基本信息:
- 专利标题： 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법
- 专利标题（英）：Polishing slurry and substrate or wafer polishing method using the same
- 专利标题（中）：抛光浆料和基材或波浪抛光方法
- 申请号：KR1020120125189 申请日：2012-11-07
- 公开(公告)号：KR101406760B1 公开(公告)日：2014-06-19
- 发明人： 백운규 , 서지훈 , 한명훈 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
- 申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
- 申请人地址： 서울특별시 성동구 왕십리로 ***(행당동, 한양대학교내)
- 专利权人： 한양대학교 산학협력단,주식회사 케이씨
- 当前专利权人： 한양대학교 산학협력단,주식회사 케이씨
- 当前专利权人地址： 서울특별시 성동구 왕십리로 ***(행당동, 한양대학교내)
- 代理人： 특허법인 무한
- 主分类号： C09K3/14
- IPC分类号： C09K3/14 ; H01L21/304
摘要：
본 발명은 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 연마 슬러리는, 패턴 밀도별 균일한 연마속도를 갖는 슬러리 조성물로 웨이퍼 연마 속도의 센터 언더(center under) 또는 에지 패스트(edge fast) 현상을 억제하여 상기 슬러리 조성물을 이용한 연마 공정 진행 후 기판 또는 웨이퍼 표면의 프로파일이 우수한 효과가 있고, 슬러리의 pH를 중성 영역으로 설정함으로써 친환경적인 효과가 있다.
摘要（英）：
The present invention relates to a method for polishing a polishing slurry and the substrate or wafer by using this, the invention of the abrasive slurry, the center under the wafer polishing rate of a slurry composition having a uniform polishing rate by the pattern density (center under) or edge-fast (fast edge) to suppress the phenomenon that the profile and the excellent effect of the substrate or wafer surface after the polishing process proceeds using the slurry composition, it is environment-friendly effect by setting the pH of the slurry to a neutral region.
公开/授权文献:
- KR1020140059328A 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법 公开/授权日：2014-05-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09K | 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 |
| ------C09K3/00 | 不包含在其他类目中的材料 |
| --------C09K3/14 | .防滑材料；研磨材料 |