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1. 发明公开

KR1020160082134A 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 有权
标题翻译：高温本地加热型SUSMSEPTOR和加热装置
公开(公告)号：KR1020160082134A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140194635
申请日：2014-12-31
申请人： 한국기계연구원 , 주식회사 넥스트론
发明人： 김승언 , 나영상 , 김성웅 , 임가람 , 장윤형 , 문학범
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
摘要： 열을방출하는부분의단면적이열을전달받는부분의단면적에비하여작게형성되어열 방출부분에서열이집중되도록설계된고온국부가열방식의서셉터및 이를갖는히팅장치에대하여개시한다. 본발명에따른고온국부가열방식의서셉터는열원에장착되어, 상기열원으로부터의열을전달받아피가열체를국부가열하기위한고온국부가열방식의서셉터로서, 제1 단면적을갖는서셉터몸체; 및상기서셉터몸체로부터돌출되어, 상기제1 단면적보다작은제2 단면적을갖는돌출부;를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：公开了一种高温局部加热型基座及其加热装置。高温局部加热型基座被设计成使得热量聚焦在发射热量的部分上，因为发射热量的部分的横截面积小于接收热量的部分的横截面面积。根据本发明的高温局部加热型感受器安装在热源中，并且通过从热源接收热来部分地加热对象。高温局部加热型基座包括：具有第一横截面积的基座体和从基座体突出的具有比第一横截面积小的横截面积的突出单元。

2. 发明授权

KR101670807B1 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 有权
标题翻译：高温本地加热型SUSMSEPTOR和加热装置
公开(公告)号：KR101670807B1
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020140194635
申请日：2014-12-31
申请人： 한국기계연구원 , 주식회사 넥스트론
发明人： 김승언 , 나영상 , 김성웅 , 임가람 , 장윤형 , 문학범
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/324
摘要： 열을방출하는부분의단면적이열을전달받는부분의단면적에비하여작게형성되어열 방출부분에서열이집중되도록설계된고온국부가열방식의서셉터및 이를갖는히팅장치에대하여개시한다. 본발명에따른고온국부가열방식의서셉터는열원에장착되어, 상기열원으로부터의열을전달받아피가열체를국부가열하기위한고온국부가열방식의서셉터로서, 제1 단면적을갖는서셉터몸체; 및상기서셉터몸체로부터돌출되어, 상기제1 단면적보다작은제2 단면적을갖는돌출부;를포함하는것을특징으로한다.

3. 发明授权

KR101516801B1 일정면적에 대한 급속 및 균일한 가열과 온도 제어가 가능한 블로잉 성형용 히팅 유닛 및 이를 갖는 블로잉 성형 장치 有权
标题翻译：用于控制固定区域的快速加热和均匀温度的加热单元和包括其的成型装置
公开(公告)号：KR101516801B1
公开(公告)日：2015-05-04
申请号：KR1020140061473
申请日：2014-05-22
申请人： 한국기계연구원 , 주식회사 넥스트론
发明人： 나영상 , 임가람 , 문학범 , 권동훈
IPC分类号： B21D37/16 , B21D26/02
CPC分类号： B21D26/02 , B21D37/16 , B29C49/4823 , B29C49/786 , B29C2049/283 , B29C2049/5889
摘要： 일정면적에대하여급속및 균일한가열이필요하고정밀한온도제어가가능한블로잉성형용히팅유닛및 이를갖는블로잉성형장치에대하여개시한다. 본발명에따른일정면적에대한급속및 균일한가열과온도제어가가능한블로잉성형용히팅유닛은반사거울; 상기반사거울을밀봉하는몰딩체; 상기반사거울의상단에결합되어, 적외선을조사하는적외선램프; 상기반사거울의하단에결합되며, 상기적외선램프로부터출사되어반사거울에반사되어굴절된적외선을집광시켜성형대상물을급속및 균일하게가열하는쿼츠봉; 및상기몰딩체에장착되어온도를제어하기위한냉각라인;을포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种能够控制固定区域的快速加热和均匀温度的加热单元，以及包括该加热单元的吹风成形设备。本发明的用于控制某些区域的快速均匀热的吹风加热单元包括：反射镜; 密封反射镜的成型体; 安装在反射镜的上部的红外线灯和红外线闪烁; 集成在反射镜的下部的石英柱，收集反射的红外线，并从红外线灯闪光后在镜子上弯曲; 以及安装在成型体中以控制温度的冷却线。

