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1. 发明公开

KR1020160083829A 초전도체, 초전도 선재, 및 초전도체 형성방법 有权
标题翻译：超导体，超级电线及其形成方法
公开(公告)号：KR1020160083829A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020160080370
申请日：2016-06-27
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 서남
发明人： 유상임 , 이정우 , 최순미 , 문승현 , 이헌주 , 이재훈
IPC分类号： H01L39/00 , H01B12/00 , H01B13/00
CPC分类号： Y02E40/64 , H01L39/00 , H01B12/00 , H01B13/00
摘要： 초전도체는희토류, 바륨및 구리를포함하는초전도전구체를열처리하여액상의희토류-구리-바륨산화물을형성하는제1 단계, 상기액상의희토류-구리-바륨산화물로부터에피택시성장된상기희토류-구리-바륨산화물의제1 초전도체를형성하는제2 단계, 그리고상기제1 초전도체를열처리하여상기희토류-구리-바륨산화물의제2 초전도체를형성하는제3 단계를포함하는공정으로형성되고, 상기제3 단계의열처리는상기희토류-구리-바륨산화물이액상을갖지않는분위기에서수행된다.
摘要翻译：超导体通过包括在包括稀土，钡和铜的超导体前体进行热处理以形成液化的稀土 - 钡 - 铜氧化物的第一步骤的方法形成，第二步骤，形成第一超导体从液化稀土 - 氧化钡 - 氧化铜的外延生长的稀土 - 钡 - 铜氧化物的第三步骤，在第一超导体上进行热处理以形成稀土 - 氧化钡 - 氧化铜的第二超导体。第三步骤的热处理在稀土 - 钡 - 铜氧化物不处于液态的气氛中进行。因此，可以提供包括钉扎中心的超导体。

2. 发明公开

KR1020160006829A 초전도체, 초전도 선재, 및 초전도체 형성방법 无效
标题翻译：超导体，超级电线及其形成方法
公开(公告)号：KR1020160006829A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140085927
申请日：2014-07-09
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 서남
发明人： 유상임 , 이정우 , 최순미 , 문승현 , 이헌주 , 이재훈
IPC分类号： H01B12/00 , H01B13/00
CPC分类号： H01L39/2451 , H01L39/2432 , H01L39/00 , H01B12/00 , H01B13/00
摘要： 초전도체는희토류, 바륨및 구리를포함하는초전도전구체를열처리하여액상의희토류-구리-바륨산화물을형성하는제1 단계, 상기액상의희토류-구리-바륨산화물로부터에피택시성장된상기희토류-구리-바륨산화물의제1 초전도체를형성하는제2 단계, 그리고상기제1 초전도체를열처리하여상기희토류-구리-바륨산화물의제2 초전도체를형성하는제3 단계를포함하는공정으로형성되고, 상기제3 단계의열처리는상기희토류-구리-바륨산화물이액상을갖지않는분위기에서수행된다.
摘要翻译：一种形成超导体的方法包括：通过热处理包括稀土，钡和铜的超导体前体来形成稀土 - 铜 - 氧化钡的液体的第一步骤; 形成从液体稀土 - 铜 - 氧化钡外延生长的稀土 - 铜 - 氧化钡的第一超导体的第二步骤; 以及通过热处理所述第一超导体来形成所述稀土 - 铜 - 氧化钡的第二超导体的第三步骤。第三步骤的热处理在稀土 - 铜 - 氧化钡不处于液态的气氛中进行。

