专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170132467A 단일광자 애벌란치 다이오드와 그 제조 방법 有权
标题翻译：单光子雪崩二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170132467A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020160063342
申请日：2016-05-24
申请人： 주식회사 우리로
发明人： 전보라 , 정건 , 박찬용
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/103 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/022408 , H01L31/0392 , H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/1868
摘要： 본발명은단일광자애벌란치다이오드및 그제조방법에관한것으로서, n형 InP 기판상에 n형 InP버퍼층, 도핑하지않은 InGaAs흡수층, InGaAsP그래이딩층, n형 InP 전기장조절층, n형 InP윈도우층이순차적으로적층되어있고, n형 InP윈도우층의중앙에국소적으로형성된 p형 InP윈도우층과상기 p형 InP윈도우층주위에링 형태로형성된 p형 InP가드링을갖으며, p형 InP 윈도우층상에링 형상으로돌출되게형성된 p형 InGaAs옴접촉층과, p형 InGaAs옴접촉층을중심으로 p형 InGaAs옴접촉층의내주영역과외주영역의노출된부분에형성된내주및 외주표면보호층과, p형 InGaAs옴접촉층의상면과 p형 InGaAs옴접촉층의내주영역에형성된내주표면보호층상부에광을반사하며도전성을갖는소재로형성된원형의 p-전극층을구비한다. 이러한단일광자애벌란치다이오드및 그제조방법에의하면, 광응답도를향상시킬수 있어높은광자검출효율을얻을수 있으며, 작은옴 접촉저항을갖게하여고속동작을가능하게한다.
摘要翻译：本发明是在n型InP衬底的InP缓冲层上的层形n，则未掺杂的InGaAs吸收层，的InGaAsP灰色dingcheung，正的InP电场控制层，与单光子雪崩二极管的n型InP窗口及其制造的方法和顺序地堆叠，有具有p型InP的保护环和局部p型InP窗口层由形成在所述层的n型InP窗口层的p型InP窗口的中心处的p型InP窗口层周围形成为环状欧姆p型形成在形状E-环InGaAs接触层突出，形成在p型InGaAs欧姆接触层周围的p型InGaAs欧姆接触层和外周区域的内圆周区域的所述保护层的暴露部分的内表面和外表面，一个p型InGaAs反映在上表面和形成在欧姆接触层的p型InGaAs欧姆接触层的内周区域中的保护层的上内表面的光，并且包括具有圆形导电的材料形成的p电极层。根据这样的单光子雪崩二极管及其制造方法，可提高在这里也获得的光学响应和高的光子的检测效率，它使高速的操作和具有小的欧姆接触电阻。

2. 发明授权

KR101715957B1 반도체 광 검출 소자 有权
标题翻译：半导体光电探测器元件
公开(公告)号：KR101715957B1
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020117013132
申请日：2010-02-09
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 야마무라가즈히사 , 사카모토아키라 , 나가노데루마사 , 미야자키야스히토 , 요네타야스히토 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L27/1462 , H01L27/1464 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/103 , Y02E10/50
摘要： 반도체광 검출소자(SP)는제1 도전형반도체로이루어지고, 서로대향하는제1 주면(21a) 및제2 주면(21b)를가짐과아울러제1 주면(21a) 측에제2 도전형반도체층(23)이형성된실리콘기판(21)과, 제1 주면(21a)상에마련되어발생한전하를전송하는전하전송전극(25)을구비하고있다. 실리콘기판(21)에는제2 주면(21b) 측에실리콘기판(21)보다도높은불순물농도를가지는제1 도전형어큐뮬레이션층(31)이형성되어있음과아울러, 제2 주면(21b)에서적어도반도체영역(23)에대향하는영역에불규칙한요철(10)이형성되어있다. 실리콘기판(21)의제2 주면(21b)에서불규칙한요철(10)이형성된영역은, 광학적으로노출되어있다.
摘要翻译：半导体光电探测器元件SP由第一导电类型半导体构成并且具有彼此相对的第一主表面21a和第二主表面21b以及第二导电类型半导体层 23）以及用于转移在第一主表面21a上产生的电荷的电荷转移电极25。硅衬底21，一个第二主表面（21B）的硅衬底21比第一导电型积累层31的的侧面是可释放的与该高杂质浓度，并且在同一时间，至少半导体在第二主表面（21B）在面对区域（23）的区域中形成不规则不规则体（10）。在硅衬底21的第二主表面21b中形成不规则的凸起和凹陷10的区域被光学暴露。