4. 发明授权

KR101500985B1 일정면적에 대한 급속 및 균일한 가열과 온도 제어가 가능한 블로잉 성형 유닛을 갖는 블로잉 성형 장치 有权
标题翻译：具有控制固定区域的快速加热和均匀温度的吹塑成型单元的成型装置
公开(公告)号：KR101500985B1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020140159964
申请日：2014-11-17
申请人： 한국기계연구원 , 주식회사 넥스트론
发明人： 나영상 , 임가람 , 문학범 , 권동훈
IPC分类号： B21D26/021 , B21D37/16
摘要： 일정면적에 대하여 급속 및 균일한 가열이 필요하고 정밀한 온도 제어가 가능한 블로잉 성형 장치에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 일정면적에 대한 급속 및 균일한 가열과 온도 제어가 가능한 블로잉 성형 유닛을 갖는 블로잉 성형 장치는 반사 거울과, 상기 반사 거울을 밀봉하는 몰딩체와, 상기 반사 거울의 상단에 결합되어, 적외선을 조사하는 적외선 램프와, 상기 반사 거울의 하단에 결합되며, 상기 적외선 램프로부터 출사되어 반사 거울에 반사되어 굴절된 적외선을 집광시켜 성형 대상물을 급속 및 균일하게 가열하는 쿼츠 봉과, 상기 몰딩체에 장착되어 온도를 제어하기 위한 냉각 라인을 갖는 히팅 유닛; 상기 히팅 유닛을 지지하기 위한 지지 유닛; 및 상기 지지 유닛의 내부에 장착되며, 상기 쿼츠 봉에 의해 성형 대상물을 급속 및 균일한 가열이 이루어지도록 한 상태에서 블로잉시켜 성형하기 위한 성형 유닛;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：公开了一种吹塑成型装置，其需要对预定面积进行快速且均匀的加热并能够精确地控制温度。根据本发明，具有能够快速且均匀地加热预定区域并控制温度的吹塑成形单元的吹塑成形设备包括具有反射镜的加热单元，密封反射镜的成型体，耦合到反射镜的上端以辐射红外线，耦合到反射镜的下端的石英棒，并且从红外灯辐射以被反射镜反射以收集折射红外线，以便快速均匀地加热要形成的物体和安装在成型体上的冷却线以控制温度; 支撑单元，用于支撑加热单元; 以及安装在支撑单元内部的成形单元，并且通过石英棒快速均匀地加热待成形物体的吹塑成形。

5. 发明公开

KR1020130085880A 이중 에칭을 이용한 팔라듐 나노 와이어 수소센서의 제조방법 및 이를 이용한 팔라듐 나노 와이어 수소센서 无效
标题翻译：使用双重方法的纳米级氢传感器及其传感器的方法
公开(公告)号：KR1020130085880A
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020120007020
申请日：2012-01-20
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 권해철 , 방석현 , 황호준 , 김수정 , 김철환
IPC分类号： G01N27/12 , B82B3/00
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a palladium nano wire hydrogen sensor using double etching and the palladium nano wire hydrogen sensor using the same are provided to increase reliability with constant resistance of a number of palladium nano wires, by attaching the linear and straight nano wire to a substrate stably by manufacturing a metal pattern accurately. CONSTITUTION: According to a method for manufacturing a palladium nano wire hydrogen sensor using double etching, a conductive metal is formed on the surface of a substrate (S1). A photoresist pattern is formed with a photoresist material on a part of the conductive metal (S2). The conductive metal which is not exposed because the photoresist pattern is not formed is dry-etched (S3). A metal pattern is formed in the lower part of the photoresist pattern by dry-etching of a part of the conductive metal covered by the photoresist pattern (S4). The metal pattern is plated with palladium (S5). A palladium nano wire is formed by removing the photoresist pattern and the metal pattern (S6). An external electrode connected to the palladium nano wire is formed (S7). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S1) Coating conductive metal on the surface of a substrate; (S2) Forming photoresist pattern with a photoresist material on a part of the conductive metal; (S3) Etching the exposed conductive metal through dry etching; (S4) Forming a metal pattern by excessive etching with wet-etching; (S5) Forming a palladium nano wire by plating with palladium; (S6) Removing the photoresist pattern and the metal pattern; (S7) Forming an external electrode connected to the palladium nano wire
摘要翻译：目的：提供一种使用双蚀刻制造钯纳米线氢传感器的方法和使用其的钯纳米线氢传感器，以通过将线性和直线纳米线附接到多个钯纳米线的稳定电阻来提高可靠性通过精确地制造金属图案来稳定地进行基板。构成：根据使用双蚀刻制造钯纳米线氢传感器的方法，在基板表面上形成导电金属（S1）。在导电金属（S2）的一部分上形成具有光致抗蚀剂材料的光致抗蚀剂图案。由于未形成光致抗蚀剂图案而未曝光的导电金属被干蚀刻（S3）。通过干蚀刻由光致抗蚀剂图案覆盖的导电金属的一部分（S4），在光致抗蚀剂图案的下部形成金属图案。金属图案镀钯（S5）。通过去除光致抗蚀剂图案和金属图案形成钯纳米线（S6）。形成连接到钯纳米线的外部电极（S7）。（附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S1）在基板表面涂覆导电金属; （S2）在导电金属的一部分上形成具有光致抗蚀剂材料的光致抗蚀剂图案; （S3）通过干蚀刻蚀刻暴露的导电金属; （S4）通过用湿蚀刻过度蚀刻形成金属图案; （S5）通过用钯电镀形成钯纳米线; （S6）去除光致抗蚀剂图案和金属图案; （S7）形成连接到钯纳米线的外部电极