3. 发明公开

KR1020110091422A 세라믹 선재 형성 방법, 세라믹 선재 형성 시스템, 및 이를 이용한 초전도 선재 有权
标题翻译：形成陶瓷线的方法，其形成系统和使用其的超导体线
公开(公告)号：KR1020110091422A
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020100074924
申请日：2010-08-03
申请人： 주식회사 서남
发明人： 문승현 , 이헌주 , 유상임 , 하홍수
IPC分类号： H01B13/00 , H01B12/00 , C04B35/00
CPC分类号： H01L39/2451 , C04B35/4508 , C04B35/62231 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/6584 , C23C14/562 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , H01L39/143
摘要： PURPOSE: A ceramics wire formation system, a ceramics wire formation method, and a superconducting wire using the same is provided to rapidly forming the ceramic wire of a ceramic thin film. CONSTITUTION: A ceramic precursor film is formed on the top of a wire substrate(S10). A wire substrate deposited by the ceramic precursor film is thermally processed. The ceramic precursor film is controlled to get a liquid state(S21). An epitaxy ceramic film is formed from the ceramic precursor film of the liquid state(S22).
摘要翻译：目的：提供陶瓷线形成系统，陶瓷线形成方法和使用其的超导线，以快速形成陶瓷薄膜的陶瓷线。构成：在导线基板的顶部形成陶瓷前体膜（S10）。通过陶瓷前体膜沉积的线基材进行热处理。控制陶瓷前体膜以获得液态（S21）。由液态陶瓷前体膜形成外延陶瓷膜（S22）。

4. 发明授权

KR101719266B1 초전도체, 초전도 선재, 및 초전도체 형성방법 有权
标题翻译：超导体，超导线材和形成超导体的方法
公开(公告)号：KR101719266B1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：KR1020160080370
申请日：2016-06-27
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 서남
发明人： 유상임 , 이정우 , 최순미 , 문승현 , 이헌주 , 이재훈
IPC分类号： H01L39/00 , H01B12/00 , H01B13/00
CPC分类号： Y02E40/64
摘要： 초전도체는희토류, 바륨및 구리를포함하는초전도전구체를열처리하여액상의희토류-구리-바륨산화물을형성하는제1 단계, 상기액상의희토류-구리-바륨산화물로부터에피택시성장된상기희토류-구리-바륨산화물의제1 초전도체를형성하는제2 단계, 그리고상기제1 초전도체를열처리하여상기희토류-구리-바륨산화물의제2 초전도체를형성하는제3 단계를포함하는공정으로형성되고, 상기제3 단계의열처리는상기희토류-구리-바륨산화물이액상을갖지않는분위기에서수행된다.
摘要翻译：超导体的稀土，钡和形成氧化钡，液体相的稀土类 - 铜 - 一个从氧化钡稀土 - 铜 - 钡外延生长的热处理含铜在液相中的超导前体的稀土 - 铜 - 第一步形成第一超导氧化物的第二步骤，和稀土元素热处理所述第一超导体 - 铜 - 形成在包括在形成所述氧化钡的第二超导体的第三步骤的方法，在第三步骤热处理在稀土铜 - 氧化钡不具有液相的气氛中进行。

5. 发明授权

KR101158747B1 세라믹 선재 형성 방법, 세라믹 선재 형성 시스템, 및 이를 이용한 초전도 선재 有权
标题翻译： 세라믹선재형성방법，세라믹선재형성시스템，및이를이용한초전도선재
公开(公告)号：KR101158747B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100074924
申请日：2010-08-03
申请人： 주식회사 서남
发明人： 문승현 , 이헌주 , 유상임 , 하홍수
IPC分类号： H01B13/00 , H01B12/00 , C04B35/00
CPC分类号： H01L39/2451 , C04B35/4508 , C04B35/62231 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/6584 , C23C14/562 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , H01L39/143
摘要： Provided is a method of forming a ceramic wire. In the method, a ceramic precursor film is deposited on a wire substrate. Then, the wire substrate on which the ceramic precursor film is deposited is treated by heating. For treating the wire substrate by heating, a temperature of the wire substrate and/or an oxygen partial pressure of the wire substrate are controlled such that the ceramic precursor film is in a liquid state and an epitaxy ceramic film is formed from the liquid ceramic precursor film on the wire substrate.
摘要翻译：提供一种形成陶瓷线的方法。在该方法中，将陶瓷前体膜沉积在线基材上。然后，通过加热处理其上沉积有陶瓷前体膜的线基板。为了通过加热处理线基体，控制线基体的温度和/或线基体的氧分压，使得陶瓷前体膜处于液态，并且由液体陶瓷前体形成外延陶瓷膜在线基板上的薄膜。

