专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101866210B1 플라즈마 발생용 안테나 구조체 有权
公开(公告)号：KR101866210B1
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：KR1020160146787
申请日：2016-11-04
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 최정수 , 정석철
IPC分类号： H01J37/32 , H01Q1/26 , H05H1/46
摘要： 본발명의실시예에따른플라즈마발생용안테나구조체는, 제1 평면상에위치하며중앙부가절곡되어일단부는제1 방향과평행하고타단부는제2 방향과평행하게형성되는제1 코너안테나선, 상기제1 코너안테나선의일단부로부터제2 평면을향해연장형성되는제2 코너안테나선, 상기제2 코너안테나선으로부터연장되어상기제2 평면상에위치하며중앙부가절곡되어일단부는상기제1 방향과평행하고타단부는상기제2 방향과평행하게형성되는제3 코너안테나선, 상기제3 코너안테나선의타단부로부터상기제1 평면을향해연장형성되는제4 코너안테나선및 상기제4 코너안테나선으로부터연장되어상기제1 코너안테나선과이격된상태로상기제1 평면상에위치하며중앙부가절곡되어일단부는상기제1 방향과평행하고타단부는상기제2 방향과평행하게형성되는제5 코너안테나선을포함하는코너안테나부를포함한다.

2. 发明授权

KR101425432B1 기판 처리 장치 有权
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：KR101425432B1
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020120152139
申请日：2012-12-24
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 최정수 , 정석철
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
摘要： 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판에 증착되는 증착 물질이 이송부로 진행되는 것을 차단하기 위한 것으로, 기판이 내부로 반입되는 공정 챔버 및 상기 공정 챔버의 상측벽에 설치되는 소스부 및 상기 공정 챔버의 내부에서 상기 소스부의 하측에 배치되어, 상기 기판을 상기 공정 챔버의 입구로부터 상기 공정 챔버의 출구로 이송시키는 이송부 및 상기 소스부와 상기 이송부 사이에 배치되어, 상기 소스부에서 상기 기판으로 제공되는 증착 물질이 상기 이송부로 진행되는 것을 차단하는 차단부를 포함하여, 증착 물질이 이송부로 진행되는 것이 차단되기 때문에, 공정 챔버의 내부에서 파티클이 발생되는 것이 방지되어 공정 효율이 향상되고, 양질의 기판을 생산할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：根据本发明的基板处理装置的目的是防止沉积在基底上的沉积材料被传导到转印部，所述基板是所述源极部分和处理腔室，其被设置在处理室的侧壁和所述处理室的被带入配置在内侧的源极部分的下侧，被布置在基板搬送单元和所述源单元，以从处理腔室的入口和传送部传送到处理腔室的出口之间，所述沉积被提供在源极区域到衬底材料是包括阻挡，其防止在转印部分中的进展，因为这其中前进到转移部分的沉积材料中，从颗粒的产生防止从处理腔室的内部，并提高了工艺效率的块，从而产生高质量的衬底可以有效。

3. 发明授权

KR101363002B1 플라즈마를 이용한 기판처리장치 및 기판처리방법 失效
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法使用等离子体
公开(公告)号：KR101363002B1
公开(公告)日：2014-02-18
申请号：KR1020110147945
申请日：2011-12-30
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 정석철
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 단위시간당 기판처리면적을 현저하게 증가시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 기판처리장치의 개발이 필요하다. 이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는 제1챔버와, 제1챔버와 다른 제2챔버와, 제1챔버 내부와 제2챔버 내부가 서로 연통되도록 하거나 차단되도록 설치된 게이트밸브와, 제1챔버 내부의 기판에 대하여 제1플라즈마를 조사하도록 제1챔버에 설치된 제1플라즈마 소스와, 제1플라즈마에 의하여 활성화되어 기판 상면에 비정질 규소층(amorphous silicon layer)이 증착되도록 제1전구체 가스를 제1챔버에 공급하는 제1전구체 가스 공급유닛과, 기판을 제1챔버로부터 제2챔버로 이송하는 이송유닛과, 제2챔버 내부의 기판에 대하여 제2플라즈마를 조사하도록 제2챔버에 설치된 제2플라즈마 소스 및 제2플라즈마에 의하여 활성화되어 비정질 규소층을 질화 규소층으로 변환시키도록 제2전구체 가스를 상기 제2챔버에 공급하는 제2전구체 가스 공급유닛을 포함한다.

