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1. 发明授权

KR101399708B1 반도체 레이저의 파장 선택, 위상, 및 이득 영역에서의 파장 조절 有权
标题翻译：半导体激光器波长选择，相位和增益区域的波长控制
公开(公告)号：KR101399708B1
公开(公告)日：2014-05-27
申请号：KR1020097010051
申请日：2007-10-11
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바티아,빅람 , 졸리아,잭퀴즈 , 휴,마틴,에이치. , 로버,데이비드,에이. , 릭케츠,다니엘,오.
IPC分类号： G02B26/10 , H01S5/0625 , G03B21/00
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0092 , H01S5/06246 , H01S5/06832 , H01S5/0687 , H04N9/3129
摘要： 본 발명의 특정 실시예들은 일반적으로 반도체 레이저와 레이저 주사 시스템에 관한 것으로 특히, 반도체 레이저 제어를 위한 구성에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따르면, 레이저는 암호화된 데이터의 광 발산을 위해 구성된다. 적어도 하나의 광 발산 파라미터는 반도체 레이저(10)의 이득부(16)에 주입된 구동 전류(I
GAIN )와 하나 또는 그 이상의 추가 구동 전류들(I/V
PHASE , I/V
DBR )의 함수이다. 반도체 레이저에서의 모드 선택은 반도체 레이저(10)에서 모드 선택을 바꾸기 위한 섭동신호(I/V
PTRB )와 함께 적어도 하나의 추가 구동 전류(I/V
PHASE , I/V
DBR )의 섭동에 의해 변경되므로 서로 다른 복수의 발산 모드들은 목표 발산 주기 동안 반도체 레이저(10)에서 선택된다. 이러한 방법으로, 레이저의 파장 또는 강도 특성에서 패턴화된 변화는 레이저의 출력에서 즉시 눈에 보일 수 있는 패턴화된 결함을 속이기 위해 섭동된다.
투사 시스템, 섭동

2. 发明公开

KR1020090091131A 반도체 레이저의 파장 선택, 위상, 및 이득 영역에서의 파장 조절 有权
标题翻译：波长范围内的波长选择，相位和增益区域的波长控制
公开(公告)号：KR1020090091131A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：KR1020097010051
申请日：2007-10-11
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 바티아,빅람 , 졸리아,잭퀴즈 , 휴,마틴,에이치. , 로버,데이비드,에이. , 릭케츠,다니엘,오.
IPC分类号： G02B26/10 , H01S5/0625 , G03B21/00
CPC分类号： H01S5/06256 , H01S5/0092 , H01S5/06246 , H01S5/06832 , H01S5/0687 , H04N9/3129
摘要： Particular embodiments of the present invention relate generally to semiconductor lasers and laser scanning systems and, more particularly, to schemes for controlling semiconductor lasers. According to one embodiment of the present invention, a laser is configured for optical emission of encoded data. At least one parameter of the optical emission is a function of a drive current IGAIN injected into the gain section (16) of the semiconductor laser (10) and one or more additional drive currents IPHASE, IDBR. Mode selection in the semiconductor laser is altered by perturbing at least one of the additional drive currents IPHASE, IDBR witn a perturbation signal IPTRB to alter mode selection in the semiconductor laser (10) such that a plurality of different emission modes are selected in the semiconductor laser (10) over a target emission period. In this manner, patterned variations in the wavelength or intensity profile of the laser can be disrupted to disguise patterned flaws that would otherwise be readily noticeable in the output of the laser. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：本发明的具体实施方案一般涉及半导体激光器和激光扫描系统，更具体地，涉及用于控制半导体激光器的方案。根据本发明的一个实施例，激光器被配置用于光发射编码数据。光发射的至少一个参数是注入到半导体激光器（10）的增益部分（16）中的驱动电流IGAIN和一个或多个额外的驱动电流IPHASE，IDBR的函数。通过扰乱扰动信号IPTRB中的附加驱动电流IPHASE，IDBR中的至少一个来改变半导体激光器中的模式选择，以改变半导体激光器（10）中的模式选择，使得在半导体激光器（10）中选择多个不同的发射模式激光（10）在目标发射周期。以这种方式，可以破坏激光器的波长或强度分布的图案变化来伪装图案化的缺陷，否则在激光器的输出中将容易看出。 ®KIPO＆WIPO 2009

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