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1. 发明公开

KR1020140085122A 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020140085122A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155330
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이성재 , 전환승 , 조연진 , 이철호 , 이충헌
IPC分类号： G03F1/00 , C07C33/26 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C07C33/26 , C07C43/23 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/40 , G03F1/10 , G03F1/50 , G03F7/20 , G03F7/265 , H01L21/0271 , H01L21/0273
摘要： The present invention relates to a monomer for a hard mask composition represented by Chemical formula 1, a hard mask composition including the monomer, and a method for forming patterns using the same. [Chemical formula 1] In Chemical formula 1, A0, A1, A2, L1, L1′, L2, L2′, X1, X2, m and n are defined as in the specification.
摘要翻译：本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物用单体，包含该单体的硬掩模组合物以及使用该单体形成图案的方法。 [化学式1]在化学式1中，A0，A1，A2，L1，L1'，L2，L2'，X1，X2，m和n如说明书中所定义。

2. 发明公开

KR1020140085120A 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR1020140085120A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020120155328
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이성재 , 문준영 , 박유정 , 전환승 , 조연진 , 이철호
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/10 , G03F7/265 , H01L21/0271 , H01L21/0273
摘要： Provided is a hard mask composition which includes an aromatic ring-containing compound and a solvent including a structure unit represented by chemical formula 1. [Chemical formula 1] In chemical formula 1, L, X and n are defined as in the specification. In addition, a method for forming patterns using the hard mask composition and a semiconductor integrated circuit device including multiple patterns formed by the method are provided.
摘要翻译：提供包含含芳环的化合物和包含由化学式1表示的结构单元的溶剂的硬掩模组合物。[化学式1]在化学式1中，L，X和n如说明书中所定义。此外，提供了使用该硬掩模组合物形成图案的方法以及包括通过该方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。

3. 发明公开

KR1020140083696A 반도체 소자의 듀얼 다마신 구조 형성 방법 및 그에 따른 반도체 소자 디바이스 无效
标题翻译：一种形成半导体器件的双重结构的方法及其半导体器件
公开(公告)号：KR1020140083696A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153753
申请日：2012-12-26
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 문준영 , 조연진 , 이성재 , 박유정 , 윤용운 , 이철호 , 이충헌
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76804 , H01L21/76808 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Provided is a method for forming a dual damascene structure of a semiconductor element which is as follows: (a) first and second insulation layers are sequentially formed on a substrate; (b) a resist mask with a pattern for forming a via-hole is formed on the second insulation layer; (c) a via-hole is formed to a bottom of the first insulation layer; (d) a hard mask layer is formed on the via-hole and the second insulation layer by using a spin-on-coating method; (e) a resist mask with a pattern for forming a trench hole is formed on the hard mask layer; (f) a first trench hole is formed to a bottom of the second insulation layer through the resist mask; (g) each of portions of a hard mask layer, which are formed on the via-hole and the second insulation layer, are removed; (h) a portion of the second insulation layer between a top corner of the via-hole (via top corner) and a bottom corner of the first trench hole (trench bottom corner) is removed to form a second trench hole; (i) a remaining hard mask layer, which is formed on the via-hole and the second insulation layer, is removed; and (j) the via-hole and the second trench hole are buried with a conductive material, such that an upper interconnection is formed.
摘要翻译：提供一种用于形成半导体元件的双镶嵌结构的方法，其如下：（a）第一和第二绝缘层依次形成在基板上; （b）在第二绝缘层上形成具有用于形成通孔的图案的抗蚀剂掩模; （c）在第一绝缘层的底部形成通孔; （d）使用旋涂法在通孔和第二绝缘层上形成硬掩模层; （e）在硬掩模层上形成具有用于形成沟槽的图案的抗蚀剂掩模; （f）通过抗蚀剂掩模，在第二绝缘层的底部形成第一沟槽; （g）去除形成在通孔和第二绝缘层上的硬掩模层的各部分; （h）去除所述通孔的顶角（经由顶角）和所述第一沟槽的底角（沟槽底角）之间的所述第二绝缘层的一部分，以形成第二沟槽; （i）除去形成在通孔和第二绝缘层上的剩余硬掩模层; 和（j）通孔和第二沟槽用导电材料掩埋，从而形成上互连。

4. 发明授权

KR101423171B1 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR101423171B1
公开(公告)日：2014-07-25
申请号：KR1020100139422
申请日：2010-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 김민수 , 전환승 , 송지윤 , 김영민 , 이철호 , 이충헌
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/094
摘要： 하기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분 중 적어도 하나를 포함하는 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

상기 화학식 1 또는 2에서,
Ar, R
1 내지 R
3 및 n의 정의는 명세서에 정의한 바와 같다.
또한 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 방법으로 형성된 복수의 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 또한 제공한다.

