기를 검출해내어 상기 일 이상의 트랜지스터의 게이트에 입력하는 포락선 검출기를 포함하는, 드레인 바이어스 변조 회로가 적용된 고주파 전력 증폭기가 제공된다.

2. 发明公开

KR1020160136883A 교차 상쇄 방식을 이용한 다중대역 고효율 전력 증폭기 有权
标题翻译：多功能高效率高功率放大器，采用交叉抽取方法
公开(公告)号：KR1020160136883A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150071075
申请日：2015-05-21
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
发明人： 최영규 , 김태우 , 김정곤
IPC分类号： H03F1/32 , H04B1/04
摘要： 전력증폭기의비선형특징을보완하기위한선형화장치및 방법이제공된다. 전력증폭기는입력받은 RF(Radio Frequency) 신호에포함되는복수의중심주파수중 제1 중심주파수성분을증폭하는증폭회로, 상기제1 중심주파수성분에연관되는제1 상호변조(IMD: Intermodulation)성분을제거하기위한제1 상쇄신호를생성하는상쇄회로및 상기제1 중심주파수성분과상기제1 상쇄신호를커플링하여상기제1 상호변조성분이제거된 RF 증폭신호를출력하는커플링부를포함할수 있다. 더하여, 상기증폭회로는상기제1 중심주파수성분을추출하고나머지주파수성분을차단하는복수의제1 필터를포함하고, 상기상쇄회로는상기제1 상호변조성분을제거하도록하는복수의제2 필터를포함할수 있다.

3. 发明授权

KR101702284B1 교차 상쇄 방식을 이용한 다중대역 고효율 전력 증폭기 有权
标题翻译：多功能高效率高功率放大器，采用交叉抽取方法
公开(公告)号：KR101702284B1
公开(公告)日：2017-02-06
申请号：KR1020150071075
申请日：2015-05-21
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
发明人： 최영규 , 김태우 , 김정곤
IPC分类号： H03F1/32 , H04B1/04
摘要： 전력증폭기의비선형특징을보완하기위한선형화장치및 방법이제공된다. 전력증폭기는입력받은 RF(Radio Frequency) 신호에포함되는복수의중심주파수중 제1 중심주파수성분을증폭하는증폭회로, 상기제1 중심주파수성분에연관되는제1 상호변조(IMD: Intermodulation)성분을제거하기위한제1 상쇄신호를생성하는상쇄회로및 상기제1 중심주파수성분과상기제1 상쇄신호를커플링하여상기제1 상호변조성분이제거된 RF 증폭신호를출력하는커플링부를포함할수 있다. 더하여, 상기증폭회로는상기제1 중심주파수성분을추출하고나머지주파수성분을차단하는복수의제1 필터를포함하고, 상기상쇄회로는상기제1 상호변조성분을제거하도록하는복수의제2 필터를포함할수 있다.

4. 发明公开

KR1020130090511A 피킹 증폭기의 드레인 바이어스 승압 또는 모듈레이션 회로를 포함하는 도허티 증폭기 有权
标题翻译：包含放大倍率放大器的放大器放大器或调制电路的DOHERTY放大器
公开(公告)号：KR1020130090511A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020120011704
申请日：2012-02-06
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
发明人： 김정곤 , 최영규
IPC分类号： H03F1/07 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F1/0222 , H03F1/56 , H03F3/602 , H03F2200/192 , H03F2200/231 , H03F2200/543
摘要： PURPOSE: A Doherty amplifier including a drain bias boost or modulation circuit of a picking amplifier is provided to improve a maximum output degradation due to a low bias voltage and to enhance linearity. CONSTITUTION: A Doherty amplifier (200) includes a drain bias boost circuit (210), a carrier amplifier (250), and a picking amplifier (260). The carrier amplifier and the picking amplifier are connected in parallel. The drain bias boost circuit boosts an inputted voltage, and supplies the boosted voltage to a transistor which is included in the picking amplifier. The drain bias boost circuit includes at least one of a voltage booster, regulator, and DC-DC converter or transformer. [Reference numerals] (220) Drain bias boosting circuit; (270) First output matching circuit; (280) Second output matching circuit; (290) Λ/4 network
摘要翻译：目的：提供包括拾取放大器的漏极偏压升压或调制电路的Doherty放大器，以改善由于低偏置电压引起的最大输出衰减并提高线性度。构成：Doherty放大器（200）包括漏极偏压升压电路（210），载波放大器（250）和拾取放大器（260）。载波放大器和拾取放大器并联连接。漏极偏压升压电路提高输入电压，并将升压电压提供给拾取放大器中所包括的晶体管。漏极偏压升压电路包括升压器，调节器和DC-DC转换器或变压器中的至少一个。（220）排水偏压升压电路; （270）第一输出匹配电路; （280）第二输出匹配电路; （290）Λ/ 4网络

