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1. 发明公开

KR1020100050513A 파장 변환, 파장 변조 반도체 레이저에서의 정렬 방법 无效
标题翻译：波长转换波长调制半导体激光器中的对准方法
公开(公告)号：KR1020100050513A
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020107003631
申请日：2008-07-18
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 알모릭,에티엔느 , 바티아,빅람 , 골리어,잭큐어스 , 피쿨라,드라간 , 릭케츠,다니엘오
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/0622 , G02F1/377 , G02F2001/3546 , H01S5/0687
摘要： Methods of controlling semiconductor lasers are provided where the semiconductor laser generates a wavelength-modulated output beam λthat is directed towards the input face of a wavelength conversion device. The intensity of a wavelength-converted output λof the device is monitored as the output beam of the laser is modulated and as the position of the modulated output beam λon the input face of the wavelength conversion device is varied. A maximum value of the monitored intensity is correlated with optimum coordinates representing the position of the modulated output beam λon the input face of the wavelength conversion device. The optical package is operated in the data projection mode by directing an intensity-modulated laser beam from the semiconductor laser to the wavelength conversion device using the optimum positional coordinates. Additional embodiments are disclosed and claimed. Laser controllers and projections systems are also provided.
摘要翻译：提供了控制半导体激光器的方法，其中半导体激光器产生波长调制输出光束λ，其指向波长转换器件的输入面。当激光器的输出光束被调制并且随着波长转换器件的输入面的调制输出光束λ的位置变化时，监视器件的波长转换输出λ的强度。所监视的强度的最大值与表示波长转换装置的输入面的调制输出光束λ的位置的最佳坐标相关。通过使用最佳位置坐标将来自半导体激光器的强度调制激光束引导到波长转换装置，以数据投影模式操作光学封装。公开并要求保护附加实施例。还提供激光控制器和投影系统。

2. 发明公开

KR1020090081399A 레이저 투사 시스템용 반도체 레이저에서의 파장 제어 无效
标题翻译：用于激光投射系统的半导体激光器的波长控制
公开(公告)号：KR1020090081399A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020097010067
申请日：2007-10-11
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바티아,빅람 , 졸리아,잭퀴즈 , 휴,마틴,에이치 , 로버,데이비드,에이 , 릭케츠,다니엘,오 , 자,충-엔
IPC分类号： H01S5/042 , H01S5/068
CPC分类号： H04N9/3129
摘要： The present invention relates generally to semiconductor lasers and laser scanning systems and, more particularly, to schemes for controlling wavelength in semiconductor lasers. According to one embodiment of the present invention, a method of minimizing laser wavelength variations in a semiconductor laser is provided. According to the method, one or more of the laser drive currents is configured to comprise a drive portion and a wavelength recovery portion. The wavelength recovery portion of the drive current comprises a recovery amplitude IR that is distinct from the drive amplitude ID and a recovery duration tR that is less than the drive duration to. The recovery amplitude IR and duration tR are sufficient to recover carrier density distribution distorted by gain compression effects prior to recovery. Additional embodiments are disclosed and claimed.
摘要翻译：本发明一般涉及半导体激光器和激光扫描系统，更具体地，涉及用于控制半导体激光器中的波长的方案。根据本发明的一个实施例，提供了一种使半导体激光器中的激光波长变化最小化的方法。根据该方法，一个或多个激光驱动电流被配置为包括驱动部分和波长恢复部分。驱动电流的波长恢复部分包括与驱动振幅ID不同的恢复幅度IR和小于驱动持续时间的恢复持续时间tR。恢复幅度IR和持续时间tR足以恢复在恢复之前由增益压缩效应失真的载流子密度分布。公开并要求保护附加实施例。

