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1. 发明授权

KR102237260B1 고체 촬상 장치 有权
公开(公告)号：KR102237260B1
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：KR1020157027575
申请日：2014-02-18
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 오츠카신야 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H04N5/372 , H04N5/3725 , H01L27/148 , H04N5/378
摘要： 고체촬상장치(1)는광전변환부(11, 12)와, 전송부(21, 22)와, 제1 버퍼부(31, 32)와, 제2 버퍼부(51, 52)와, 제1 출력부(40)와, 제2 출력부(60)를구비한다. 광전변환부(11, 12)는광입사에따라서전하를발생시킨다. 전송부(21, 22)는발생한전하를 3상또는 4상의구동신호에따라서제1 방향또는그 반대인제2 방향으로전송한다. 제1 버퍼부(31, 32) 및제2 버퍼부(51, 52)는, 전송부(21, 22)에의해각각제1 및제2 방향으로전송된전하를취득하고, 2상의구동신호에따라서, 취득한전하를각각제1 및제2 방향으로전송한다. 제1 출력부(40) 및제2 출력부(60)는각각제1 버퍼부(31, 32)및제2 버퍼부(51, 52)로부터전송된전하를취득하고, 취득한전하에따른신호를출력한다.

2. 发明授权

KR102236597B1 리니어 이미지 센서 有权
公开(公告)号：KR102236597B1
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：KR1020167013940
申请日：2014-10-31
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 다카기신이치로 , 요네타야스히토 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/369
摘要： 광검출부 AR은, 열방향을따라서정렬하는복수의화소영역 PX를가지도록분할되어있다. 복수의화소영역 PX로부터의신호는, 각각의광검출부 AR마다적산되어, 일차원적인광이미지에대응하는전기신호로서시계열로출력된다. 개개의화소영역 PX는, 광전변환영역내의전하의전송을촉진하는저항성게이트전극 R과전하축적영역 S2를구비하고있고, 전하축적영역 S2에는채널영역을통해서드레인영역 ARD가인접해있다.

3. 发明授权

KR101675605B1 고체 촬상 장치 有权
标题翻译：固体 -
公开(公告)号：KR101675605B1
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：KR1020117007770
申请日：2010-01-22
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 스즈키히사노리 , 요네타야스히토 , 다카기신이치로 , 마에타겐타로 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/335
CPC分类号： H04N5/37213 , H01L27/14609 , H01L27/14812
摘要： 본발명의일 실시형태에관한고체촬상장치(1)는전하증배형의고체촬상장치에있어서, 입사광량에따른전하를생성하는촬상영역(10)과, 촬상영역(10)으로부터의전하를받는출력레지스터부(20)와, 출력레지스터부(20)로부터의전하를증배하는증배레지스터부(28)를구비하고, 촬상영역(10)으로부터의전하량에따라, 증배레지스터부(28)의증배율피드포워드제어를행한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的固态成像装置1的类型是电荷倍增的用于生成对应于入射光量的电荷的固体摄像装置中，从摄像区域10中，感测区域（10）接收到充电以及乘法寄存器单元28，用于将来自输出寄存器单元20的电荷相乘。乘法寄存器单元28将乘法寄存器单元28乘以来自成像区域10的电荷量，控制被执行。

4. 发明公开

KR1020150128824A 고체 촬상 장치 审中-实审
标题翻译：固体 -
公开(公告)号：KR1020150128824A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020157027575
申请日：2014-02-18
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 오츠카신야 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H04N5/372 , H04N5/3725 , H01L27/148 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/372 , H01L27/14812 , H04N5/37213 , H04N5/3725 , H04N5/378
摘要： 고체촬상장치(1)는광전변환부(11, 12)와, 전송부(21, 22)와, 제1 버퍼부(31, 32)와, 제2 버퍼부(51, 52)와, 제1 출력부(40)와, 제2 출력부(60)를구비한다. 광전변환부(11, 12)는광입사에따라서전하를발생시킨다. 전송부(21, 22)는발생한전하를 3상또는 4상의구동신호에따라서제1 방향또는그 반대인제2 방향으로전송한다. 제1 버퍼부(31, 32) 및제2 버퍼부(51, 52)는, 전송부(21, 22)에의해각각제1 및제2 방향으로전송된전하를취득하고, 2상의구동신호에따라서, 취득한전하를각각제1 및제2 방향으로전송한다. 제1 출력부(40) 및제2 출력부(60)는각각제1 버퍼부(31, 32)및제2 버퍼부(51, 52)로부터전송된전하를취득하고, 취득한전하에따른신호를출력한다.
摘要翻译：固态图像拾取装置1包括光电转换单元11和12，传送单元21和22，第一缓冲单元31和32，第二缓冲单元51和52，输出单元40和第二输出单元60。光电转换单元11和12根据光入射产生电荷。传送单元21和22根据三相或四相的驱动信号沿第一方向或相反方向传送产生的电荷。第一缓冲单元31和32以及第二缓冲单元51和52获取由传送单元21和22在第一和第二方向上传送的电荷，并将获得的费用分别转移到第一个和第二个方向。第一输出单元40和第二输出单元60获取从第一缓冲单元31和32以及第二缓冲单元51和52传输的电荷以及与获得的电荷对应的输出信号。

