고체 촬상 장치

专利标题： 고체 촬상 장치
专利标题（英）：Solid imaging device
专利标题（中）：固体成像装置
申请号：KR1020117014324 申请日：2010-03-25
公开(公告)号：KR1020120011838A 公开(公告)日：2012-02-08
发明人： 스즈키히사노리 , 요네타야스히토 , 마에타겐타로 , 무라마츠마사하루
申请人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
申请人地址： ****-*, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka, Japan
专利权人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
当前专利权人： 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤
当前专利权人地址： ****-*, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka, Japan
代理人： 특허법인태평양
优先权： JPJP-P-2009-089157 2009-04-01
国际申请： PCT/JP2010/055239 2010-03-25
国际公布： WO2010113760 2010-10-07
主分类号： H01L27/148
IPC分类号： H01L27/148 ; H04N5/359 ; H04N5/372

摘要：

고체 촬상 장치(1)에 있어서, 오버플로우 게이트(OFG; 5)가 소정의 전기 저항값을 가지고 전압 인가부(16
1 ~16
5 )가 접속부(17
1 ~17
5 )에서 OFG(5)와 전기적으로 접속되고 있다. 그 때문에, 전압 인가부(16
1 ~16
5 )에 의해 접속부(17
1 ~17
5 )에 인가되는 전압값 V1~V5를 조정함으로써, OFG(5)의 전단측 부분에 생기는 전압값을 높이고, OFG(5)의 후단측 부분에 생기는 전압값을 낮출 수 있다. 그 결과, OFG(5)의 전단측 부분에서 배리어 레벨(포텐셜)이 낮아지고 OFG(5)의 후단측 부분에서 배리어 레벨이 높아지므로, 광전 변환부(2)의 전단측 영역에서 발생한 전하 모두를 오버플로우 드레인(OFD; 4)에 유출시키고, 광전 변환부(2)의 후단측 영역에서 발생한 전하만을 TDI 전송할 수 있다.

摘要（中）：

在固态成像装置1中，溢出门（OFG）5具有预定的电阻值，而电压施加单元16至16 5在连接部分17 1至17 5处与OFG 5电连接。因此，在通过施加电压单元16 1〜16 5对连接部17 1〜17 5施加电压值V1〜V5的情况下，OFG5分别在其较早阶段和后期部分产生较高和较低的电压值。结果，在较早阶段和较后阶段部分中的势垒级（电位）变得越来越高，使得可以使在光电转换单元2的较早级侧区域中产生的所有电荷流出到溢出漏极（OFD）4，由此只能在光电转换单元2的后级侧区域中产生的电荷被TDI转印。

摘要（英）：

In the solid-state imaging device 1, the overflow gate (OFG; 5) applying a voltage having a predetermined electrical resistance value unit (16 ₁ to 16 ₅₎ the connecting portion (17 ₁ ~ 17 ₅₎ OFG (5) in the it is electrically connected. Therefore, the voltage applied portion by (16 ₁ to 16 ₅₎ connecting portion (17 ₁ to 17 ₅₎ for adjusting the voltage value V1 ~ V5 applied by the boost voltage is generated in the front end portion of the OFG (5), can lower the voltage value generated in the rear end portion of the OFG (5). As a result, the barrier level (potential) at the front end portion of the OFG (5) is low will improve the barrier level at the rear end side portion of the OFG (5), both the charges generated in the front end area of the photoelectric conversion part (2) overflow drain (OFD; 4) and the outlet, can only charges generated in the rear end area of the photoelectric conversion part (2) to transfer TDI.

KR101668130B1 고체 촬상 장치 公开/授权日：2016-10-20

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--------H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
----------H01L27/144	..由辐射控制的器件
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