5. 发明公开

KR1020130090866A 피킹 증폭기의 드레인 바이어스 승압 또는 모듈레이션 회로를 포함하는 도허티 증폭기 无效
标题翻译：包含放大倍率放大器的放大器放大器或调制电路的DOHERTY放大器
公开(公告)号：KR1020130090866A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020130083341
申请日：2013-07-16
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
发明人： 김정곤 , 최영규
IPC分类号： H03F1/07
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F1/0277 , H03F1/56 , H03F3/211 , H03F3/602
摘要： PURPOSE: A Doherty amplifier including a drain bias boost or modulation circuit of a picking amplifier is provided to improve the efficiency and linearity of a Doherty amplifier. CONSTITUTION: A Doherty amplifier (200) includes a drain bias boost circuit (210), a carrier amplifier (250), and a picking amplifier (260). The carrier amplifier and the picking amplifier are connected in parallel. The drain bias boost circuit boosts an inputted voltage and provides the boosted voltage for the drain of a transistor which constitutes the picking amplifier. If a high bias voltage is applied to the drain of the transistor which constitutes the picking amplifier, the output capacity of the amplifier and the linearity and power efficiency of the overall Doherty amplifier can be improved. [Reference numerals] (220) Drain bias boosting circuit; (270) First output matching circuit; (280) Second output matching circuit; (290) Λ/4 network
摘要翻译：目的：提供一个Doherty放大器，包括一个采样放大器的漏极偏置升压或调制电路，以提高Doherty放大器的效率和线性。构成：Doherty放大器（200）包括漏极偏压升压电路（210），载波放大器（250）和拾取放大器（260）。载波放大器和拾取放大器并联连接。漏极偏压升压电路提高输入电压，并为构成拾取放大器的晶体管的漏极提供升压电压。如果对构成拾取放大器的晶体管的漏极施加高偏置电压，则可以提高放大器的输出容量以及整体Doherty放大器的线性和功率效率。（220）排水偏压升压电路; （270）第一输出匹配电路; （280）第二输出匹配电路; （290）Λ/ 4网络

6. 发明授权

KR101383484B1 LDMOS FET 및 GaN FET를 이용한 도허티 증폭기 有权
标题翻译： DOHERTY RF功率放大器使用LDMOS FET和GAN FET
公开(公告)号：KR101383484B1
公开(公告)日：2014-04-08
申请号：KR1020130016429
申请日：2013-02-15
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
发明人： 최영규 , 김정곤
IPC分类号： H03F1/07 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/602 , H03F2200/519 , H03F2200/543
摘要： The present invention relates to a Doherty amplifier which is a high efficiency modulation amplifier for a transmitter with large power to control the phase of a main amplifier which amplifies a basic signal and the phase of an auxiliary amplifier which amplifies a peak signal and to synthesize the phases in an output. The Doherty amplifier according to the present invention is composed of a carrier amplifier with a GaN FET and a peaking amplifier with an LDMOS FET which are connected in parallel. Thereby, in comparison with an existing Doherty amplifier structure, efficiency is remarkably improved in comparison with the LDMOS FET and costs are remarkably reduced in comparison with a product using the GaN FET.
摘要翻译：本发明涉及一种Doherty放大器，它是一种高功率调制放大器，用于具有大功率的发射机，用于控制放大基本信号的主放大器的相位和放大峰值信号的辅助放大器的相位，并且合成输出阶段。根据本发明的Doherty放大器由具有GaN FET的载波放大器和具有并联连接的LDMOS FET的峰值放大器组成。因此，与现有的Doherty放大器结构相比，与LDMOS FET相比，效率显着提高，与使用GaN FET的产品相比，成本显着降低。

7. 发明授权

KR101334652B1 피킹 증폭기의 드레인 바이어스 승압 또는 모듈레이션 회로를 포함하는 도허티 증폭기 有权
标题翻译：包含放大倍率放大器的放大器放大器或调制电路的DOHERTY放大器
公开(公告)号：KR101334652B1
公开(公告)日：2013-12-02
申请号：KR1020120011704
申请日：2012-02-06
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
发明人： 김정곤 , 최영규
IPC分类号： H03F1/07 , H03F3/60
摘要： 본 발명의 실시예에 따르면, 병렬로 연결되는 캐리어 증폭기와 피킹 증폭기; 및 상기 피킹 증폭기를 구성하는 트랜지스터의 드레인에 추가 전압을 고주파 입력 신호의 크기에 따라 선택적으로 공급하는 드레인 바이어스 모듈레이션 회로를 포함하고, 상기 드레인 바이어스 모듈레이션 회로는, 상기 고주파 입력 신호가 입력되는 포락선 검출기; 및 상기 포락선 검출기의 출력 신호를 입력으로 받으며, 상기 포락선 검출기의 출력 신호의 크기에 따라 선택적으로 온/오프되어 상기 피킹 증폭기를 구성하는 트랜지스터의 드레인에 추가 전압을 공급하거나 차단하는 일 이상의 트랜지스터를 포함하는 도허티 증폭기가 제공된다.

