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1. 发明授权

KR101717268B1 검사 유도 오버레이 메트롤러지 有权
公开(公告)号：KR101717268B1
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020127020378
申请日：2011-01-07
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 창엘리스 , 비트만아미르 , 박알렌
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/95 , G01N21/956 , G03F7/20 , G01N21/88
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/95607 , G01N2021/8822 , G03F7/70633 , G03F7/7065 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 검사유도오버레이메트롤러지는반도체웨이퍼상의미리설정된패턴을식별하기위하여패턴검색을수행하는단계; 반도체웨이퍼상의미리설정된패턴의모든인스턴스들에대한관리영역을생성하는단계; 생성된관리영역들각각의검사스캔 - 상기검사스캔은낮은쓰레숄드검사스캔또는고감도검사스캔을포함함 - 을수행함으로써생성된관리영역들내에서결함을식별하는단계; 결함검사기술을활용하여선택된오버레이스펙보다큰 측정오버레이에러를갖는반도체웨이퍼의미리설정된패턴의오버레이사이트들을식별하는단계; 결함들이식별된오버레이사이트들에근접해있는하나또는그 이상의위치들을식별하기위해, 생성된관리영역의식별된결함들의위치데이터를상기생성된관리영역내의식별된오버레이사이트들의위치데이터와비교하는단계; 및식별된위치들에기초하여메트롤러지샘플링플랜을생성하는단계를포함한다.

2. 发明授权

KR101834608B1 웨이퍼 결함들에 대한 설계 좌표들 결정 有权
公开(公告)号：KR101834608B1
公开(公告)日：2018-03-05
申请号：KR1020147009402
申请日：2012-09-12
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 창엘리스 , 반리에트마이클 , 박알렌 , 자파쿠르람 , 바타차야산토쉬
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/001 , G06T7/74 , G06T2207/30148
摘要： 웨이퍼상에서검출된결함들에대한설계좌표들을결정하기위한방법및 시스템이제공된다. 하나의방법은, 검사툴에의해웨이퍼상의복수의스와스들에서검출된결함들에대한결함검토툴 이미지들에웨이퍼에대한설계를정렬하고, 정렬의결과에기초하여설계좌표들로결함들각각의위치를결정하고, 결함들각각이검출된스와스(스와스보정계수), 결함들각각에대한설계좌표들, 및검사툴에의해결정된결함들각각에대한위치에기초하여복수의스와스들각각에대한결함위치오프셋을개별적으로결정하고, 검사툴에의해복수의스와스들에서검출된다른결함들에적합한스와스보정계수를적용함으로써이들다른결함들에대한설계좌표들을결정하는것을포함한다.

3. 发明公开

KR1020150036789A 웨이퍼 검사 방법 및/또는 웨이퍼 상에 형성되는 디바이스의 하나 이상의 특징을 예측하는 방법 审中-实审
标题翻译：检查WAFER和/或预测在WAFER上形成的设备的一个或多个特性
公开(公告)号：KR1020150036789A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020157005345
申请日：2013-08-01
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 마쿠치리지노 , 위드만아미르 , 창엘리스 , 로빈슨존 , 박알렌
IPC分类号： G01N21/95 , G01N21/956 , G06T7/00 , H01L21/66 , H01L21/027
CPC分类号： G06T7/0004 , G06T7/001 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148 , G01N21/9501 , G01N21/95607 , H01L21/0274 , H01L22/12
摘要： 웨이퍼를검사하기위한방법및 웨이퍼상에형성되는디바이스의하나이상의특징을예측하는방법이제공된다. 하나방법은, 웨이퍼상에프린트된복수의다이에대한영상을획득하는단계로서, 상기복수의다이의각각은웨이퍼상에이중패터닝리소그래피프로세스를수행함으로써프린트되며, 복수의다이는, 이중패터닝리소그래피프로세스에대한오버레이의공칭값들로프린트된 2개이상의다이및 오버레이의변조된값들로프린트된하나이상의다이를구비하는것인복수의다이에대한영상을획득하는단계와, 공칭값들로프린트된복수의다이에대하여획득된영상을변조된값들로프린트된복수의다이에대하여획득된영상과비교하는단계와, 비교단계의결과에기초하여변조된값들로프린트된상기복수의다이에서의결함을검출하는단계를포함한다.

4. 发明公开

KR1020140033463A 결함 관련 애플리케이션에 대한 3차원 표현 사용 审中-实审
标题翻译：使用缺陷相关应用的三维表示法
公开(公告)号：KR1020140033463A
公开(公告)日：2014-03-18
申请号：KR1020137034779
申请日：2012-06-06
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 박알렌 , 창엘리스 , 아지프라산트에이 , 랑게스티브알
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06F17/5068 , G01N21/9501 , G06F17/50 , G06F17/5009 , G06F2217/12 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 결함 관련 애플리케이션에 대하여 3차원 표현을 사용하는 다양한 실시예들이 제공된다.
摘要翻译：提供了用于缺陷相关应用的三维表示的各种实施例。

5. 发明授权

KR101931834B1 설계 기반 소자 위험성 평가 有权
公开(公告)号：KR101931834B1
公开(公告)日：2018-12-24
申请号：KR1020137024554
申请日：2012-02-20
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 박알렌 , 진유성 , 조성찬 , 사빌배리
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/66
摘要： 본 발명은 소자의 설계 데이터를 이용하여 다수의 관심 패턴들을 정의하는 단계; 상기 관심 패턴들(POIs) 각각과 연관된 설계 데이터를 포함하는 설계 기반 분류(DBC) 데이터베이스를 생성하는 단계; 하나 이상의 검사 결과를 수신하는 단계; 상기 검사 결과에서 상기 관심 패턴들 중 적어도 하나의 발생을 식별하기 위하여 상기 하나 이상의 검사 결과와 상기 복수의 관심 패턴들 각각을 비교하는 단계; 공정 수율 데이터를 이용하여 각 관심 패턴의 수율 영향을 결정하는 단계; 상기 소자의 하나 이상의 공정 익스커션을 식별하기 위하여 상기 관심 패턴들 각각의 발생 빈도와 상기 관심 패턴들의 임계도를 모니터링하는 단계; 및 상기 소자의 설계 데이터를 이용하여 정의되는 임계 다각형 각각에 대한 발생 빈도와 상기 임계 다각형 각각에 대한 임계도를 이용하여 상기 소자에 대한 정규화된 다각형 빈도를 계산함으로써 소자 위험 수준을 결정하는 단계를 포함한다.

6. 发明公开

KR1020140049514A 설계 기반 소자 위험성 평가 审中-实审
标题翻译：基于设计的设备风险评估
公开(公告)号：KR1020140049514A
公开(公告)日：2014-04-25
申请号：KR1020137024554
申请日：2012-02-20
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 박알렌 , 진유성 , 조성찬 , 사빌배리
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , G01N21/95607 , G01N2021/8883 , G05B19/41875 , G05B2219/32182 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , Y02P90/22 , Y02P90/265 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 소자의 설계 데이터를 이용하여 다수의 관심 패턴들을 정의하는 단계; 상기 관심 패턴들(POIs) 각각과 연관된 설계 데이터를 포함하는 설계 기반 분류(DBC) 데이터베이스를 생성하는 단계; 하나 이상의 검사 결과를 수신하는 단계; 상기 검사 결과에서 상기 관심 패턴들 중 적어도 하나의 발생을 식별하기 위하여 상기 하나 이상의 검사 결과와 상기 복수의 관심 패턴들 각각을 비교하는 단계; 공정 수율 데이터를 이용하여 각 관심 패턴의 수율 영향을 결정하는 단계; 상기 소자의 하나 이상의 공정 편위를 식별하기 위하여 상기 관심 패턴들 각각의 발생 빈도와 상기 관심 패턴들의 임계도를 모니터링하는 단계; 및 상기 소자의 설계 데이터를 이용하여 정의되는 임계 다각형 각각에 대한 발생 빈도와 상기 임계 다각형 각각에 대한 임계도를 이용하여 상기 소자에 대한 정규화된 다각형 빈도를 계산함으로써 소자 위험 수준을 결정하는 단계를 포함한다.