3. 发明授权

KR101709941B1 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이미지 센서 제조 방법 有权
标题翻译：具有该图像传感器图像处理装置和图像传感器的制造方法
公开(公告)号：KR101709941B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020090118151
申请日：2009-12-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 에릭로이.포썸 , 김석필 , 박윤동 , 오훈상 , 배형진 , 윤태응
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/103 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N9/04
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L31/103 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N9/045 , H04N2209/047
摘要： 2-레이어구조를갖는이미지센서가개시된다. 상기이미지센서는입사광에응답하여제1전기신호를생성하기위한제1광전변환소자와, 상기제1광전변환소자의하부에형성된광전자베리어와, 상기광전자베리어의하부에형성되고상기광전자베리어를통과한입사광에응답하여제2전기신호를생성하기위한제2광전변환소자를포함한다.
摘要翻译：图像传感器包括设置在基板的下部的第二光电转换装置和在二次光电转换装置和基板的光接收表面之间延伸的第一光电转换装置。第一和第二光电转换装置之间的电隔离由光电子势垒提供，光电子势垒可以是光学透明的电绝缘材料。可以使用MOS晶体管将在第一和第二光电转换装置内产生的光电子转移到图像传感器内的浮动扩散区域。这些晶体管可以分别响应于第一和第二门控信号，表示用于将在第一和第二光电转换装置中产生的光电子转移到衬底中的浮动扩散区域的装置的一个示例。第一和第二门控信号可以在非重叠时间间隔期间被激活。

4. 发明公开

KR1020170008881A 고체 촬상 센서 및 카메라 无效
标题翻译：固态图像传感器和摄像机
公开(公告)号：KR1020170008881A
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020177000566
申请日：2013-01-09
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 오키타아키라 , 고바야시마사히로
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14812 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14806 , H01L31/103
摘要： 촬상장치는기판내에배치된제1 도전형의제1 반도체영역과, 제1 반도체영역내에배치되어전하축적영역을구성하는제2 도전형의제2 반도체영역을포함한다. 제2 반도체영역은기판의표면에따른방향으로배치된복수의부분을포함한다. 전위장벽이복수의부분의사이에형성된다. 제1 반도체영역으로부터제2 반도체영역으로의공핍영역의확대에의해제2 반도체영역의전체가공핍화된다. 제2 반도체영역중 최후에공핍화되는최종공핍화부분이, 제1 반도체영역중 최종공핍화부분의측방에위치하는부분으로부터공핍영역의확대에의해공핍화된다.
摘要翻译：一种图像传感器，包括布置在基板中的第一导电类型的第一半导体区域，第二导电类型的第二半导体区域，布置在第一半导体区域中以形成电荷累积区域。第二半导体区域包括沿着基板的表面的方向布置的多个部分。在多个部分之间形成势垒。通过从第一半导体区域到第二半导体区域的耗尽区域的扩展，第二半导体区域完全耗尽。最终耗尽的第二半导体区域的最终耗尽部分由于位于最终耗尽部分的横向方向上的第一半导体区域的部分的耗尽区的扩展而被耗尽。

5. 发明授权

KR101698252B1 고체 촬상 센서 및 카메라 有权
标题翻译：固态图像传感器和相机
公开(公告)号：KR101698252B1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：KR1020147022126
申请日：2013-01-09
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 오키타아키라 , 고바야시마사히로
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14812 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14806 , H01L31/103
摘要： 촬상장치는기판내에배치된제1 도전형의제1 반도체영역과, 제1 반도체영역내에배치되어전하축적영역을구성하는제2 도전형의제2 반도체영역을포함한다. 제2 반도체영역은기판의표면에따른방향으로배치된복수의부분을포함한다. 전위장벽이복수의부분의사이에형성된다. 제1 반도체영역으로부터제2 반도체영역으로의공핍영역의확대에의해제2 반도체영역의전체가공핍화된다. 제2 반도체영역중 최후에공핍화되는최종공핍화부분이, 제1 반도체영역중 최종공핍화부분의측방에위치하는부분으로부터공핍영역의확대에의해공핍화된다.
摘要翻译：所述成像设备包括构成所述第一半导体区中的第二导电类型的第二半导体区域，所述第一半导体区域被布置在设置在衬底中的第一导电类型的电荷积累区域。第二半导体区域包括沿着衬底的表面的方向布置的多个部分。在多个部分之间形成势垒。从第一半导体区域到第二半导体区域的耗尽区域被完全耗尽以释放两个半导体区域。在耗尽端耗尽部分的端部的第二半导体区域，耗尽是由耗尽区的从定位在所述第一半导体区域的端部耗尽部的一侧的部分的扩大。

6. 发明公开

KR1020160060101A 결함 감소된 에피택셜 광 디바이스 제공 방법 및 결과 구조물 审中-实审
标题翻译：提供缺陷和结构结构减少的外来光电器件的方法
公开(公告)号：KR1020160060101A
公开(公告)日：2016-05-27
申请号：KR1020167010193
申请日：2014-10-16
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 미드,로이
IPC分类号： H01L27/144 , H01L27/146 , H01L21/64 , H01L31/18
CPC分类号： H01L27/1446 , G02B6/12004 , H01L21/64 , H01L27/14625 , H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 기판표면에형성되는트렌치분리구역위에서횡방향으로, 그리고, 기판표면위에서수직으로에피택셜-성장하는광 디바이스의형성방법및 결과적구조물이설명된다.
摘要翻译：描述了形成光子器件和所得结构的方法，其中光子器件在衬底表面上垂直地外延生长，并横向地形成在衬底表面中形成的沟槽隔离区域上。