6. 发明公开

KR1020120079456A 세라믹 선재 형성 방법, 세라믹 선재 형성 시스템, 및 이를 이용한 초전도 선재 有权
标题翻译：形成陶瓷线的方法，其形成系统和使用其的超导体线
公开(公告)号：KR1020120079456A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：KR1020120066918
申请日：2012-06-21
申请人： 주식회사 서남
发明人： 문승현 , 이헌주 , 유상임 , 하홍수
IPC分类号： H01B12/00 , H01B13/00
CPC分类号： H01L39/2451 , C04B35/4508 , C04B35/62231 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/6584 , C23C14/562 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , H01L39/143
摘要： PURPOSE: A method and a system for forming a ceramic wire and a super-conduction wire are provided to form a super-conduction precursor of rare earth-barium-copper oxide by heat processing the super-conduction precursor under high oxygen partial pressure. CONSTITUTION: A ReBCO film(12) is formed on a wire substrate(10) having a buffer layer(11). A first portion(13) having a superconducting phase is formed to be closely adhered to the buffer layer. A second portion(14) having a phase different from the superconducting phase of the first portion is formed on the first portion. The first portion comprises a rare earth: barium : copper in a ratio of 1:2:3. The ratio of the second portion can be different from the ratio of the first portion. The second portion comprises a non-stoichiometric oxide corresponding to a trace of the ceramic precursor.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成陶瓷丝和超导线的方法和系统，以在高氧分压下热处理超导前体以形成稀土 - 钡 - 铜氧化物的超导前体。构成：ReBCO薄膜（12）形成在具有缓冲层（11）的布线基板（10）上。具有超导相的第一部分（13）被形成为紧密地粘附到缓冲层。在第一部分上形成具有与第一部分的超导相不同的相位的第二部分（14）。第一部分包括稀土：钡：铜比例为1:2:3。第二部分的比例可以不同于第一部分的比率。第二部分包括对应于陶瓷前体的痕迹的非化学计量的氧化物。

7. 发明公开

KR1020110122082A 세라믹 선재 형성 방법, 세라믹 선재 형성 시스템, 및 이를 이용한 초전도 선재 有权
标题翻译：形成陶瓷线的方法，其形成系统和使用其的超导体线
公开(公告)号：KR1020110122082A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：KR1020110107993
申请日：2011-10-21
申请人： 주식회사 서남
发明人： 문승현 , 이헌주 , 유상임 , 하홍수
IPC分类号： H01B13/00 , C04B35/00
CPC分类号： H01L39/2451 , C04B35/4508 , C04B35/62231 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/6584 , C23C14/562 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , H01L39/143
摘要： PURPOSE: A method of forming ceramic wire, a system of forming the same, and a superconductor wire using the same are provided to have excellent crystalline property by having a critical current density of 2.2MA/cm^2. CONSTITUTION: In a method of forming ceramic wire, a system of forming the same, and a superconductor wire using the same, a thin film deposition unit(100) forms a ceramic thin film in a wire substrate. A heat treatment unit(200) heat-treats of a wire substrate including the ceramic thin film. A heat treatment unit passes through a wire substrate. A first, second, and third vessel are pumped independently and maintains independent vacuum and keep temperature independently.
摘要翻译：目的：通过使临界电流密度为2.2MA / cm 2，提供了形成陶瓷线的方法，其形成系统和使用其的超导体线，以具有优异的结晶性能。构成：在形成陶瓷线的方法中，形成陶瓷线的方法和使用其的超导体线，薄膜沉积单元（100）在线基底中形成陶瓷薄膜。热处理单元（200）对包括陶瓷薄膜的线基材进行热处理。热处理单元通过线基板。第一，第二和第三容器独立地泵送并保持独立的真空并独立地保持温度。

