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热词
    • 5. 发明公开
    • 패턴화된 웨이퍼 기하학적 형상 측정을 사용한 프로세스 유도 비대칭 검출, 정량화, 및 제어
    • 使用图案化晶圆几何测量的过程诱导不对称检测,量化和控制
    • KR20180011357A
    • 2018-01-31
    • KR20187002047
    • 2016-06-08
    • H01L21/66H01L21/027
    • G06F17/5081G03F1/44G03F7/705G03F7/70633G06F17/5068G06F2217/12Y02P90/265
    • 패턴화된웨이퍼기하학적형상측정치를사용하여프로세스유도비대칭시그니쳐를검출, 정량화및 제어하기위한시스템및 방법이개시된다. 상기시스템은, 웨이퍼가제조프로세스를거치기이전에웨이퍼의웨이퍼기하학적형상측정치의제1 세트를획득하도록그리고제조프로세스이후에웨이퍼의웨이퍼기하학적형상측정치의제2 세트를획득하도록구성되는기하학적형상측정툴(geometry measurement tool)을포함할수도있다. 시스템은또한기하학적형상측정툴과통신하는프로세서를포함할수도있다. 프로세서는: 웨이퍼기하학적형상측정치의제1 세트및 웨이퍼기하학적형상측정치의제2 세트에기초하여기하학적형상변화맵을계산하도록; 제조프로세스에의해웨이퍼기하학적형상에대해유도되는비대칭성분을검출하기위해형상변화맵을분석하도록; 웨이퍼기하학적형상에서검출되는비대칭성분에기초하여제조프로세스에의해유도되는비대칭오버레이에러를추정하도록구성될수도있다.
    • 公开了使用图案化晶圆几何形状测量来检测,量化和控制工艺诱导的不对称签名的系统和方法。 该系统包括:一晶片的制造工艺要经过预先获得第一组晶片的晶片几何测量的,并且被配置在晶片的测量的处理之后,以获得第二组晶片的几何形状的测量工具的制造几何形状( 几何测量工具)。 该系统还可以包括与几何形状测量工具通信的处理器。 其中,所述处理器还被配置为:基于所述第一组晶片几何形状测量结果和所述第二组晶片几何形状测量结果来计算几何形状变化图; 分析形状变化图以检测由晶片几何形状的制造过程引起的不对称分量; 并且可以被配置为基于在晶片几何结构中检测到的不对称分量来估计由制造过程引起的不对称重叠误差。
    • 6. 发明授权
    • 신속 시제품 제작 공정 및 장치
    • 快速原型制造过程和设备
    • KR101821844B1
    • 2018-01-24
    • KR1020137012407
    • 2011-10-14
    • 프로드웨이즈
    • 알라닉안드레-루크
    • G06F17/50
    • G06F17/50B29C64/386B33Y40/00B33Y50/02G06F2217/12Y02P90/265
    • 본발명은, 제품을생산하기위한방법에관한것이며, 여기서포인트가, 전형적으로는생산될제품또는생산될제품의일부분또는층 또는슬라이스(slice)에해당되는객체의내부또는외부에있는지를결정하는것이시도되는작동포인트(11, 30)에있어서, 하기의단계가각각의작동포인트(11, 30)에대해실행되는것으로서, 상기방법은, 상기작동포인트에대해단독으로전용하는카운터에관련된작동포인트들(11, 30)을통과하는선(12) 및상기작동포인트에대해단독으로전용하는카운터에관련된작동포인트의영상(31)을통과하는선 중에서적어도하나의선을결정하는단계; 상기기본표면들각각에서, (i)상기기본표면(15)과, 상기작동포인트(11;30)를통과하는선(12) 및상기작동포인트의영상(31)을통과하는선으로된 선들중의하나와의사이의교차를검색하고, (ii) 상기교차가존재하면상기카운터를변경하며, 상기단계 (i) 및 (ii)는반복수행되는단계; 상기작동포인트(11;30)에대해단독으로전용하는카운터의함수로써상기작동포인트가상기객체의내부또는외부에있는지를결정하는단계를포함한다. 이발명은신속시제품제작 (rapid prototyping) 및스테레오리소그래피 (stereolithography)에사용하는데적합하다.
