基本信息:
- 专利标题： 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해제조된 순간펄스필터
- 专利标题（英）：Transient pulse filter manufacturing method using anodic aluminum oxide and the transient pulse filter
- 专利标题（中）：使用阳极氧化铝和瞬态脉冲过滤器的瞬态脉冲过滤器制造方法
- 申请号：KR1020080076812 申请日：2008-08-06
- 公开(公告)号：KR1020100018167A 公开(公告)日：2010-02-17
- 发明人： 문학범 , 조진형 , 방석현 , 김철환 , 장윤형
- 申请人： 주식회사 넥스트론
- 申请人地址： Unit ***, V* Tower, ***-**, Gaejwa-ro, Geumjeong-gu, Busan, Korea
- 专利权人： 주식회사 넥스트론
- 当前专利权人： 주식회사 넥스트론
- 当前专利权人地址： Unit ***, V* Tower, ***-**, Gaejwa-ro, Geumjeong-gu, Busan, Korea
- 代理人： 특허법인부경
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; H01L21/20
摘要：
PURPOSE: A transient pulse filter manufacturing method using an anodic aluminum oxide and a transient pulse filter is provided to control the trigger voltage, the clamp voltage, and the leakage current etc by controlling the energy barrier thickness between the conductive materials. CONSTITUTION: An aluminum thin film layer is formed on the top of the insulator substrate(100). An aluminum oxide thin film layer(300) formed with a pore oxidized with the anodizing is formed. The metal material is deposited on the top of the aluminum oxide thin film layer in order to fill the hole. A nanorod(400) is formed inside the aluminum oxide thin film layer by eliminating the deposited metal material except for the hole. An inner electrode(500) is formed on the upper part of the aluminum oxide thin film layer in which a nanorod is formed. A passivation layer(600) is formed on the output upper part. An outer electrode(700) is formed on both sides of the substrate on which the passivation layer is formed.
摘要（中）：
目的：提供使用阳极氧化铝和瞬态脉冲滤波器的瞬态脉冲滤波器制造方法，通过控制导电材料之间的能量屏障厚度来控制触发电压，钳位电压和漏电流等。 构成：在绝缘体基板（100）的顶部上形成铝薄膜层。 形成有用阳极氧化氧化的孔形成的氧化铝薄膜层（300）。 金属材料沉积在氧化铝薄膜层的顶部以便填充孔。 通过除去除了孔之外的沉积金属材料，在氧化铝薄膜层的内部形成纳米棒（400）。 内部电极（500）形成在形成有纳米棒的氧化铝薄膜层的上部。 在输出上部形成钝化层（600）。 外部电极（700）形成在其上形成有钝化层的基板的两侧。
公开/授权文献:
- KR100975530B1 양극산화법을 이용한 순간펄스필터 제조방법 및 이에 의해제조된 순간펄스필터 公开/授权日：2010-08-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |