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1. 发明公开

KR1020100135217A 고체 촬상 장치 有权
标题翻译：固体 -
公开(公告)号：KR1020100135217A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：KR1020107015105
申请日：2009-04-22
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 스즈키히사노리 , 요네타야스히토 , 오츠카신야 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14831 , H01L27/14825 , H04N5/37213
摘要： 고체 촬상 장치(1)는 복수의 광전 변환부(3)와 제1 및 제2 시프트 레지스터(9, 13)를 구비하고 있다. 각 광전 변환부(3)는 광 입사에 따라 전하를 발생하며 또한 평면 형상이 2개의 장변과 2개의 단변에 의해 형태가 만들어지는 거의 직사각 형상을 이루는 광감응 영역(15)과, 광감응 영역(15)에 대해 광감응 영역(15)의 평면 형상을 이루는 장변에 평행한 소정의 방향을 따라 높아진 전위 기울기를 형성하는 전위 기울기 형성 영역(17)을 갖고 있다. 복수의 광전 변환부(3)는 상기 소정의 방향에 교차하는 방향을 따르도록 병치되어 있다. 제1 및 제2 시프트 레지스터(9, 13)는 복수의 광전 변환부(3)로부터 각각 전송된 전하를 취득하고, 상기 소정의 방향에 교차하는 방향으로 전송하여 출력한다. 이로 인해, 화상 처리가 번잡하게 되는 일 없이, 광감응 영역에 발생한 전하를 고속으로 독출하는 것이 가능한 고체 촬상 장치가 실현된다.
摘要翻译：固态图像拾取装置1包括多个光电转换单元3以及第一和第二移位寄存器9和13。每个光电转换单元3根据光的入射产生电荷，并且具有基本上矩形的感光区域15，其平面形状由两个长边和两个短边形成，它们平行于形成光敏区域15的平面形状并形成沿预定方向增大的电位梯度的长边。多个光电转换单元3沿着与预定方向交叉的方向并置。第一移位寄存器9和第二移位寄存器13获取从多个光电转换单元3分别传送来的电荷，并在与预定方向交叉的方向上传送它们并将其输出。这实现了能够高速读取光敏区域中产生的电荷而不会使图像处理复杂化的固态成像装置。

2. 发明授权

KR100239409B1 고체 촬상 소자 失效
公开(公告)号：KR100239409B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970002175
申请日：1997-01-25
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 황일남
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14825 , H04N5/37213
摘要： Solid state image pickup device in which a horizontal charge coupled device (HCCD) region is divided into multi-channels so as to improve efficiency of charge-transferring and to widen its dynamic range is disclosed, including a plurality of photoelectric conversion regions; vertical charge coupled device (VCCD) regions for transferring in a vertical direction image charge generated in the photoelectric conversion regions; horizontal charge coupled device (HCCD) regions for dividing the image charge into one channel or two channel according to a level of the image charge transferred in a vertical direction and for transferring it in a horizontal direction; and a floating diffusion region for sensing only the image charge transferred through any one of the channels of the HCCD regions and draining the image charge transferred through the other channel without sensing it.

3. 发明授权

KR100186195B1 컬러선형 전하결합소자 및 이의 구동방법 失效
标题翻译：彩色线性电荷耦合器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR100186195B1
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：KR1019950048245
申请日：1995-12-11
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 유영준
IPC分类号： H04N5/30
CPC分类号： H01L27/14868 , H01L27/14825
摘要： 본 발명은 촬상장치용 컬러선형 전하결합소자에 관한 것으로, 제1도전형 반도체 기판과, 상기 제1도전형 반도체 기판에 형성된 제2도전형 웰 영역과, 상기 제2도전형 웰의 일정영역에 형성된 적색 감지용 포토 다이오드 어레이와, 상기 적색 감지용 포토 다이오드 어레이 일측에 각각 분리 구성되는 청색 감지용 포토 다이오드 어레이, 녹색 감지용 포토 다이오드 어레이로 이루어져 광전 변환에 의해 신호전하를 생성하는 포토 다이오드 어레이부와, 상기 적색 감지용 포토 다이오드 어레이의 타측에 각각 분리 구성되는 제 1,2 HCCD 시프트 레지스터와, 상기 녹색 감지용 포토 다이오드 어레이 일측에 구성되는 제 3 HCCD 시프트 레지스터로 이루어져 상기 각각의 포토 다이오드 어레이에서 생성된 신호전하를 받아 특정 방향으로 이동시키는 HCCD 시프트 레지� ��터와, 상기 각각의 분리영역의 제2도전형 웰상에 구성되어 상기 포토 다이오드 어레이부에서 생성된 신호전하를 상기 제1,2,3, HCCD 시프트 레지스터로 이동시키는 제 1, 2, 3, 4 트랜스퍼 게이트로 이루어져 각 화소들간의 간격을 축소하여 컬러 해상도를 향상시키고, 소자의 면적을 줄이고 소자의 구조를 간단화 시키는데 적당하도록 한 컬러선형 전하결합소자 및 이의 구동방법에 관한것이다.

4. 发明授权

KR1019940001404B1 더미 HCCD구조 失效
标题翻译： DUMMY HCCD结构
公开(公告)号：KR1019940001404B1
公开(公告)日：1994-02-21
申请号：KR1019910006020
申请日：1991-04-15
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이서규 , 박용
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14825
摘要： The structure of dummy gate is formed overlappingly to ground or bias the beginning stage of HCCD at a point between the second polys. In the last stage of the HCCD, an n+ layer and a contact are formed to connect n+ and voltage source. HCCD can apply signals to two pollies.
摘要翻译：虚拟栅极的结构与第二聚合物之间的点重叠地形成或偏离HCCD的起始阶段。在HCCD的最后阶段，形成n +层和接触，以连接n +和电压源。 HCCD可以将信号应用于两个投诉。

5. 发明公开

KR1020160082683A 리니어 이미지 센서 审中-实审
标题翻译：线性图像传感器
公开(公告)号：KR1020160082683A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020167013940
申请日：2014-10-31
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 다카기신이치로 , 요네타야스히토 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/369
CPC分类号： H01L27/14825 , H01L27/14812 , H01L27/14843 , H04N5/3692 , H04N5/37213
摘要： 광검출부 AR은, 열방향을따라서정렬하는복수의화소영역 PX를가지도록분할되어있다. 복수의화소영역 PX로부터의신호는, 각각의광검출부 AR마다적산되어, 일차원적인광이미지에대응하는전기신호로서시계열로출력된다. 개개의화소영역 PX는, 광전변환영역내의전하의전송을촉진하는저항성게이트전극 R과전하축적영역 S2를구비하고있고, 전하축적영역 S2에는채널영역을통해서드레인영역 ARD가인접해있다.
摘要翻译：光检测部AR被分割为具有沿列方向排列的多个像素区域PX。来自多个像素区域PX的信号对于每个光电检测单元AR被累积并且以时间序列输出为对应于一维光学图像的电信号。像素区PX包括电阻栅电极R和用于促进光电转换区中电荷传输的电荷累积区S2，漏区ARD通过沟道区与电荷累积区S2接触。

6. 发明授权

KR101588907B1 고체 촬상 장치 有权
标题翻译：固态成像装置
公开(公告)号：KR101588907B1
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020107010496
申请日：2009-03-24
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 스즈키히사노리 , 요네타야스히토 , 오츠카신야 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H04N5/3692 , G01J3/2803 , H01L27/14825 , H04N5/3535
摘要： 고체촬상장치(1)는복수의광전변환부(3), 복수의제1 전송부(5), 복수의전하축적부(7), 복수의제2 전송부(9), 및시프트레지스터(11)를구비하고있다. 각광전변환부(3)는평면형상이두 개의장변과두 개의단변에의해형태가만들어지는거의직사각형상을이루는광감응영역(13)과, 광감응영역(13)의평면형상을이루는일방의단변측으로부터타방의단변측을향하는제1 방향을따라높아진전위기울기를형성하는전위기울기형성영역(15)을갖고있다. 각제1 전송부(5)는대응하는광감응영역(13)의평면형상을이루는타방의단변측에배치되어, 대응하는광감응영역(13)으로부터취득한전하를제1 방향으로전송한다. 각전하축적부(7)는대응하는제1 전송부(5)로부터전송된전하를축적한다. 이로인해, 화상처리가복잡하게되는일 없이광감응영역에발생한전하를고속으로독출하는것이가능한고체촬상장치가실현된다.

7. 发明公开

KR1020140015292A 고체 촬상 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020140015292A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020137018477
申请日：2011-10-31
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 다카기신이치로 , 요네타야스히토 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14806 , H01L27/14612 , H01L27/14825 , H04N5/355 , H04N5/37213 , H04N5/3725
摘要： 고체 촬상 장치(1)는, 광 감응 영역(15)과, 전위 구배 형성 영역(17)을 각각 가짐과 아울러, 소정의 방향에 교차하는 방향을 따르도록 병치된 복수의 광전 변환부(3)와, 광전 변환부(3)에 각각 대응하고 또한 광 감응 영역(15)의 평면 형상을 이루는 타방의 단변측에 배치되며, 대응하는 광전 변환부(3)의 광 감응 영역(15)에서 발생한 전하를 축적하는 복수의 버퍼(buffer) 게이트부(5)와, 복수의 버퍼 게이트부(5)로부터 각각 전송된 전하를 취득하고, 소정의 방향에 교차하는 방향으로 전송하여 출력하는 시프트 레지스터(9)를 구비한다. 버퍼 게이트부(5)는, 소정의 방향을 따라서 배치됨과 아울러 소정의 방향을 향해 포텐셜을 높게 하도록 소정의 전위가 각각 부여되는 적어도 두 개의 게이트 전극을 가진다.

