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1. 发明公开

KR1020140087821A 로드 락 챔버 无效
标题翻译：负载门锁
公开(公告)号：KR1020140087821A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120158507
申请日：2012-12-31
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 이창엽
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67201 , H01L21/67389
摘要： The present invention provides a load lock chamber which is provided to reduce kinetic energy of gas injected inside a substrate storage space, thereby minimizing particles which are scattered by the injected gas. The kinetic energy of gas is reduced by a method of providing a space to expand a pipe of a gas injecting line to form air atmosphere inside a substrate storage space; by a method of dividing a part of the sections of the gas injection line into unit spaces communicated with each other; and by a method of filling a part of the sections of the gas injection lines with a porous material having air passing therethrough.
摘要翻译：本发明提供了一种负载锁定室，其被设置为减少注入到基板存储空间内的气体的动能，从而使被喷射气体散射的颗粒最小化。通过提供用于扩大气体注入管道的空间以在基板存储空间内形成空气气氛的方法来减少气体的动能; 通过将气体注入管线的一部分分割成彼此连通的单元空间的方法; 以及通过具有穿过其中的空气的多孔材料填充气体注入管线的一部分的方法。

2. 发明授权

KR101332663B1 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 失效
标题翻译：具有相同的喷头和化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR101332663B1
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020110002467
申请日：2011-01-10
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 이창엽
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 서로 다른 가스가 챔버의 내부에서 원활하게 혼합되고, 샤워헤드로부터 균일한 분포로 공정가스가 토출되므로, 기판 상에 형성되는 결정층이 균일한 두께로 증착되는 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치가 개시된다.
본 발명에 따른 샤워헤드는 본체와, 상기 본체의 내부에 마련되어 제 1가스가 공급되며, 상기 제 1가스가 토출되는 제 1토출구가 형성되는 제 1가스챔버와, 상기 본체의 내부에 마련되어 제 2가스가 공급되며, 상기 제 2가스가 토출되는 제 2토출구가 형성되는 제 2가스챔버를 포함한다.

3. 发明授权

KR101232900B1 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착장치의 세정방법 失效
标题翻译：化学气相沉积装置和化学气相沉积清洗方法
公开(公告)号：KR101232900B1
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：KR1020100124984
申请日：2010-12-08
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 이창엽
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 글로브박스 내부에 배치되어 증착공정을 수행하는 샤워헤드를 간편하게 세정, 또는 정비하도록 한 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 화학기상 증착방법이 개시된다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 글로브(glove)가 설치되는 글로브박스(glove box)와, 상기 글로브박스의 내부에 배치되어 일단이 개방되는 챔버(chamber)와, 상기 챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터(susceptor)와, 상기 챔버의 내부를 향한 일면에 샤워헤드(showerhead)가 설치되어 상기 챔버의 일단부에 결합되는 리드(lid)와, 상기 리드의 이면을 지지하며, 상기 샤워헤드가 상기 글로브에 대향되도록 상기 리드의 자세를 변경시키고, 자세가 변경된 상기 리드를 상기 글로브를 향해 이송하는 리드구동부를 포함한다.

4. 发明授权

KR101232899B1 서셉터, 이를 포함하는 화학기상증착장치 및 화학기상증착방법 失效
标题翻译： SUSCEPTOR，装置及其化学气相沉积方法
公开(公告)号：KR101232899B1
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：KR1020100127086
申请日：2010-12-13
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 정진열 , 이창엽
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683 , C23C16/458
摘要： 본 발명의 실시예에 따른 화학기상증착장치는 공정이 수행되는 반응실과 상기 반응실로부터 외부로 가스를 배기하기 위한 가스 배출구를 구비하는 챔버; 상기 기판으로 공정가스를 공급하는 공정 가스 공급부; 상기 반응실 내부에 구비되어 기판이 로딩되도록 복수개의 단차가 형성된 로딩부를 구비하는 서셉터를 포함하는바 상기와 같은 구성의 본 발명에 따르면 다양크기의 기판을 처리할 수 있어 생산효율이 증가되는 효과가 있다.

5. 发明公开

KR1020120124544A 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법 失效
标题翻译：使用等离子体离子的基板的设备和使用等离子体的层沉积方法
公开(公告)号：KR1020120124544A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042246
申请日：2011-05-04
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 윤종원 , 정석철 , 정구영 , 이미선 , 손형규 , 한명우 , 황재석 , 이창엽
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/54
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and an evaporation method using a plasma ion are provided to improve substrate processing productivity by processing a substrate with an in-line method using a plasma ion source. CONSTITUTION: A first plasma ion source part(320) is placed inside a processing chamber(300). The first plasma ion source part comprises a first ion source(321) and a second ion source(322). A transport part transfers a substrate which is processed in the first plasma ion source part to an outlet side of the processing chamber. A second plasma ion source part(340) processes the substrate which is transferred to the outlet side of the processing chamber. A partition wall(330) is installed between the first plasma ion source part and the second plasma ion source part.
摘要翻译：目的：提供使用等离子体离子的衬底处理设备和蒸发方法，以通过使用等离子体离子源的在线方法处理衬底来提高衬底处理生产率。构成：将第一等离子体离子源部分（320）放置在处理室（300）内。第一等离子体离子源部分包括第一离子源（321）和第二离子源（322）。运输部件将在第一等离子体离子源部件中处理的基板转移到处理室的出口侧。第二等离子体离子源部分（340）处理被转移到处理室的出口侧的衬底。分隔壁（330）安装在第一等离子体离子源部分和第二等离子体离子源部分之间。