5. 发明公开

KR1020150120334A 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：固态图像拾取装置和制造固态图像拾取装置的方法
公开(公告)号：KR1020150120334A
公开(公告)日：2015-10-27
申请号：KR1020157017814
申请日：2014-02-12
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148 , G03F7/20
CPC分类号： H04N5/369 , H01L27/14683 , H01L27/14806 , H01L27/14812 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H04N5/353
摘要： 고체촬상장치(1)는, 반도체기판상에복수의패턴(2A, 2B)이 Y축방향으로서로이어지도록노광되어형성된수광부(2)를구비한다. 수광부(2)는 Y축방향과 Y축방향에직교하는 X축방향으로 2차원모양으로배열된복수의화소를가진다. 복수의화소중, X축방향으로배열된복수의화소로이루어지는화소열마다, 전하를 X축방향으로전송한다.

6. 发明公开

KR1020110128789A 반도체 광 검출 소자 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR PHOTODETECTION ELEMENT
公开(公告)号：KR1020110128789A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020117013132
申请日：2010-02-09
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 야마무라가즈히사 , 사카모토아키라 , 나가노데루마사 , 미야자키야스히토 , 요네타야스히토 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
摘要： 반도체 광 검출 소자(SP)는 제1 도전형 반도체로 이루어지고, 서로 대향하는 제1 주면(21a) 및 제2 주면(21b)를 가짐과 아울러 제1 주면(21a) 측에 제2 도전형 반도체층(23)이 형성된 실리콘 기판(21)과, 제1 주면(21a)상에 마련되어 발생한 전하를 전송하는 전하 전송 전극(25)을 구비하고 있다. 실리콘 기판(21)에는 제2 주면(21b) 측에 실리콘 기판(21)보다도 높은 불순물 농도를 가지는 제1 도전형 어큐뮬레이션층(31)이 형성되어 있음과 아울러, 제2 주면(21b)에서 적어도 반도체 영역(23)에 대향하는 영역에 불규칙한 요철(10)이 형성되어 있다. 실리콘 기판(21)의 제2 주면(21b)에서 불규칙한 요철(10)이 형성된 영역은, 광학적으로 노출되어 있다.
摘要翻译：半导体光检测元件SP具有由第一导电类型的半导体构成的硅基板21，第一导电类型的半导体具有彼此相对的第一主表面21a和第二主表面21b，并且具有第二导电类型的半导体层23形成在第一主表面21a侧; 以及设置在第一主表面21a上并适于传送产生的电荷的电荷转移电极25。在硅基板21中，在第二主面21b侧形成有比硅基板21高的杂质浓度的第一导电类型的累积层31，并且在与至少半导体相对的区域中形成不规则的凹凸10 区域23，在第二主表面21b中。在硅衬底21的第二主表面21b中形成不规则凹凸10的区域被光学曝光。

7. 发明公开

KR1020100135217A 고체 촬상 장치 有权
标题翻译：固体 -
公开(公告)号：KR1020100135217A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：KR1020107015105
申请日：2009-04-22
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 스즈키히사노리 , 요네타야스히토 , 오츠카신야 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14831 , H01L27/14825 , H04N5/37213
摘要： 고체 촬상 장치(1)는 복수의 광전 변환부(3)와 제1 및 제2 시프트 레지스터(9, 13)를 구비하고 있다. 각 광전 변환부(3)는 광 입사에 따라 전하를 발생하며 또한 평면 형상이 2개의 장변과 2개의 단변에 의해 형태가 만들어지는 거의 직사각 형상을 이루는 광감응 영역(15)과, 광감응 영역(15)에 대해 광감응 영역(15)의 평면 형상을 이루는 장변에 평행한 소정의 방향을 따라 높아진 전위 기울기를 형성하는 전위 기울기 형성 영역(17)을 갖고 있다. 복수의 광전 변환부(3)는 상기 소정의 방향에 교차하는 방향을 따르도록 병치되어 있다. 제1 및 제2 시프트 레지스터(9, 13)는 복수의 광전 변환부(3)로부터 각각 전송된 전하를 취득하고, 상기 소정의 방향에 교차하는 방향으로 전송하여 출력한다. 이로 인해, 화상 처리가 번잡하게 되는 일 없이, 광감응 영역에 발생한 전하를 고속으로 독출하는 것이 가능한 고체 촬상 장치가 실현된다.
摘要翻译：固态图像拾取装置1包括多个光电转换单元3以及第一和第二移位寄存器9和13。每个光电转换单元3根据光的入射产生电荷，并且具有基本上矩形的感光区域15，其平面形状由两个长边和两个短边形成，它们平行于形成光敏区域15的平面形状并形成沿预定方向增大的电位梯度的长边。多个光电转换单元3沿着与预定方向交叉的方向并置。第一移位寄存器9和第二移位寄存器13获取从多个光电转换单元3分别传送来的电荷，并在与预定方向交叉的方向上传送它们并将其输出。这实现了能够高速读取光敏区域中产生的电荷而不会使图像处理复杂化的固态成像装置。