3. 发明授权

KR101399708B1 반도체 레이저의 파장 선택, 위상, 및 이득 영역에서의 파장 조절 有权
标题翻译：半导体激光器波长选择，相位和增益区域的波长控制
公开(公告)号：KR101399708B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020097010051
申请日：2007-10-11
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바티아,빅람 , 졸리아,잭퀴즈 , 휴,마틴,에이치. , 로버,데이비드,에이. , 릭케츠,다니엘,오.
IPC分类号： G02B26/10 , H01S5/0625 , G03B21/00
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0092 , H01S5/06246 , H01S5/06832 , H01S5/0687 , H04N9/3129
摘要： 본 발명의 특정 실시예들은 일반적으로 반도체 레이저와 레이저 주사 시스템에 관한 것으로 특히, 반도체 레이저 제어를 위한 구성에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따르면, 레이저는 암호화된 데이터의 광 발산을 위해 구성된다. 적어도 하나의 광 발산 파라미터는 반도체 레이저(10)의 이득부(16)에 주입된 구동 전류(I
GAIN )와 하나 또는 그 이상의 추가 구동 전류들(I/V
PHASE , I/V
DBR )의 함수이다. 반도체 레이저에서의 모드 선택은 반도체 레이저(10)에서 모드 선택을 바꾸기 위한 섭동신호(I/V
PTRB )와 함께 적어도 하나의 추가 구동 전류(I/V
PHASE , I/V
DBR )의 섭동에 의해 변경되므로 서로 다른 복수의 발산 모드들은 목표 발산 주기 동안 반도체 레이저(10)에서 선택된다. 이러한 방법으로, 레이저의 파장 또는 강도 특성에서 패턴화된 변화는 레이저의 출력에서 즉시 눈에 보일 수 있는 패턴화된 결함을 속이기 위해 섭동된다.
투사 시스템, 섭동

4. 发明公开

KR1020090091131A 반도체 레이저의 파장 선택, 위상, 및 이득 영역에서의 파장 조절 有权
标题翻译：波长范围内的波长选择，相位和增益区域的波长控制
公开(公告)号：KR1020090091131A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：KR1020097010051
申请日：2007-10-11
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바티아,빅람 , 졸리아,잭퀴즈 , 휴,마틴,에이치. , 로버,데이비드,에이. , 릭케츠,다니엘,오.
IPC分类号： G02B26/10 , H01S5/0625 , G03B21/00
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0092 , H01S5/06246 , H01S5/06832 , H01S5/0687 , H04N9/3129
摘要： Particular embodiments of the present invention relate generally to semiconductor lasers and laser scanning systems and, more particularly, to schemes for controlling semiconductor lasers. According to one embodiment of the present invention, a laser is configured for optical emission of encoded data. At least one parameter of the optical emission is a function of a drive current IGAIN injected into the gain section (16) of the semiconductor laser (10) and one or more additional drive currents IPHASE, IDBR. Mode selection in the semiconductor laser is altered by perturbing at least one of the additional drive currents IPHASE, IDBR witn a perturbation signal IPTRB to alter mode selection in the semiconductor laser (10) such that a plurality of different emission modes are selected in the semiconductor laser (10) over a target emission period. In this manner, patterned variations in the wavelength or intensity profile of the laser can be disrupted to disguise patterned flaws that would otherwise be readily noticeable in the output of the laser. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：本发明的具体实施方案一般涉及半导体激光器和激光扫描系统，更具体地，涉及用于控制半导体激光器的方案。根据本发明的一个实施例，激光器被配置用于光发射编码数据。光发射的至少一个参数是注入到半导体激光器（10）的增益部分（16）中的驱动电流IGAIN和一个或多个额外的驱动电流IPHASE，IDBR的函数。通过扰乱扰动信号IPTRB中的附加驱动电流IPHASE，IDBR中的至少一个来改变半导体激光器中的模式选择，以改变半导体激光器（10）中的模式选择，使得在半导体激光器（10）中选择多个不同的发射模式激光（10）在目标发射周期。以这种方式，可以破坏激光器的波长或强度分布的图案变化来伪装图案化的缺陷，否则在激光器的输出中将容易看出。 ®KIPO＆WIPO 2009

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