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1. 发明授权

KR101472858B1 친환경 STI 공정용 슬러리 및 첨가제 조성물 有权
标题翻译：环境友好的浆料用于STI工艺和添加剂组合物
公开(公告)号：KR101472858B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020120125347
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명은친환경 STI 공정용슬러리및 첨가제조성물에관한것으로서, 본발명의액상법을이용하여제조된연마입자를포함하는슬러리조성물은적은양의연마첨가제의사용으로도우수한공용선택비(universal selectivity) 특성, 높은연마속도및 세정성능등의우수한연마특성을나타낼수 있으며, 카르복실기를포함하는음이온성고분자의카르복실기의수소와비이온성고분자(polyoxyethylene oxide; PEO)의산소간의수소결합(hydrogen bond)을포함하는연마첨가제를사용하여연마공정을수행하면, 음이온성고분자와비이온성고분자의착체(complexation)의고희석비적용으로공용선택비를구현할수 있으며, 질화막에대한선택비제어및 폴리막의선택비를조절할수 있다. 또한폴리막정지공정뿐만아니라질화막정지공정에적용이가능하다.

2. 发明公开

KR1020140059345A 친환경 폴리막 정지용 슬러리 및 첨가제 조성물 有权
标题翻译：环境友好的浆液，用于多种胶片和添加剂组合物
公开(公告)号：KR1020140059345A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120125346
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： The present invention relates to environmentally-friendly slurry for stopping a poly film and an additive composition. The polishing slurry of the present invention can control a poly polishing rate for reinforcing a node isolation function, minimize micro-scratches, improve dishing compared to single crystalline positive electrostatic repulsion dispersion, and improve cleanliness after polishing. Through the above, the present invention can perform a suitable polishing process for a semiconductor manufacturing process.
摘要翻译：本发明涉及用于停止聚合物膜和添加剂组合物的环保浆料。本发明的研磨浆料可以控制多孔抛光速率，以加强节点隔离功能，最小化微划痕，改善与单晶正静电排斥分散相比的凹陷，并提高抛光后的清洁度。通过上述，本发明可以进行用于半导体制造工艺的合适的抛光工艺。

3. 发明授权

KR101472857B1 친환경 폴리막 정지용 슬러리 및 첨가제 조성물 有权
标题翻译：环境友好的浆液，用于多种胶片和添加剂组合物
公开(公告)号：KR101472857B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020120125346
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명은친환경폴리막정지용슬러리및 첨가제조성물에관한것으로서, 본발명의연마슬러리는, 노드(node) 분리기능강화를위하여폴리연마율조절이가능하며, 마이크로스크래치를최소화할수 있고, 단결정성양의정전기적반발력분산대비디싱 (dishing)을개선시키고, 연마후 세정성을개선시킬수 있다. 이를통하여, 반도체의제조공정에적합한연마공정을수행할수 있다.

4. 发明授权

KR101472856B1 친환경 STI 공정용 연마 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：环境友好的抛光浆料用于STI工艺和基板或使用其的波浪抛光方法
公开(公告)号：KR101472856B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020120125345
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 본발명은친환경 STI 공정용연마슬러리및 이를이용한기판또는웨이퍼를연마하는방법에관한것으로서, 본발명의연마슬러리는, 단결정성연마입자를사용하여좁고균일한입도분포를지니며마이크로스크래치를최소화할수 있고, 단결정성양의정전기적반발력분산대비디싱 (dishing)을개선시키고, 연마후 세정성을개선시킬수 있다. 또한, 분산안정화제를첨가하여경시안정성확보할수 있으며, 우수한연마속도와선택비를가지며, 중성 pH 구현으로환경친화성확보할수 있다.

5. 发明授权

KR101396252B1 초기 단차 제거용 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법 有权
标题翻译：用于移除初始步骤高度的抛光浆料和使用其的基板或波片抛光方法
公开(公告)号：KR101396252B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020120066091
申请日：2012-06-20
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 서지훈 , 배재영 , 한명훈 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화
IPC分类号： C09K3/14 , B24B7/22
摘要： 본 발명은 초기 단차 제거용 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 초기 단차 제거용 연마 슬러리는, 연마 입자의 표면이 (+) 전하를 갖도록 분산된 것으로서, 산화규소막의 높은 연마 속도를 가지며, 본 발명의 초기 단차 제거용 연마 슬러리를 사용하여 연마 공정을 수행하면, 고단차 영역에서는 높은 연마속도를 가지며, 저단차 영역에서는 낮은 연마속도를 가져 STI CMP (shallow trench isolation chemical mechanical polishing) 초기 단차 제거에 효과적일 수 있다.

6. 发明公开

KR1020140059346A 친환경 STI 공정용 슬러리 및 첨가제 조성물 有权
标题翻译：环境友好的浆料用于STI工艺和添加剂组合物
公开(公告)号：KR1020140059346A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120125347
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： The present invention relates to an environmentally-friendly slurry for shallow trench isolation (STI) process and an additive composition. The slurry composition including abrasive grains prepared using a liquid phase method of the present invention can show enhanced polishing properties such as enhanced universal selectivity, high polishing speed, washing function and the likes using small amount of polishing additive. By performing the polishing process using the polishing additive including hydrogen bond between oxygen in polyoxyethylene oxide (PEO) and hydrogen of carboxyl group in anionic polymer, the universal selectivity can be performed by applying high dilution ratio of complexation of the PEO and anionic polymer, and selection ratio for nitride membrane and poly film can be controlled. In addition, the present invention can be applied to poly film stop process and nitride membrane stop process.
摘要翻译：本发明涉及一种用于浅沟槽隔离（STI）工艺和添加剂组合物的环保浆料。使用本发明的液相法制备的包含磨粒的浆料组合物可以显示增强的抛光性能，例如增强的通用选择性，高抛光速度，洗涤功能等等，使用少量的抛光添加剂。通过使用包括聚氧乙烯氧化物（PEO）中的氧与氧阴离子聚合物中的氢的氢键的抛光添加剂进行抛光处理，可以通过应用PEO和阴离子聚合物的复合的高稀释比进行通用选择性，以及可以控制氮化膜和聚酰亚胺的选择比。此外，本发明可以应用于多膜停止工艺和氮化膜停止工艺。

7. 发明公开

KR1020130142679A 초기 단차 제거용 연마 슬러리 및 이를 이용하여 기판 또는 웨이퍼를 연마하는 방법 有权
标题翻译：用于移除初始步骤高度的抛光浆料和使用其的基板或波片抛光方法
公开(公告)号：KR1020130142679A
公开(公告)日：2013-12-30
申请号：KR1020120066091
申请日：2012-06-20
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 서지훈 , 배재영 , 한명훈 , 김정윤 , 최낙현 , 정기화
IPC分类号： C09K3/14 , B24B7/22
摘要： The present invention relates to polishing slurry for removing an initial step and a method for polishing a substrate or a wafer using the same. The polishing slurry for removing initial step of the present invention has particles of which surface is dispersed to have a positive electric charge, has the high polishing speed of a silicon oxide film. When a polishing process is performed using polishing slurry for removing an initial step of the present invention, a high polishing speed is obtained in a high step area and a low polishing speed is obtained in a low step area, thereby being effective for removing an initial step in shallow trench isolation chemical mechanical polishing. [Reference numerals] (AA) Oxide 7000 �;(BB) Poli Si 3000 �;(CC) Oxide 1000 �;(DD) Si substrate 1000 �;(EE) Step pulley 2000 �;(FF) Oxide 2000 �
摘要翻译：本发明涉及用于去除初始步骤的抛光浆料和使用该抛光浆料抛光基材或晶片的方法。用于除去本发明的初始步骤的抛光浆料具有表面被分散以具有正电荷的颗粒，具有高的氧化硅膜的抛光速度。当使用用于除去本发明的初始步骤的抛光浆料进行抛光处理时，在高阶段区域获得高抛光速度，并且在低步进区域中获得低抛光速度，从而有效地除去初始在浅沟隔离化学机械抛光。（AA）氧化物7000 ;（BB）Poli Si 3000 ;（CC）氧化物1000 ;（DD）Si衬底1000 ;（EE）步进滑轮2000 ;（FF）氧化物2000

8. 发明公开

KR1020140059344A 친환경 STI 공정용 연마 슬러리 및 이를 이용한 연마 방법 有权
标题翻译：环境友好的抛光浆料用于STI工艺和基板或使用其的波浪抛光方法
公开(公告)号：KR1020140059344A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120125345
申请日：2012-11-07
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 주식회사 케이씨
发明人： 백운규 , 배재영 , 김정윤 , 최낙현 , 황준하
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： The present invention relates to an environmentally-friendly polishing slurry for a STI process and a polishing method for a substrate or wafer using the same. The polishing slurry in the present invention has a narrow and uniform particle size distribution using monocrystalline polishing particles and is capable of minimizing micro scratch, alleviating dishing compared to dispersion due to positive electrostatic repulsion between the monocrystalline polishing particles, and improving cleaning property after polishing. In addition, the polishing slurry can secure long-term stability by adding a dispersion stabilizing agent, has excellent polishing rate and selection ratio, and can secure environmentally-friendly characteristics by the formation of neutral pH.
摘要翻译：本发明涉及用于STI工艺的环境友好型抛光浆料和使用其的基板或晶片的抛光方法。本发明的研磨浆料使用单晶抛光颗粒具有窄且均匀的粒度分布，并且能够使由于单晶抛光颗粒之间的正静电排斥而产生的与分散相比的微刮痕减轻凹陷，并提高抛光后的清洁性能。此外，抛光浆料可以通过添加分散稳定剂来确保长期稳定性，具有优异的抛光速率和选择比，并且可以通过形成中性pH来确保环境友好的特性。

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