基本信息:
- 专利标题： 피킹 증폭기의 드레인 바이어스 승압 또는 모듈레이션 회로를 포함하는 도허티 증폭기
- 专利标题（英）：Doherty amplifier comprising drain bias boost or modulation circuit of peaking amplifier
- 专利标题（中）：包含放大倍率放大器的放大器放大器或调制电路的DOHERTY放大器
- 申请号：KR1020120011704 申请日：2012-02-06
- 公开(公告)号：KR101334652B1 公开(公告)日：2013-12-02
- 发明人： 김정곤 , 최영규
- 申请人： 한국산업기술대학교산학협력단 , 주식회사 인스파워
- 申请人地址： 경기도 시흥시 산기대학로 *** (정왕동, 한국산업기술대학교)
- 专利权人： 한국산업기술대학교산학협력단,주식회사 인스파워
- 当前专利权人： 한국산업기술대학교산학협력단,주식회사 인스파워
- 当前专利权人地址： 경기도 시흥시 산기대학로 *** (정왕동, 한국산업기술대학교)
- 代理人： 황일석; 김성호
- 主分类号： H03F1/07
- IPC分类号： H03F1/07 ; H03F3/60
According to an embodiment of the invention, the carrier amplifier and the peaking amplifier are connected in parallel; And the peaking amplifier configuration that transistors drain the added voltage to the high-frequency input signal of the size in accordance with selectively supplied to the drain bias modulation circuit for containing, and wherein the drain bias modulation circuit, the high frequency input signal is input, that is an envelope detector; And it receives as input the output signal of the envelope detector, is selectively turned on / off according to the magnitude of the output signal of the envelope detector comprises one or more transistors for supplying or blocking the additional voltage to the drain of the transistor constituting the peaking amplifier the Doherty amplifier is provided.
公开/授权文献:
- KR1020130090511A 피킹 증폭기의 드레인 바이어스 승압 또는 모듈레이션 회로를 포함하는 도허티 증폭기 公开/授权日：2013-08-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03F | 放大器 |
| ------H03F1/00 | 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 |
| --------H03F1/02 | .为提高效率对放大器的改进，例如滑动甲类放大级，采用辅助振荡 |
| ----------H03F1/04 | ..在电子管放大器中 |
| ------------H03F1/06 | ...提高已调制射频波的放大效率；提高也起调制器作用的放大器的效率 |
| --------------H03F1/07 | ....多赫蒂型放大器 |