8. 发明公开

KR1020130080911A 드레인 바이어스 변조 회로가 적용된 고주파 전력 증폭기 有权
标题翻译：包含排水偏心调制电路的高效放大器
公开(公告)号：KR1020130080911A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：KR1020120001789
申请日：2012-01-06
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
发明人： 김정곤 , 최영규
IPC分类号： H03F1/30 , H03F3/193
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/223 , H03F1/301 , H03F3/245
摘要： PURPOSE: A high frequency power amplifier with a drain bias modulation circuit is provided to control a drain bias voltage of a transistor in two or more levels without a limit of power capacity. CONSTITUTION: A high frequency power amplifier includes a drain bias modulation circuit (100) and a power amplifier (200). The drain bias modulation circuit outputs a voltage corresponding to a power voltage or multiples of the power voltage according to the size of an input signal. The drain bias modulation circuit includes a transistor and an envelope detector (110). The transistor applies the power voltage to a drain and connects a source to a drain of an amplification transistor. The envelope detector detects the size of the transistor and the input signal and inputs the same to a gate of the transistor. The power amplifier applies an output voltage of the drain bias modulation circuit to the drain and includes the amplification transistor which amplifies and outputs the input signal inputted to the gate. [Reference numerals] (110) Envelope detector
摘要翻译：目的：提供具有漏极偏置调制电路的高频功率放大器，以在两级或更多级别控制晶体管的漏极偏置电压，而不受功率容量的限制。构成：高频功率放大器包括漏极偏置调制电路（100）和功率放大器（200）。漏极偏置调制电路根据输入信号的大小输出对应于电源电压或电源电压倍数的电压。漏极偏置调制电路包括晶体管和包络检测器（110）。晶体管将电源电压施加到漏极，并将源极连接到放大晶体管的漏极。包络检测器检测晶体管的尺寸和输入信号，并将其输入到晶体管的栅极。功率放大器将漏极偏置调制电路的输出电压施加到漏极，并且包括放大并输出输入到栅极的输入信号的放大晶体管。（附图标记）（110）包络检测器

9. 发明授权

KR101853570B1 전력 증폭기 및 전력 증폭 방법 有权
标题翻译：功率放大器和功率放大方法
公开(公告)号：KR101853570B1
公开(公告)日：2018-04-30
申请号：KR1020160177426
申请日：2016-12-23
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단
发明人： 최영규 , 김정곤
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/189
CPC分类号： H03F1/3276 , H03F3/189
摘要： 전력증폭기및 전력증폭방법이개시된다. 전력증폭기는가변인덕터를포함하고, 증폭기의입력부에연결된선형화기; 상기선형화기로부터입력된신호를증폭시키고, 상기증폭된신호를출력하는상기증폭기; 및상기증폭기의출력신호에기초하여상기선형화기에포함된가변인덕터의인덕턴스값을제어하는제어기를포함할수 있다.

10. 发明授权

KR101461058B1 ＷＢＡＮ 네트워크의 전력 제어방법 有权
标题翻译：传感器网络功率控制方法
公开(公告)号：KR101461058B1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：KR1020130025515
申请日：2013-03-11
申请人： 한국산업기술대학교산학협력단
发明人： 최준성 , 김정곤
IPC分类号： H04W52/02 , H04W72/12 , H04W84/18
CPC分类号： Y02D70/10
摘要： 본 발명은 단말기와 센서가 상호 채널을 형성할 때만 웨이크-업(Wake-up) 상태를 유지하도록 함으로써, 단말기 및 센서의 전력소모를 감소시키는 센서 네트워크의 전력 제어방법을 제안한다. 이를 위해 본 발명은 제1센서 및 제2센서와 센서 네트워크를 구성하는 단말기에 의해 수행되며, 제1센서와 상기 제2센서로부터 비콘(Becon)을 수신하여 제1센서와 제2센서가 데이터를 전송하는 전송시간 정보 및 데이터의 크기 정보를 획득하는 단계, 전송시간 정보를 토대로 제1센서 및 제2센서에 대한 시간 동기화를 수행하는 단계, 시간 동기화된 제1센서와 제2센서에 대한 채널구간을 할당하기 위한 채널 스케줄을 생성하는 단계 및 채널 스케줄을 참조하여 채널 형성이 요구되는 채널구간에서 단말기, 제1센서 및 제2센서를 구동 상태로 제어하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다.
摘要翻译：提供了一种用于传感器网络的功率控制方法，其仅在终端和传感器形成相互通道时才通过维持唤醒状态来降低终端和传感器的功率消耗。为此，由第一传感器和第二传感器形成传感器网络的终端执行的功率控制方法包括以下步骤：当第一传感器和第二传感器通过接收信标发送数据和数据大小信息时，获取传输时间信息从第一和第二传感器; 基于所述传输时间信息对所述第一和第二传感器执行时间同步; 产生用于分配用于时间同步的第一和第二传感器的信道周期的时间表; 以及参照所述信道调度，在需要信道形成的信道周期中控制所述终端，第一传感器和第二传感器的操作。

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