6. 发明公开

KR1020120080975A 샤워헤드용 토출관, 이를 이용한 샤워헤드 및 화학기상 증착장치 无效
标题翻译：淋浴头管，淋浴头和化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR1020120080975A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：KR1020110002468
申请日：2011-01-10
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 이창엽
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/303 , C23C16/45574 , H01L21/02387
摘要： PURPOSE: A shower head and a chemical vapor depositing device are provided to improve the efficiency of a manufacturing process by reducing the number of installation processes. CONSTITUTION: A first gas is discharged through a first discharge path(251). A second gas is discharged through a second discharge path(252). The second discharge path is separated from the first discharge path. The first gas and the second gas are respectively supplied to the first discharge path and the second discharge path through different supply surfaces. The first gas and the second gas are discharged from the first discharge path and the second discharge path through the same discharge surface.
摘要翻译：目的：提供淋浴头和化学气相沉积装置，以通过减少安装过程的数量来提高制造过程的效率。构成：第一气体通过第一排出路径（251）排出。第二气体通过第二排出路径（252）排出。第二排出路径与第一排出路径分离。第一气体和第二气体分别通过不同的供给面供给到第一排出路径和第二排出路径。第一气体和第二气体通过相同的排出表面从第一排出路径和第二排出路径排出。

7. 发明授权

KR101369452B1 화학기상 증착장치 有权
标题翻译：具有相同的化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR101369452B1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：KR1020130020064
申请日：2013-02-25
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 이창엽
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 서로 다른 가스가 챔버의 내부에서 원활하게 혼합되고, 샤워헤드로부터 균일한 분포로 공정가스가 토출되므로, 기판 상에 형성되는 결정층이 균일한 두께로 증착되는 샤워헤드 및 이를 이용한 화학기상 증착장치가 개시된다.
본 발명에 따른 화학기상 증착장치는 공정챔버와, 상기 공정챔버의 내부에 배치되어 기판을 지지하며, 회전 구동되는 서셉터와, 상기 공정챔버의 내부로 제 1가스와 제 2가스를 분사하는 샤워헤드를 포함하되, 상기 샤워헤드는 본체와, 상기 본체의 내부에 마련되어 상기 제 1가스가 공급되며, 상기 제 1가스가 토출되는 복수의 제 1토출구가 형성되는 제 1가스챔버와, 상기 본체의 내부에 마련되어 상기 제 2가스가 공급되며, 상기 제 2가스가 토출되는 복수의 제 2토출구가 형성되는 제 2가스챔버를 포함하며, 상기 제 1가스챔버와 상기 제 1가스챔버는 동일 평면 상에서 상기 서셉터가 회전되는 방향으로 회전되는 회오리 형태로 서로 이웃되게 배치되며, 상기 복수의 제 1토출구와 상기 복수의 제 2토출구는 동일 평면 상에서 형성될 수 있다.

8. 发明授权

KR101367666B1 서셉터 및 이를 이용한 화학기상 증착장치 失效
标题翻译：受体和使用其的化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR101367666B1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020100124985
申请日：2010-12-08
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 이창엽 , 정진열 , 이재무
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/68 , C23C16/458 , H01L21/205
摘要： 기판의 크기에 따라 서셉터를 간편하게 교체할 수 있도록 한 서셉터 및 화학기상 증착장치가 개시된다.
본 발명에 따른 서셉터는 기판의 크기에 따른 관통홀이 형성되어 상기 관통홀 내부에 수용되는 상기 기판의 둘레를 지지하는 제 1지지판과, 상기 제 1지지판의 크기에 따른 지지홈이 형성되며, 상기 지지홈에 수용되는 상기 제 1지지판의 둘레 및 밑면을 함께 지지하며, 상기 제 1지지판에 지지되는 상기 기판의 밑면을 지지하는 제 2지지판을 포함한다.

9. 发明授权

KR101367376B1 금속 유기물 화학기상 증착장치 有权
标题翻译：金属有机化学气相沉积装置
公开(公告)号：KR101367376B1
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020110115988
申请日：2011-11-08
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 이재무 , 이창엽
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44 , H01L21/205
摘要： 증착 공정 후에 배출되는 유해가스를 분해하여 유해가스가 대기로 배출되는 것을 방지하는 금속 유기물 화학기상 증착장치가 개시된다. 본 발명에 따른 금속 유기물 화학기상 증착장치는 공정 챔버 및 상기 공정 챔버의 내부에 위치하며 기판이 안착되는 서셉터 및 상기 서셉터에 대향되도록 위치되어 상기 기판을 향해 공정가스를 확산시키는 샤워헤드 및 상기 공정 챔버에서 화학기상 증착공정 실시 후 배출되는 배출 가스를 플라즈마에 의하여 정화시키는 가스 정화부를 포함한다.

10. 发明授权

KR101322278B1 화학기상증착장치 및 이를 이용한 화학기상증착방법 失效
标题翻译：化学气相沉积及其使用方法
公开(公告)号：KR101322278B1
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：KR1020110089519
申请日：2011-09-05
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 이창엽 , 이재무
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 전술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치는 공정공간을 구비하는 챔버와, 상기 공정공간 내의 가스를 상기 챔버의 외부로 배출하는 배기부와, 상기 배기부에 구비되어, 상기 가스 중 공정방해가스를 감지하는 가스센서를 구비하는 센서부를 포함하고, 공정 중에 공정에 불필요하거나 공정을 방해하는 가스를 감지하여 공정품질을 보장할 수 있다.

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