5. 发明授权

KR101354639B1 포토레지스트 하부막 형성용 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
标题翻译：用于光刻胶底层的组合物，使用其的形成图案的方法和包括图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR101354639B1
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020110147874
申请日：2011-12-30
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이성재 , 조연진 , 하광일 , 이철호 , 이충헌
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/095
摘要： 하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 반복단위를 포함하는 공중합체 및 용매를 포함하는 포토레지스트 하부막 형성용 조성물, 이를 이용한 패턴 형성 방법, 그리고 상기 방법으로 형성된 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스에 관한 것이다.
[화학식 1]

[화학식 2]

[화학식 3]

[화학식 4]

(상기 화학식 1 내지 4에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)

6. 发明公开

KR1020030034395A 고무라텍스의 응집입자 제조방법 失效
标题翻译：生产橡胶胶乳凝胶颗粒的方法
公开(公告)号：KR1020030034395A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020010065317
申请日：2001-10-23
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 장기보 , 이병도 , 임광열 , 박상규 , 전동원 , 이철호
IPC分类号： C08C1/16
摘要： PURPOSE: Provided is a method for producing coagulated particles of rubber latex excellent in stability, which shows small changes of particle diameter with the lapse of time. CONSTITUTION: The method comprises the steps of (i) forming a seed synthetic rubber latex by typical emulsion polymerization, (ii) mixing an ion-exchanged water, pH adjusting agent, and emulsifier into a unsaturated acid-containing copolymer latex having solid content of 10-50 wt%, to pre-treat the latex so as to have solid content of 1-10 wt% and pH of 3-11, (iii) introducing the pre-treated latex into the seed synthetic rubber latex formed from the step(i), and (iv) adding an ion-exchanged water, anionic emulsifier, nonionic emulsifier, antifoaming agent, and water-soluble polymer to the seed synthetic rubber latex. The method is characterized in that the water-soluble polymer is selected from the group consisting of polyethylene glycol having number average molecular weight of 200-20,000, copolymer of ethylene glycol and ethylene oxide, and a copolymer of polypropylene glycol and propylene glycol and ethylene oxide.
摘要翻译：目的：提供稳定性优异的胶乳凝固粒子的方法，随着时间的推移，粒径的变化小。构成：该方法包括以下步骤：（i）通过典型的乳液聚合形成种子合成橡胶胶乳，（ii）将离子交换水，pH调节剂和乳化剂混合到具有固体含量的不饱和酸的共聚物胶乳中 10-50重量％，以预处理胶乳以使固体含量为1-10重量％，pH为3-11，（iii）将预处理的胶乳引入由步骤（i）中，和（iv）向种子合成橡胶胶乳中加入离子交换水，阴离子乳化剂，非离子乳化剂，消泡剂和水溶性聚合物。该方法的特征在于，水溶性聚合物选自数均分子量为200-20,000的聚乙二醇，乙二醇和环氧乙烷的共聚物，以及聚丙二醇和丙二醇与环氧乙烷的共聚物。

7. 发明授权

KR101599961B1 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
公开(公告)号：KR101599961B1
公开(公告)日：2016-03-04
申请号：KR1020120153566
申请日：2012-12-26
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 박유정 , 김혜정 , 박요철 , 윤용운 , 이성재 , 이철호 , 조연진
IPC分类号： C07C49/792 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/027 , C07C49/788 , C07C49/792 , C07C49/796 , C07C49/798 , C07C49/83 , C07C49/835 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/36
摘要： 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 상기하드마스크조성물을사용한패턴형성방법에관한것이다.[화학식 1]상기화학식 1에서,A내지 A, X, X, L, L, Y, Y, n1 및 n2의정의는명세서에기재한바와같다.

8. 发明授权

KR101566533B1 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴형성방법 有权
标题翻译： HARDMASK组合物和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR101566533B1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020120118491
申请日：2012-10-24
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이철호 , 박유정 , 윤용운 , 이성재 , 조연진 , 김영민 , 이충헌
IPC分类号： G03F7/004 , G03F1/00 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0035 , G03F7/094
摘要： 하기화학식 1로표현되는중합체, 하기화학식 2로표현되는모노머, 그리고용매를포함하고, 상기모노머는상기중합체보다높은함량으로포함되어있는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1][화학식 2]AR1, AR2, R 내지 R, x, y 및 n은명세서에서정의한바와같다.

9. 发明授权

KR101566531B1 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
标题翻译：包含该单体的硬掩模组合物，以及使用该硬掩模组合物的图案形成方法
公开(公告)号：KR101566531B1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020120155330
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이성재 , 전환승 , 조연진 , 이철호 , 이충헌
IPC分类号： G03F1/00 , C07C33/26 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： C07C33/26 , C07C43/23 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/40
摘要： 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A, A, L, L′, L, L′, X, X, m 및 n은명세서에서정의한바와같다.
摘要翻译：包含该单体的硬掩模组合物，以及使用其的图案形成方法。式1在式1中，A，A，A，L，L 'L，L'，X，X，m和n如说明书中所定义。

10. 发明授权

KR101556278B1 하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101556278B1
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：KR1020120155328
申请日：2012-12-27
申请人： 제일모직주식회사
发明人： 이성재 , 문준영 , 박유정 , 전환승 , 조연진 , 이철호
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要： 하기화학식 1로표현되는구조단위를포함하는방향족고리함유화합물및 용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, L, X 및 n의정의는명세서에서정의한바와같다. 또한상기하드마스크조성물을사용한패턴형성방법및 상기방법으로형성된복수의패턴을포함하는반도체집적회로디바이스또한제공한다.

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