4. 发明公开

KR1020130078813A 플라즈마 소스 및 이를 포함하는 기판처리장치 无效
标题翻译：等离子体源和底物处理装置
公开(公告)号：KR1020130078813A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020110147943
申请日：2011-12-30
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 정석철
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32669 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32458 , H01J37/32532 , H05H1/46
摘要： PURPOSE: A plasma source and a substrate processing device including the same are provided to generate a linear plasma beam or an ion beam and increase a substrate processing area per unit hour by implementing a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) device in an inline method. CONSTITUTION: A plasma source (120) includes a housing (121), a thermionic emission unit and a magnetic field forming unit (126). The housing introduces process gas to the inside. The thermionic emission unit induces plasma by discharging thermions with regard to the process gas introduced to the housing. The magnetic field forming unit is installed in the housing and restrains electrons of the plasma induced in the housing by forming a magnetic mirror.
摘要翻译：目的：提供等离子体源和包括该等离子体源的基板处理装置，以通过以线性方式实现等离子体增强化学气相沉积（PECVD）装置来产生线性等离子体束或离子束并增加每单位时间的基板处理面积。构成：等离子体源（120）包括壳体（121），热电子发射单元和磁场形成单元（126）。外壳将工艺气体引入内部。热离子发射单元通过相对于引入壳体的工艺气体排出热量来诱导等离子体。磁场形成单元安装在壳体中并通过形成磁镜来抑制在壳体中感应的等离子体的电子。

5. 发明公开

KR1020120124544A 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법 失效
标题翻译：使用等离子体离子的基板的设备和使用等离子体的层沉积方法
公开(公告)号：KR1020120124544A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042246
申请日：2011-05-04
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 윤종원 , 정석철 , 정구영 , 이미선 , 손형규 , 한명우 , 황재석 , 이창엽
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/513 , C23C16/54
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and an evaporation method using a plasma ion are provided to improve substrate processing productivity by processing a substrate with an in-line method using a plasma ion source. CONSTITUTION: A first plasma ion source part(320) is placed inside a processing chamber(300). The first plasma ion source part comprises a first ion source(321) and a second ion source(322). A transport part transfers a substrate which is processed in the first plasma ion source part to an outlet side of the processing chamber. A second plasma ion source part(340) processes the substrate which is transferred to the outlet side of the processing chamber. A partition wall(330) is installed between the first plasma ion source part and the second plasma ion source part.
摘要翻译：目的：提供使用等离子体离子的衬底处理设备和蒸发方法，以通过使用等离子体离子源的在线方法处理衬底来提高衬底处理生产率。构成：将第一等离子体离子源部分（320）放置在处理室（300）内。第一等离子体离子源部分包括第一离子源（321）和第二离子源（322）。运输部件将在第一等离子体离子源部件中处理的基板转移到处理室的出口侧。第二等离子体离子源部分（340）处理被转移到处理室的出口侧的衬底。分隔壁（330）安装在第一等离子体离子源部分和第二等离子体离子源部分之间。

6. 发明授权

KR101300121B1 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 失效
标题翻译：用于使用等离子体离子的基板的装置
公开(公告)号：KR101300121B1
公开(公告)日：2013-08-30
申请号：KR1020110042247
申请日：2011-05-04
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 윤종원 , 정석철 , 정구영 , 이미선 , 손형규 , 한명우 , 황재석 , 이창엽
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/203
摘要： 본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 구비되며, 상기 공정 챔버의 입구 측으로 진입한 기판에 대하여 처리를 수행하는 제 1플라즈마 이온 소스부; 상기 공정 챔버의 하부에 위치하며, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부에서 처리된 기판을 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이송시키는 이송부; 상기 공정 챔버의 내부에 구비되며, 상기 이송부에 의하여 상기 제 1플라즈마 이온 소스부로부터 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이동하는 상기 기판에 대하여 처리를 수행하는 제 2플라즈마 이온 소스부; 상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부 사이에 설치되며, 하단이 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 상기 기판이 이동 가능한 정도로 이격되고, 상기 공정 챔버 내부로 개구된 흡입구가 형성된 격벽을 구비하는 것으로, 본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치는 고밀도의 선형 플라즈마로 인라인 방식으로 기판에 대한 처리가 가능하고, 고속으로 다량의 기판에 대한 처리 및 화학기상증착에 의한 박막 증착이 가능하여 서로 다른 두 개의 영역에서 증착 공정을 수행할 때 상호간의 파티클 및 오염원의 이동을 억제하여 효과적인 반복 증착이 가능하도록 하는 효과가 있다.

7. 发明授权

KR101278702B1 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법 失效
标题翻译：使用等离子体离子的基板的设备和使用等离子体的层沉积方法
公开(公告)号：KR101278702B1
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020110042246
申请日：2011-05-04
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 윤종원 , 정석철 , 정구영 , 이미선 , 손형규 , 한명우 , 황재석 , 이창엽
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부에 구비되며, 상기 공정 챔버의 입구 측으로 진입한 기판에 대하여 처리를 수행하는 제 1플라즈마 이온 소스부; 상기 공정 챔버의 하부에 위치하며, 상기 제 1플라즈마 이온 소스부에서 처리된 기판을 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이송시키는 이송부; 상기 공정 챔버의 내부에 구비되며, 상기 이송부에 의하여 상기 제 1플라즈마 이온 소스부로부터 상기 공정 챔버의 출구 측으로 이동하는 상기 기판에 대하여 처리를 수행하는 제 2플라즈마 이온 소스부; 상기 제 1플라즈마 이온 소스부와 상기 제 2플라즈마 이온 소스부 사이에 설치되며, 하단이 상기 공정 챔버의 바닥면으로부터 상기 기판이 이동 가능한 정도로 이격된 격벽을 구비하는 것으로, 본 발명에 따른 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 및 플라즈마 이온을 이용한 막 증착방법은 완전방전전류가 이온 소스의 내부에서 외부로 분사되는 형태로 선형 플라즈마를 형성하므로 고밀도의 플라즈마를 형성하여 인라인 방식으로 기판에 대한 처리가 가능하고, 선형 방향으로 플라즈마의 길이를 확장시켜 대면적의 기판에 대한 처리가 가능하며, 저압에서 공정 진행이 가능하여 오염물에 대한 대응에 유리함으로써 고속으로 다량의 기판에 대한 처리 및 화학기상증착에 의한 박막 증착이 가능한 효과가 있다.