6. 发明授权

KR101275081B1 전극과 와이어의 접합 장치의 제조방법 및 이에 의해 제조된 접합 장치 失效
标题翻译：电极和导线与接合装置的接合装置的方法
公开(公告)号：KR101275081B1
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020110070008
申请日：2011-07-14
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 조진형 , 문학범 , 권해철 , 김병주 , 방석현 , 황호준 , 김수정 , 장윤형 , 김철환
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/78 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2924/00014 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명은 와이어를 전극에 접합하는 방법에 있어서, 상기 와이어를 실린지에 공급하는 단계; 상기 와이어의 일단에 접착제를 묻히는 단계; 상기 실린지를 위치 이동장치에 장착시키는 단계; 상기 접착제를 건조시키는 단계; 및 상기 와이어의 일단이 기판의 전극에 접촉되어 상기 접착제가 건조되도록, 상기 위치 이동장치을 이동시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 기술적 특징으로 하여, 회로 배선 기판의 표면 물성의 변화가 일어나지 않으면서, 빠르고 손쉽게 와이어를 기판의 전극에 정확하게 고정접합할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造电极和电线的接合装置的方法及其制造的接合装置，以通过使用注射器装置和位置调节装置将电线精确地接合到基板的电极。构成：将线（10）供应到注射器（20）。粘合剂粘在导线的一端。注射器安装在位置调节装置（30）上。将粘合剂干燥。移动位置调节装置。

7. 发明授权

KR101004724B1 ＥＳＤ 방지용 보호 소자의 제조방법 및 그 보호 소자 失效
标题翻译：防静电保护装置的制造方法和保护装置
公开(公告)号：KR101004724B1
公开(公告)日：2011-01-04
申请号：KR1020080076810
申请日：2008-08-06
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 김철환 , 장윤형
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
摘要： 본 발명은 ESD 방지용 보호 소자의 제조방법 및 그 보호 소자에 관한 것으로, 절연체 기판 상측에 금속과 절연무기물이 혼합된 아모포스(amorphous)형태의 금속무기물혼합층을 진공증착시키는 제1단계와; 열처리에 의해 상기 금속무기물혼합층을 금속상과 절연무기물상으로 분리시켜, 상기 금속무기물혼합층을 금속볼이 구비된 절연무기물상으로 형성시켜 전압가변형 저항층을 형성시키는 제2단계와; 상기 전압가변형 저항층 상부에 내부전극을 형성시키는 제3단계와; 상기 전압가변형 저항층 및 내부전극을 외부환경으로부터 보호하기 위해 그 상층에 보호막층을 형성시키는 제4단계와; 상기 보호막층이 형성된 기판 양측에 외부전극을 형성시키는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ESD 방지용 보호 소자의 제조방법 및 이에 의한 보호 소자를 기술적 요지로 한다. 전압가변형 저항층이 금속볼이 구비된 절연무기물상으로 형성되어, 종래의 고분자 수지의 사용으로 순간펄스에 의한 탄화문제를 해결함으로써 저항이 낮아지는 것을 방지하여 높은 순간펄스 내량과 낮은 정전용량 설계로 인한 빠른 반응특성을 갖는 칩 형태의 과전압 보호 소자를 제조할 수 있는 이점이 있다.
ESD 순간펄스 탄화 금속볼 절연무기물 전압가변