7. 发明公开

KR1020150100652A 반도체 광 집적회로 审中-实审
标题翻译：半导体光电集成电路
公开(公告)号：KR1020150100652A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020157014909
申请日：2013-12-10
申请人： 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
发明人： 미즈무라미치노부
IPC分类号： H01S5/026 , H01L27/15 , H01L31/103
CPC分类号： G02B6/4298 , G02B6/122 , H01L27/15 , H01L31/103 , H01S5/0424 , H01S5/06203 , H01S5/32 , H01S5/50
摘要： 발광 기능부와 광도파로부의 무경계화에 의하여, 광결합기를 이용하지 않고 높은 광 결합효율을 실현한 반도체 광 집적회로를 얻는다. 반도체 광 집적회로(1)는, 반도체 기판(10)과, 반도체 기판(10)에 형성되어 신호 전송 경로를 따라 연속적으로 뻗어 형성된 pn 접합부(10pn)와, pn 접합부(10pn) 상의 일부에 형성된 발광 기능부(2)와, 발광 기능부(2)에 연속한 pn 접합부(10pn) 상에 형성된 광도파로부(3)를 구비한다. 발광 기능부(2)는, pn 접합부(10pn)에 구동전류를 공급하여 pn 접합부(10pn)로부터 광신호를 발생시키고, 광도파로부(3)는, pn 접합부(10pn)에 공급되는 증폭 전류에 의하여 광신호를 증폭하면서 전송시킨다.

8. 发明公开

KR1020150088627A 수광 소자 审中-实审
标题翻译：光电探测器
公开(公告)号：KR1020150088627A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140009157
申请日：2014-01-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 강세경 , 이상수
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/028 , G02B6/12004 , G02B2006/12061 , G02B2006/12123 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/103 , H01L31/109 , Y02E10/547
摘要： 본발명은수광소자로, 광신호가전기신호로변환되는제 1 금속층들과, 광도파로의양단및 상기광 도파로를통해전달되는광신호를흡수하는성장부의소정영역에도핑된영역들과상기도핑된영역들및 상기제 1 금속층사이에형성되는제 1 비아들과, 광신호를전기신호로변환되는제 2 금속층들과, 상기제 1 금속층들및 상기제 2 금속층사이에형성되는제 2 비아들로형성된다.
摘要翻译：本发明是一种能够通过减小金属和半导体之间的接触面积并使通孔电阻增加最小化来改善暗电流和响应性的光接收元件。光接收元件包括用于将光信号转换为电信号的第一金属层，用于吸收通过光波导和光波导两端传送的光信号的生长单元的预定区域中的掺杂区域，用于形成在所述掺杂区域和所述第一金属层之间，用于将所述光信号转换为所述电信号的第二金属层，以及用于形成在所述第一金属层和所述第二金属层之间的第二通孔。

9. 发明授权

KR101521360B1 고속, 넓은 광 대역폭, 및 고 효율 공진 공동 강화 광-검출기 有权
标题翻译：高速，宽光学带宽和高效率谐振光圈增强型光电探测器
公开(公告)号：KR101521360B1
公开(公告)日：2015-05-19
申请号：KR1020137001650
申请日：2011-07-12
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 도순무,올루페미아이. , 리우,안셍
IPC分类号： H01L31/10 , H01L29/16
CPC分类号： H01L31/02165 , H01L31/103
摘要： 넓은광 대역폭및 넓은광 대역폭내에서고 효율을갖는광-검출기를갖는단일광 수신기로서, 광-검출기는: 광을수신하기위한제1 도핑유형의제1 다이오드영역; 제2 도핑유형및 제2 두께의제2 다이오드영역; 수신된광을전자신호로변환하기위한활성영역 - 활성영역은제3 두께를갖고, 제1 다이오드영역과제2 다이오드영역사이에있도록구성됨 - ; 및제2 다이오드영역에연결되고제4 두께의실리콘층을갖는반사체 - 실리콘층은제5 두께의실리콘산화물층들사이에있고, 활성영역은 900㎚보다작은파장들의광을흡수하도록구성되고, 반사체는 1260㎚내지 1380㎚범위의파장들의광을반사하도록구성됨 - 를포함한다.

10. 发明公开

KR1020140072989A 광전변환소자 有权
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：KR1020140072989A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：KR1020120140368
申请日：2012-12-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 허철 , 김상협 , 박병준 , 장은혜 , 정명애
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/054 , H01L31/0224 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/02327 , H01L31/022466 , H01L31/103 , H01L31/054
摘要： A photoelectric conversion device according to an embodiment is to facilitate the absorption of light. The embodiment provides a photoelectric conversion device which includes: a first substrate; a photoelectric conversion layer arranged on the upper part of a first substrate; a second substrate different from the first substrate and arranged on the photoelectric conversion layer; and a nanopillar layer arranged on the upper part of the second substrate. The nanopillar layer includes nanopillars which are separated from each other.
摘要翻译：根据实施例的光电转换装置是为了便于吸收光。本实施例提供一种光电转换装置，其包括：第一基板; 设置在第一基板的上部的光电转换层; 与第一基板不同的第二基板，设置在光电转换层上; 以及布置在第二基板的上部的纳米柱层。纳米柱层包括彼此分离的纳米柱。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式