8. 发明公开

KR1020110122081A 세라믹 선재 형성 방법, 세라믹 선재 형성 시스템, 및 이를 이용한 초전도 선재 无效
标题翻译：形成陶瓷线的方法，其形成系统和使用其的超导体线
公开(公告)号：KR1020110122081A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：KR1020110107992
申请日：2011-10-21
申请人： 주식회사 서남
发明人： 문승현 , 이헌주 , 유상임 , 하홍수
IPC分类号： H01B12/06
CPC分类号： H01L39/2451 , C04B35/4508 , C04B35/62231 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3281 , C04B2235/6584 , C23C14/562 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , H01L39/143
摘要： PURPOSE: A method of forming ceramic wire, a system of forming the same, and a superconductor wire using the same are provided to prevent the reaction of a ceramic material by including a buffer layer in the substrate. CONSTITUTION: In a method of forming ceramic wire, a system of forming the same, and a superconductor wire using the same, a substrate(10) has a tape form. A buffer layer(11) is formed on the substrate. A superconductive thin film(12) comprises the rare earth, a barium and copper. A superconductive thin film comprises a first part(13) and a second part(14). The first part has a superconducting phase adjacent to the buffer.
摘要翻译：目的：提供一种形成陶瓷线的方法，其形成系统和使用其的超导线，以通过在衬底中包括缓冲层来防止陶瓷材料的反应。构成：在形成陶瓷线的方法中，形成陶瓷线的方法和使用其的超导线，衬底（10）具有带状。在衬底上形成缓冲层（11）。超导薄膜（12）包括稀土，钡和铜。超导薄膜包括第一部分（13）和第二部分（14）。第一部分具有与缓冲器相邻的超导相位。

9. 发明公开

KR1020090093618A 유기금속증착용 전구용액 형성방법 및 이를 사용하는초전도 후막 형성방법 有权
标题翻译：用于金属有机沉积的前体溶液的形成方法和使用其形成超级薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020090093618A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080019250
申请日：2008-02-29
申请人： 재단법인서울대학교산학협력재단 , 주식회사 서남
发明人： 유상임 , 문승현 , 신거명
IPC分类号： C23C18/00 , C23C16/00
摘要： A formation method of the precursor solution for the metal organic deposition and a super-conduction thick film forming method using the same are provided to manufacture a super-conduction thick film without the cracking by increasing the viscosity of the precursor solution. A super-conduction thick film forming method using the precursor solution for the metal organic deposition comprises followings. The compound solution is formed by melting the first precursor including one rare earth element without additive, the second precursor including barium and the third precursor including copper in acid(S1). The compound solution is melted in the solvent to form extra precursor solution(S3). The precursor solution with increased viscosity is formed by evaporating the solvent of the extra precursor solution(S4). The precursor solution with an increased viscosity is poured on a base material having texture in order to make the super-conduction thick film. At least one of the first, second or third precursor is molten with the acid not including fluorine. The super-conduction thick film forming process includes to coat the precursor solution with increased viscosity on the base material and to treat with the heat.
摘要翻译：提供了用于金属有机沉积的前体溶液的形成方法和使用其的超导厚膜形成方法，以通过增加前体溶液的粘度来制造没有裂纹的超导厚膜。使用前体溶液进行金属有机沉积的超导厚膜形成方法包括以下。复合溶液是通过熔化含有一种稀土元素的第一前体而没有添加剂形成的，第二前体包括钡，第三前体在酸中包括铜（S1）。将化合物溶液在溶剂中熔融以形成额外的前体溶液（S3）。通过蒸发额外的前体溶液的溶剂（S4）形成粘度增加的前体溶液。将具有增加的粘度的前体溶液倒入具有纹理的基材上以制备超导厚膜。第一，第二或第三前体中的至少一种与不含氟的酸熔融。超导厚膜形成方法包括在基材上涂覆增加粘度的前体溶液并用热处理。

10. 发明授权

KR101456152B1 초전도체 및 초전도체 형성방법 有权
标题翻译：超导体及其形成方法
公开(公告)号：KR101456152B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020120085768
申请日：2012-08-06
申请人： 서울대학교산학협력단 , 주식회사 서남
发明人： 유상임 , 이정우 , 최순미 , 문승현 , 이헌주 , 이재훈
IPC分类号： H01L39/12 , H01L39/24 , H01B12/00
CPC分类号： H01B12/06 , H01B1/08 , H01B13/0016 , H01L39/126 , H01L39/2419 , H01L39/2451 , Y10T428/24355
摘要： 초전도막 형성방법이 기술된다. 상기 방법은 희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 비정질의 희토류-구리-바륨 산화물을 제공하고, 그리고 비정질의 희토류-구리-바륨 산화물을 열처리하여 분산된 희토류 산화물 알갱이를 함유하는 초전도체를 형성한다.

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