8. 发明公开

KR1020090050273A 고속 데이터통신라인의 정전방전 방지소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：用于防止快速传输数据通信线上静电放电的装置
公开(公告)号：KR1020090050273A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：KR1020070116623
申请日：2007-11-15
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범
IPC分类号： H01L23/60 , H01L27/04
CPC分类号： H01L23/60 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76838
摘要： 본 발명에서는 방전유도물질로서 고분자수지 대신에 박막형태의 무기물의 전압가변형 저항물질층을 적용하고, 상기 박막형태의 무기물의 전압가변형 저항물질층에 대한 급속열처리공정(RTP:Rapid Thermal Process)을 통하여 입자성장을 제어하는 방식으로 전압가변형 저항물질층에서의 벌크(bulk)특성을 구현함으로써 방전유도물질의 탄화에 따른 쇼트(Short)현상을 근본적으로 방지할 수 있도록 하고, 극단적으로 낮은 정전용량값을 얻어 정전방전에 신속하게 반응할 수 있도록 하는 한편, 내부전극을 미세 패턴화하는 방식으로 그 유효길이를 길게 형성함으로써 과도한 정전방전을 1차 감쇄시킬 수 있도록 하여 정전방전에 대한 안전성을 크게 향상시킬 수 있도록 하는 한편, 내부전극 사이의 간극(Gap)에 의하여 방전전압을 자유자재로 조절할 수 있도록 한 고속 데이터통신라인의 정전방전 방지소자 및 그 제조방법이 개시된다.
본 발명은 표면이 매끄럽게 연마된 치밀한 조직의 절연기판; 상기 절연기판의 좌우 양단에 배치되는 한 쌍의 외부전극과; 상기 절연기판 위에 증착되는 박막형태의 무기물의 전압가변형 저항물질층과; 상기 무기물의 전압가변형 저항물질층의 상부면 또는 하부면에서 외부전극과 전기적으로 연결되며, 설계에 따라 정해진 간극(Gap)을 두고 서로 마주보게 형성되는 한 쌍의 내부전극과; 상기 박막형태의 무기물의 전압가변형 저항물질층과 내부전극의 상부면에 형성되는 보호막을 포함한다.
정전방전, 전압가변형 저항물질, 내부전극, 외부전극

9. 发明授权

KR101149162B1 양극산화법을 이용한 나노섬모의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노섬모 失效
标题翻译：纳米纤毛制造方法和纳米纤毛
公开(公告)号：KR101149162B1
公开(公告)日：2012-05-25
申请号：KR1020100004700
申请日：2010-01-19
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 최면천 , 김철환 , 장윤형 , 황호준
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00
摘要： 본 발명은 양극산화법을 이용한 나노섬모 제조방법에 관한 것으로, 금속 표면을 전해연마하는 제1단계와; 상기 전해연마된 금속에 1차 양극산화공정에 의한 불규칙한 음각의 나노기공을 형성하는 제2단계와; 상기 불규칙한 음각의 나노기공으로 형성된 금속 표면을 식각공정으로 제거하는 제3단계와; 상기 금속 표면에 2차 양극산화공정에 의한 규칙적인 음각의 나노기공을 형성시키는 제4단계와; 상기 금속 표면에 나노기공 확장 공정을 통해 양각의 나노섬모를 형성하는 제5단계; 및 상기 양각의 나노섬모 표면에 표면처리 공정을 통해 소수성을 갖도록 하기 위한 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 양극산화법을 이용한 나노섬모의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노섬모를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 간단한 제조공정에 의해 균일한 길이의 나노섬모를 제조하여 기본적으로 소수성 표면을 갖는 재료를 제조할 수 있으며, 여기에 초소수성 처리를 함으로써 초소수성 표면을 얻을 수 있어 그 응용분야가 다양할 것으로 기대된다.

10. 发明授权

KR101081099B1 다공성 비정질 나노템플릿을 이용한 칩 휴즈 제조방법 失效
标题翻译：使用多孔无定形纳米模板的芯片熔丝制造方法
公开(公告)号：KR101081099B1
公开(公告)日：2011-11-07
申请号：KR1020100029800
申请日：2010-04-01
申请人： 주식회사 넥스트론
发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 최면천 , 권해철 , 김철환 , 장윤형 , 황호준
IPC分类号： H01H85/05
摘要： 본발명은칩 휴즈제조방법에관한것으로서, 기판을양극산화시켜기판상층에다공성비정질나노템플릿을형성하는제1단계와; 상기다공성비정질나노템플릿상부에금속전도체또는용단물질을코팅하는제2단계와; 상기금속전도체또는용단물질상부에보호막을코팅하는제3단계와; 상기금속전도체또는용단물질과연결되는외부전극을형성하는제4단계;를포함하여이루어지되, 상기기판은, 금속또는세라믹기판이고, 금속으로 Al, Ti, Ta, Nb, V, Hf 및 W 중에어느하나의재질로벌크(bulk)로형성되거나, 세라믹기판위에형성된금속층이 Al, Ti, Ta, Nb, V, Hf 및 W 중에어느하나의재질로형성되며, 상기금속층은스퍼터링(sputtering), evaporation, PLD(pulsed laser deposition), CVD(chemical vapor deposition)법중에어느하나의방법에의해형성되는것을특징으로하는다공성비정질나노템플릿을이용한칩 휴즈제조방법을기술적요지로한다. 이에의해열차폐효율이높은다공성비정질나노템플릿을사용하므로써비교적제작방법이용이하며, 저가의기판재료를사용할수 있어경제적이며, 기판쪽 또는기판상부로방사되는열을줄여금속전도체또는용단물질이빠른반응속도또는용단속도를가지면서끊어지도록하여초과전압및 전류가흘러가는것을신속히차단하여제품을안정적으로보호할수 있는이점이있다.

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