7. 发明公开

KR1020120125273A 검사 유도 오버레이 메트롤러지 有权
标题翻译：检查指导覆盖度量
公开(公告)号：KR1020120125273A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020127020378
申请日：2011-01-07
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 창엘리스 , 비트만아미르 , 박알렌
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/95 , G01N21/956 , G03F7/20 , G01N21/88
CPC分类号： G01N21/9501 , G01N21/95607 , G01N2021/8822 , G03F7/70633 , G03F7/7065 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L22/00 , H01L2924/00
摘要： 검사 유도 오버레이 메트롤러지는 반도체 웨이퍼 상의 미리 설정된 패턴을 식별하기 위하여 패턴 검색을 수행하는 단계; 반도체 웨이퍼 상의 미리 설정된 패턴의 모든 인스턴스들에 대한 관리 영역을 생성하는 단계; 생성된 관리 영역들 각각의 검사 스캔 - 상기 검사 스캔은 낮은 쓰레숄드 검사 스캔 또는 고감도 검사 스캔을 포함함 - 을 수행함으로써 생성된 관리 영역들 내에서 결함을 식별하는 단계; 결함 검사 기술을 활용하여 선택된 오버레이 스펙보다 큰 측정 오버레이 에러를 갖는 반도체 웨이퍼의 미리 설정된 패턴의 오버레이 사이트들을 식별하는 단계; 결함들이 식별된 오버레이 사이트들에 근접해 있는 하나 또는 그 이상의 위치들을 식별하기 위해, 생성된 관리 영역의 식별된 결함들의 위치 데이터를 상기 생성된 관리 영역내의 식별된 오버레이 사이트들의 위치 데이터와 비교하는 단계; 및 식별된 위치들에 기초하여 메트롤러지 샘플링 플랜을 생성하는 단계를 포함한다.

8. 发明公开

KR1020140061506A 웨이퍼 결함들에 대한 설계 좌표들 결정 审中-实审
标题翻译：确定缺陷的设计坐标
公开(公告)号：KR1020140061506A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020147009402
申请日：2012-09-12
申请人： 케이엘에이-텐코 코포레이션
发明人： 창엘리스 , 반리에트마이클 , 박알렌 , 자파쿠르람 , 바타차야산토쉬
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/001 , G06T7/74 , G06T2207/30148
摘要： 웨이퍼 상에서 검출된 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 하나의 방법은, 검사 툴에 의해 웨이퍼 상의 복수의 스와스들에서 검출된 결함들에 대한 결함 검토 툴 이미지들에 웨이퍼에 대한 설계를 정렬하고, 정렬의 결과에 기초하여 설계 좌표들로 결함들 각각의 위치를 결정하고, 결함들 각각이 검출된 스와스(스와스 보정 계수), 결함들 각각에 대한 설계 좌표들, 및 검사 툴에 의해 결정된 결함들 각각에 대한 위치에 기초하여 복수의 스와스들 각각에 대한 결함 위치 오프셋을 개별적으로 결정하고, 검사 툴에 의해 복수의 스와스들에서 검출된 다른 결함들에 적합한 스와스 보정 계수를 적용함으로써 이들 다른 결함들에 대한 설계 좌표들을 결정하는 것을 포함한다.
摘要翻译：提供了用于确定在晶片上检测到的缺陷的设计坐标的方法和系统。一种方法包括对准晶片的设计以通过检查工具对晶片上的多个条带中检测到的缺陷来检查工具图像，基于对准的结果确定每个缺陷在设计坐标中的位置，分别确定缺陷基于检测到每个缺陷的条带（条纹校正因子），每个缺陷的设计坐标以及由检查工具确定的每个缺陷的位置，针对每个多个条带的位置偏移，以及通过对这些缺陷应用适当的条纹校正因子来确定检测工具在多个条中检测到的其他缺陷的设计坐标。

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