8. 发明公开

KR1020120124545A 플라즈마 이온을 이용한 기판처리장치 失效
标题翻译：用于使用等离子体离子的基板的装置
公开(公告)号：KR1020120124545A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042247
申请日：2011-05-04
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 윤종원 , 정석철 , 정구영 , 이미선 , 손형규 , 한명우 , 황재석 , 이창엽
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L21/203
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/54 , H01J37/32761 , H01J37/32899
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to easily process a substrate of large size by forming linear plasma as the form which is emitted to outside from the inside of an ion source. CONSTITUTION: A first plasma ion source part(320) is placed inside a processing chamber(300). The first plasma ion source part comprises a first ion source(321) and a second ion source(322). A transport part transfers a substrate which is processed in the first plasma ion source part to an outlet side of the processing chamber. A second plasma ion source part(340) processes the substrate which is transferred to the outlet side of the processing chamber. A partition wall(330) is installed between the first plasma ion source part and the second plasma ion source part.
摘要翻译：目的：提供一种基板处理装置，通过形成从离子源的内部向外部排出的形式的线性等离子体，容易地处理大尺寸的基板。构成：将第一等离子体离子源部分（320）放置在处理室（300）内。第一等离子体离子源部分包括第一离子源（321）和第二离子源（322）。运输部件将在第一等离子体离子源部件中处理的基板转移到处理室的出口侧。第二等离子体离子源部分（340）处理被转移到处理室的出口侧的衬底。分隔壁（330）安装在第一等离子体离子源部分和第二等离子体离子源部分之间。

9. 发明公开

KR1020180050068A 플라즈마 발생용 안테나 구조체 有权
公开(公告)号：KR1020180050068A
公开(公告)日：2018-05-14
申请号：KR1020160146787
申请日：2016-11-04
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 최정수 , 정석철
IPC分类号： H01J37/32 , H01Q1/26 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01Q1/26 , H05H2001/4667
摘要： 본발명의실시예에따른플라즈마발생용안테나구조체는, 제1 평면상에위치하며중앙부가절곡되어일단부는제1 방향과평행하고타단부는제2 방향과평행하게형성되는제1 코너안테나선, 상기제1 코너안테나선의일단부로부터제2 평면을향해연장형성되는제2 코너안테나선, 상기제2 코너안테나선으로부터연장되어상기제2 평면상에위치하며중앙부가절곡되어일단부는상기제1 방향과평행하고타단부는상기제2 방향과평행하게형성되는제3 코너안테나선, 상기제3 코너안테나선의타단부로부터상기제1 평면을향해연장형성되는제4 코너안테나선및 상기제4 코너안테나선으로부터연장되어상기제1 코너안테나선과이격된상태로상기제1 평면상에위치하며중앙부가절곡되어일단부는상기제1 방향과평행하고타단부는상기제2 방향과평행하게형성되는제5 코너안테나선을포함하는코너안테나부를포함한다.

10. 发明公开

KR1020170123566A 유도 결합 플라즈마 처리 장치 审中-实审
标题翻译：电感耦合等离子体处理装置
公开(公告)号：KR1020170123566A
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：KR1020160119353
申请日：2016-09-19
申请人： 인베니아 주식회사
发明人： 최정수 , 정석철
IPC分类号： H01J37/32 , G01R21/01 , H01Q1/26 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32174 , G01R21/01 , H01J37/3211 , H01Q1/26 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要： 본발명의일 실시예에따른유도결합플라즈마처리장치는, 상호분리된복수의안테나부, 상기복수의안테나부로공급되는고주파전력이인가되는메인급전라인, 상기메인급전라인으로부터분기되어상기복수의안테나부와각각연결되는복수의서브급전라인, 상기복수의서브급전라인각각에연결되어각 서브급전라인을통해상기복수의안테나부각각으로인가되는고주파전력에대한정보를출력하는복수의출력포트및 상기복수의출력포트와연결되어상기고주파전력에대한정보를표시하는모니터링부를포함한다.
摘要翻译：电感耦合，根据本发明的一个实施例的等离子体处理装置，穿过多个分离的天线部分的，与所述多个天线的从主电源线的，支链所供给的高频电力，其中，所述主进给线，其是所述多个天线部，并连接到每个所述多个seobeugeup的裸所述多个子电源线的连接到每个所述多个输出端口中的，以及约施加到所述多个天线部的高频电力的输出信息中的每一个与各自的子电源线监视单元连接到多个输出端口以显示关于高频功率的信息。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式