    • 生产产品的方法技术领域本发明涉及一种用于生产产品的方法,其中确定该点通常在与产品或待生产产品的一部分对应的对象的内部或外部,或层或切片 其特征在于,对于要尝试的工作点(11,30),针对每个工作点(11,30)执行以下步骤,所述方法包括以下步骤: 确定通过线路(11,30)和与专用于所述工作点的计数器相关联的工作点的图像(31)的线中的至少一条线; 其中每个基面包括:(i)基面(15),穿过工作点(11; 30)的线(12)和线 (ii)如果交点存在,则更换计数器,并且(i)重复步骤(i)和(ii); 根据专用于操作点(11; 30)的计数器来确定操作点是在物体内部还是外部。 理发名称适用于快速成型和立体平版印刷。
    • 7. 发明公开
    • 제품에 대한 제품 구조의 변형들을 관리하기 위한 모델
    • 管理产品产品结构变体的模型
    • KR1020170095117A
    • 2017-08-22
    • KR1020160163147
    • 2016-12-02
    • 더 보잉 컴파니
    • 션엠.캘러핸케빈디.푸터보우
    • G06F17/50G06Q50/04G06Q10/06
    • G06F17/50G06F2217/02G06F2217/12Y02P90/265
    • 제품관리시스템(100)은모델(3400) 및데이터관리기(116)를포함한다. 모델(3400)은제품(102)에대한제품구조(3404)를위한설계데이터(3402)를포함한다. 모델(3400)은마스터오브젝트들(3421)의프라이머리계층조직(3408), 버전오브젝트들(3424)의다수의세컨더리계층조직들(3410), 및마스터오브젝트들(3435) 각각에대한변경콘텍스트조직(3433)을포함한다. 마스터오브젝트들(3435)은엘리먼트오브젝트들및 발생오브젝트들을포함한다. 세컨더리계층조직(3418)은엘리먼트버전오브젝트들및 발생버전오브젝트들을포함한다. 변경콘텍스트조직(3433)은변형오브젝트들(3430) 및브랜치인스턴스오브젝트들(3432)의그룹을포함한다. 브랜치인스턴스오브젝트들(3432)의그룹내의브랜치인스턴스오브젝트(3506, 3514)는상응하는설계브랜치(3444)에대한버전오브젝트들(3424)의시퀀스를추적한다. 데이터관리기(116)는모델(3400)을이용하는다른설계브랜치들과는독립적으로각각의설계브랜치(3444) 내에서제품구조(3404)를위한설계데이터(3402)에대한변경들을관리하여, 모델(3400)을이용해서증가된효율을가지고제품(102)의제조를가능하게한다.
    • 产品管理系统100包括模型3400和数据管理器116。 模型3400包括产品102的产品结构3404的设计数据3402。 模型3400,多个次级3410层组织的,并且主对象(3435),用于每一次层的组织3408的组织变化方面,对象3424在Eunma主对象的版本(3421) 包括(3433)。 主对象3435包括元素对象和生成对象。 辅助层次组织3418包括元素版本对象和出现版本对象。 改变上下文组织3433包括一组变换对象3430和分支实例对象3432。 分支实例的组分支实例对象(3432)(3506,3514)的对象跟踪对应于所述分支的设计(3444)的对象的版本的序列以(3424)。 数据管理器116是使用Model 3400,型号3400独立于其它设计分支管理在设计数据3402为产品结构3404的每个设计分支(3444)内的变化 以更高的效率实现产品102的制造。
    • 9. 发明公开
    • OPC 이용한 마스크 제조방법 및 반도체 소자 제조방법
    • 使用OPC制造掩模的方法和用于制造半导体器件的方法
    • KR1020170047101A
    • 2017-05-04
    • KR1020150147545
    • 2015-10-22
    • 삼성전자주식회사
    • 심우석량원칭
    • H01L21/033G03F1/36G03F7/20
    • G03F1/36G06F17/5081G06F2217/12Y02P90/265
    • 본발명의기술적사상은계층구조를유지하면서더미패턴들을형성함으로써, TAT(Turn Around Time) 감소및 시스템의요구성능을낮출수 있는마스크제조방법및 반도체소자제조방법을제공한다. 그마스크제조방법은메인(main) 패턴에대한레이아웃(layout)을디자인하는단계; 상기레이아웃에대하여통합 OPC(Optical Proximity Correction)를수행하는단계; 상기통합 OPC를통해획득한디자인데이터를 MTO(Mask Tape-Out) 디자인데이터로서전달하는단계; 상기 MTO 디자인데이터에기초하여마스크데이터를준비하는단계; 및상기마스크데이터에기초하여마스크용기판상에노광을수행하는단계;를포함하고, 상기통합 OPC를수행하는단계에서, 계층구조(hierarchical structure)를유지하면서더미(dummy) 패턴을생성한다.
    • 本发明的技术思想提供掩模制造方法和半导体器件制造方法,其通过在保持分层结构的同时形成虚拟图案来减少系统的转弯时间(TAT)和所需性能。 该掩模制造方法包括:设计用于主图案的布局; 在布局上执行集成的OPC(Optical Proximity Correction); 将通过集成的OPC获取的设计数据作为掩模带出(MTO)设计数据传输; 根据MTO设计数据准备掩模数据; 然后,基于掩模数据对掩模容器板进行曝光,在进行一体化的OPC的情况下,在维持分层结构的同时生​​成虚拟图案。