基本信息:
- 专利标题： 드레인 바이어스 변조 회로가 적용된 고주파 전력 증폭기
- 专利标题（英）：High efficiency amplifier comprising drain bias modulation circuit
- 专利标题（中）：包含排水偏心调制电路的高效放大器
- 申请号：KR1020120001789 申请日：2012-01-06
- 公开(公告)号：KR101380206B1 公开(公告)日：2014-04-01
- 发明人： 김정곤 , 최영규
- 申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
- 申请人地址： 경기도 시흥시 산기대학로 *** (정왕동, 한국산업기술대학교)
- 专利权人： 한국산업기술대학교산학협력단,주식회사 인스파워
- 当前专利权人： 한국산업기술대학교산학협력단,주식회사 인스파워
- 当前专利权人地址： 경기도 시흥시 산기대학로 *** (정왕동, 한국산업기술대학교)
- 代理人： 황일석; 김성호
- 主分类号： H03F1/30
- IPC分类号： H03F1/30 ; H03F3/193
According to an embodiment of the invention, a drain for outputting a voltage corresponding to the supply voltage or a multiple of the supply voltage according to the amplitude of the input signal bias modulation circuit; And is the output voltage of the drain bias modulation circuit applied to the drain, and a power amplifier having an amplifier transistor for amplifying and outputting the input signal input to the gate, the drain bias modulation circuit is applied with the power supply voltage to a drain and, at least one source is connected to the drain of the amplifying transistor transistor; And a drain bias modulation circuit is applied to a high-frequency power amplifier includes an envelope detector for input to the gate of the input control over the work done detecting the magnitude of the signal transistor is provided.
公开/授权文献:
- KR1020130080911A 드레인 바이어스 변조 회로가 적용된 고주파 전력 증폭기 公开/授权日：2013-07-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03F | 放大器 |
| ------H03F1/00 | 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 |
| --------H03F1/30 | .为减少温度变化或电源电压变化的影响对放大器的改进 |