8. 发明授权

KR100261158B1 고체촬상소자 失效
标题翻译：固态图像传感器
公开(公告)号：KR100261158B1
公开(公告)日：2000-07-01
申请号：KR1019970025231
申请日：1997-06-17
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김용관
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14825
摘要： PURPOSE: A solid state image sensor is provided to transfer easily a signal charge generated from a photo diode region to a vertical charge transfer region by enlarging a length of a transfer gate. CONSTITUTION: A solid state image sensor comprises a plurality of photo diode region(25), a charge transfer region, the first poly-gate(29), and the second poly-gate(30). The plurality of photo diode region(25) is arranged as a matrix shape. The charge transfer region is formed at one side of the photo diode region(25) in order to transfer charges generated from the photo diode region(25) to one direction. The first poly-gate(29) is formed on the charge transfer region. The second poly-gate(30) is formed on the charge transfer region. The first poly-gate(29) is insulated with the second poly-gate(30).
摘要翻译：目的：提供固态图像传感器，通过放大传输门的长度，容易地传输从光电二极管区域产生的信号电荷到垂直电荷转移区域。构成：固态图像传感器包括多个光电二极管区域（25），电荷转移区域，第一多晶硅栅极（29）和第二多晶硅栅极（30）。多个光电二极管区域（25）被布置为矩阵形状。电荷转移区域形成在光电二极管区域（25）的一侧，以便将从光电二极管区域（25）产生的电荷转移到一个方向。第一多晶硅（29）形成在电荷转移区上。第二多晶硅（30）形成在电荷转移区上。第一多晶硅栅极（29）与第二多晶硅栅极（30）绝缘。

9. 发明公开

KR1020160082682A 전하 결합 소자 및 그 제조 방법 및 고체 촬상 장치 审中-实审
标题翻译：充电耦合器件，其制造方法和固态成像元件
公开(公告)号：KR1020160082682A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020167013939
申请日：2014-10-31
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
发明人： 다카기신이치로 , 요네타야스히토 , 스즈키히사노리 , 무라마츠마사하루
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H04N5/378 , H01L27/14685 , H01L27/14812 , H01L27/14825 , H01L27/14837 , H04N5/2253 , H01L27/14806 , H01L27/14843
摘要： 개개의화소영역 PX는광전변환영역 S1과, 저항성게이트전극 R과, 제1 전송전극 T1과, 제2 전송전극 T2와, 반도체기판(10)에있어서의제1 전송전극 T1 바로아래에위치하는배리어영역 B와, 반도체기판(10)에있어서의제2 전송전극 T2 바로아래에위치하는전하축적영역 S2를구비하고있다. 배리어영역 B의불순물농도는, 전하축적영역 S2의불순물농도보다도낮고, 제1 전송전극 T1과, 제2 전송전극 T2는, 전기적으로접속되어있다.

10. 发明授权

KR101436076B1 이미지 프로세서 및 그것의 데이터 처리 방법 有权
标题翻译：图像处理器及其数据处理方法
公开(公告)号：KR101436076B1
公开(公告)日：2014-08-29
申请号：KR1020130034701
申请日：2013-03-29
申请人： 한국과학기술원
发明人： 양경훈 , 양동주
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/357
CPC分类号： H04N5/3577 , H01L27/14643 , H01L27/14825
摘要： An image processor and a data processing method thereof are disclosed. Junction capacitance of a photo sensing element included in the image sensor can vary depending on a voltage of both ends of photo sensing element. The image processor according to an embodiment of the present invention can compensate for source data output by an image sensor by a capacity correction constant calculated by reflecting a change in the junction capacitance when a gate voltage of a transfer transistor connected to the photo sensing element varies.
摘要翻译：公开了一种图像处理器及其数据处理方法。包括在图像传感器中的感光元件的结电容可以根据光敏元件的两端的电压而变化。根据本发明的实施例的图像处理器可以通过当连接到感光元件的传输晶体管的栅极电压变化时通过反映结电容的变化而计算的电容校正常数来补偿由图像传感器输出的源数据。

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