8. 发明授权

KR101880780B1 고체 촬상 장치 有权
公开(公告)号：KR101880780B1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：KR1020137012885
申请日：2011-11-11
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 이케야도모히로 , 요네타야스히토 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/02 , H01L27/14806 , H01L27/14825 , H01L27/14831 , H01L27/14887
摘要： 고체촬상장치(1)는복수의광 감응영역(13)을가지는광전변환부(2)와, 복수의광 감응영역(13)에대향해서배치된전위구배형성부(3)를구비한다. 각광 감응영역(13)의평면형상은, 2개의장변과 2개의단변에의해서형태가만들어지는대략구형(矩形) 모양을이루고있다. 복수의광 감응영역(13)은장변에교차하는제1 방향으로병치되어있다. 전위구배형성부(3)는광 감응영역(13)의한쪽의단변으로부터다른쪽의단변을향하는제2 방향을따른전위구배를형성한다. 전위구배형성부(3)는제2 방향을따라서낮아진전위구배를형성하는제1 전위구배형성영역과, 제2 방향을따라서높아진전위구배를형성하는제2 전위구배형성영역을가진다. 제2 전위구배형성영역은, 제1 전위구배형성영역에대해제2 방향으로병치되어있다.

9. 发明授权

KR101594634B1 고체 촬상 장치 有权
公开(公告)号：KR101594634B1
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020107015105
申请日：2009-04-22
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 스즈키히사노리 , 요네타야스히토 , 오츠카신야 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14831 , H01L27/14825 , H04N5/37213
摘要： 고체촬상장치(1)는복수의광전변환부(3)와제1 및제2 시프트레지스터(9, 13)를구비하고있다. 각광전변환부(3)는광 입사에따라전하를발생하며또한평면형상이 2개의장변과 2개의단변에의해형태가만들어지는거의직사각형상을이루는광감응영역(15)과, 광감응영역(15)에대해광감응영역(15)의평면형상을이루는장변에평행한소정의방향을따라높아진전위기울기를형성하는전위기울기형성영역(17)을갖고있다. 복수의광전변환부(3)는상기소정의방향에교차하는방향을따르도록병치되어있다. 제1 및제2 시프트레지스터(9, 13)는복수의광전변환부(3)로부터각각전송된전하를취득하고, 상기소정의방향에교차하는방향으로전송하여출력한다. 이로인해, 화상처리가번잡하게되는일 없이, 광감응영역에발생한전하를고속으로독출하는것이가능한고체촬상장치가실현된다.

10. 发明公开

KR1020120011838A 고체 촬상 장치 有权
标题翻译：固体成像装置
公开(公告)号：KR1020120011838A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：KR1020117014324
申请日：2010-03-25
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 스즈키히사노리 , 요네타야스히토 , 마에타겐타로 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/359 , H04N5/372
CPC分类号： H04N5/37206 , H01L27/14831 , H01L27/14856 , H01L27/14887 , H01L31/113 , H04N5/3592
摘要： 고체 촬상 장치(1)에 있어서, 오버플로우 게이트(OFG; 5)가 소정의 전기 저항값을 가지고 전압 인가부(16
1 ~16
5 )가 접속부(17
1 ~17
5 )에서 OFG(5)와 전기적으로 접속되고 있다. 그 때문에, 전압 인가부(16
1 ~16
5 )에 의해 접속부(17
1 ~17
5 )에 인가되는 전압값 V1~V5를 조정함으로써, OFG(5)의 전단측 부분에 생기는 전압값을 높이고, OFG(5)의 후단측 부분에 생기는 전압값을 낮출 수 있다. 그 결과, OFG(5)의 전단측 부분에서 배리어 레벨(포텐셜)이 낮아지고 OFG(5)의 후단측 부분에서 배리어 레벨이 높아지므로, 광전 변환부(2)의 전단측 영역에서 발생한 전하 모두를 오버플로우 드레인(OFD; 4)에 유출시키고, 광전 변환부(2)의 후단측 영역에서 발생한 전하만을 TDI 전송할 수 있다.
摘要翻译：在固态成像装置1中，溢出门（OFG）5具有预定的电阻值，而电压施加单元16至16 5在连接部分17 1至17 5处与OFG 5电连接。因此，在通过施加电压单元16 1〜16 5对连接部17 1〜17 5施加电压值V1〜V5的情况下，OFG5分别在其较早阶段和后期部分产生较高和较低的电压值。结果，在较早阶段和较后阶段部分中的势垒级（电位）变得越来越高，使得可以使在光电转换单元2的较早级侧区域中产生的所有电荷流出到溢出漏极（OFD）4，由此只能在光电转换单元2的后级侧区域中产生的电荷被TDI转印。

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