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1. 发明公开

KR1020150119814A FINFET 디바이스를 위한 방법 및 구조체 有权
标题翻译： FINFET器件的方法和结构
公开(公告)号：KR1020150119814A
公开(公告)日：2015-10-26
申请号：KR1020150053099
申请日：2015-04-15
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 칭쿠오-쳉 , 풍카-힝 , 창치-셍 , 우지키앙
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02532 , H01L21/30604 , H01L21/311 , H01L21/31144 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L27/0922 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66803 , H01L29/6681 , H01L29/66818 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7853
摘要： 본개시는핀형전계효과트랜지스터(FinFET)를제조하는방법을제공한다. 이방법은기판위에제1 핀구조체를형성하는단계, n타입 FET 영역의제1 게이트영역에서제1 핀구조체를노출하기위해기판위에패턴화된산화하드마스크(oxidation-hard-mask, OHM)를형성하는단계, 제1 게이트영역의제1 핀구조체의중간부위에반도체산화물피처를형성하는단계, PFET 영역에제2 핀구조체를형성하는단계, 더미게이트들을형성하는단계, 소스/드레인(S/D) 피처들을형성하는단계, 더미게이트들을 NFET 영역의제1 하이-k/금속게이트(HK/MG) 및 PFET 영역의제2 HK/MG로대체하는단계를포함한다.
摘要翻译：本公开提供了一种制造鳍状场效应晶体管（FinFET）的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成第一鳍结构; 在衬底上形成图案化的氧化 - 硬掩模（OHM），以暴露n型FET区域的第一栅极区域中的第一鳍结构; 在所述第一栅极区域中的所述第一鳍结构的中间部分中形成半导体氧化物特征; 在PFET区域中形成第二鳍结构; 形成虚拟门; 形成源/漏（S / D）特征; 并且通过NFET区域中的第一高k /金属栅极（HK / MG）和PFET区域中的第二HK / MG替换伪栅极。

2. 发明公开

KR1020140042622A 반도체 소자를 위한 소스/드레인 스택 스트레서 有权
标题翻译：用于半导体器件的源/漏堆叠应力
公开(公告)号：KR1020140042622A
公开(公告)日：2014-04-07
申请号：KR1020120153330
申请日：2012-12-26
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 우지키앙 , 창관신 , 칭쿼-쳉 , 수춘충 , 주쉬닝
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7848
摘要： The present invention provides a semiconductor device. The semiconductor device includes a substrate, a fin structure made of a first semiconductor material, a gate region which is formed on a part of a fin, a source region and a drain region which are separated by the gate region on the substrate, and a source/drain stack which is formed on the source and drain regions. The lower part of the source/drain stack is formed by a second semiconductor material and touches the lower part of the fin in the gate region. The upper part of the source/drain stack is formed with a third semiconductor material and touches the upper part of the fin in the gate region. [Reference numerals] (102) Provide a substrate including a first fin and a separation region; (104) Recess the first fin; (106) Deposit a first semiconductor material on the recessed first fin; (108) Form a second fin on the recessed first fin; (110) Form a gate stack on a gate region of the second fin; (112) Form a source/drain region by recessing the second fin; (114) Deposit a second semiconductor material on the source/drain region; (116) Deposit a third semiconductor material on the second semiconductor material in the source/drain region
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件。半导体器件包括衬底，由第一半导体材料制成的鳍结构，形成在鳍片的一部分上的栅极区域，源极区域和漏极区域，其被衬底上的栅极区域分离，以及源极/漏极堆叠，其形成在源极和漏极区域上。源极/漏极叠层的下部由第二半导体材料形成并在栅极区域中接触鳍片的下部。源极/漏极叠层的上部由第三半导体材料形成，并在栅极区域中接触鳍片的上部。（102）提供包括第一翅片和分离区域的基板; （104）将第一鳍嵌入; （106）将第一半导体材料沉积在凹进的第一鳍上; （108）在凹进的第一翅片上形成第二鳍片; （110）在第二鳍片的栅极区域上形成栅极叠层; （112）通过使第二鳍片凹陷来形成源极/漏极区域; （114）在源/漏区上沉积第二半导体材料; （116）在源极/漏极区域中的第二半导体材料上沉积第三半导体材料

3. 发明授权

KR101707730B1 FINFET 디바이스를 위한 방법 및 구조체 有权
标题翻译： FINFET FinFET器件的方法和结构
公开(公告)号：KR101707730B1
公开(公告)日：2017-02-27
申请号：KR1020150053099
申请日：2015-04-15
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 칭쿠오-쳉 , 풍카-힝 , 창치-셍 , 우지키앙
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/02236 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02532 , H01L21/30604 , H01L21/311 , H01L21/31144 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823842 , H01L27/0922 , H01L29/0673 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66803 , H01L29/6681 , H01L29/66818 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7853
摘要： 본개시는핀형전계효과트랜지스터(FinFET)를제조하는방법을제공한다. 이방법은기판위에제1 핀구조체를형성하는단계, n타입 FET 영역의제1 게이트영역에서제1 핀구조체를노출하기위해기판위에패턴화된산화하드마스크(oxidation-hard-mask, OHM)를형성하는단계, 제1 게이트영역의제1 핀구조체의중간부위에반도체산화물피처를형성하는단계, PFET 영역에제2 핀구조체를형성하는단계, 더미게이트들을형성하는단계, 소스/드레인(S/D) 피처들을형성하는단계, 더미게이트들을 NFET 영역의제1 하이-k/금속게이트(HK/MG) 및 PFET 영역의제2 HK/MG로대체하는단계를포함한다.
摘要翻译：本公开提供了一种制造鳍状场效应晶体管（FinFET）的方法。该方法包括在衬底上形成第一鳍片结构，在衬底上形成图案化氧化 - 硬掩模（OHM），以暴露n型FET区域的第一栅极区域中的第一鳍结构，形成半导体氧化物特征在第一栅极区域的第一鳍结构的中间部分中，在PFET区域中形成第二鳍结构，形成虚拟栅极，形成源极/漏极（S / D）特征，用第一高k /金属栅极（HK / MG）和PFET区域中的第二HK / MG。

4. 发明授权

KR101438290B1 반도체 소자를 위한 소스/드레인 스택 스트레서 有权
标题翻译：用于半导体器件的源/漏堆叠应力
公开(公告)号：KR101438290B1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：KR1020120153330
申请日：2012-12-26
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 우지키앙 , 창관신 , 칭쿼-쳉 , 수춘충 , 주쉬닝
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 본 발명은 반도체 소자를 제공한다. 반도체 소자는 기판과, 제1 반도체 물질에 의해 형성되는 핀 구조물과, 핀의 일부 상에 형성된 게이트 영역과, 기판 상에서 게이트 영역에 의해 분리되는 소스 영역 및 드레인 영역과, 소스 및 드레인 영역 상에 형성된 소스/드레인 스택을 포함한다. 소스/드레인 스택의 하부 부분은 제2 반도체 물질에 의해 형성되고 게이트 영역 내에서 핀의 하부 부분과 접촉한다. 소스/드레인 스택의 상부 부분은 제3 반도체 물질로 형성되고 게이트 영역 내에서 핀의 상부 부분과 접촉한다.

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