专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100454173B1 레이저 수정방법 및 장치 失效
标题翻译： 레이저수정방법및장치
公开(公告)号：KR100454173B1
公开(公告)日：2004-10-26
申请号：KR1020010050462
申请日：2001-08-21
申请人： 오므론 레이저프론트 가부시키가이샤
发明人： 모리시게유끼오
IPC分类号： B23K26/16
CPC分类号： B23K26/1438 , B23K26/142 , B23K26/1462 , G03F1/72
摘要： 레이저 수정장치는, 포토마스크의 저면상에 형성된, 포토마스크상의 결함으로 레이저를 조사한다. 레이저 조사에 의해 생성된 입자들은, 기판(11)의 저면과 윈도우 포트(13) 사이의 공간으로 가스를 분출함으로써 제거된다. 윈도우 포트(13)는 중심개구(16)를 갖는 상부평면 및 상부는 깔때기형이고 하부는 실린더형인 내벽을 구비한다. 공간으로 도입된 가스는 중심개구(16)를 통과하고, 그 직경을 증가시키면서 소용돌이 흐름을 형성하며, 실린더부에 형성된 가스 아웃렛 포트(14)로부터 배출된다.
摘要翻译：激光矫正装置将激光向上照射到形成在其底面上的光掩模上的缺陷。通过向基板的下表面和窗口之间的空间吹入气体来去除由激光照射产生的颗粒。窗口具有顶部平坦表面，该顶部平坦表面具有中心开口以及具有漏斗形顶部和圆柱形底部的内壁。引入空间的气体通过中心开口，在增大其直径的同时形成螺旋流，并从形成在圆柱形部分上的气体出口排出。

2. 发明授权

KR100562818B1 레이저 가공 방법 및 장치 有权
标题翻译：激光加工方法和装置
公开(公告)号：KR100562818B1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：KR1020030032181
申请日：2003-05-21
申请人： 오므론 레이저프론트 가부시키가이샤
发明人： 모리시게유끼오
IPC分类号： G03F1/74 , G03F1/72
CPC分类号： B23K26/0853 , B23K26/03 , B23K26/12 , B23K26/126 , B23K26/127 , B23K26/142 , C23F1/02 , C23F1/08 , G03F1/72
摘要： 포토마스크 상의 잔류 결함을 제거하기 위한 레이저 가공 방법에는, 결함이 제거된 기판의 부분이 손상되어 가공의 질이 저하되는 해결돼야하는 문제들이 있다.
레이저 가공의 방법에 의해 포토마스크 상의 잔류 결함을 제거하기 위한 방법에서, 잔류 결함은 레이저 비임에 의한 조사가 가공되는 표면이 하방을 지향하여 아래로부터 수행되는 구성과 할로겐화 탄화수소 가스(예컨대, 에틸 요오드화물)를 포함하는 분위기에서의 레이저 비임의 조사를 이용하여 제거될 수 있다.
원료 가스, 정화 가스, 레이저 가공 장치, TY 위치 설정 스테이지, 레이저 조사 및 관측 시스템, 가스 수납부

3. 发明公开

KR1020020033438A 반도체 기판 상의 패턴막을 수정하기 위한 방법 및 디바이스 失效
标题翻译：用于图案校正的方法和装置
公开(公告)号：KR1020020033438A
公开(公告)日：2002-05-06
申请号：KR1020010064579
申请日：2001-10-19
申请人： 오므론 레이저프론트 가부시키가이샤
发明人： 모리시게유끼오 , 오오미야마꼬또
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： C23C16/483 , C23C16/047 , G03F1/72
摘要： PURPOSE: To prevent a film formation from fine particles produced in a laser CVD as a CVD nucleus and the film edge from swelling outside the laser irradiation pattern in a conventional correction method of fine clear defect. CONSTITUTION: A holding means holds a processed surface of a substrate downward, a film is formed by spraying a gas supplied from a gas supplying means through a gas introduction means on the laser irradiation point with radiating the laser beam on the processed surface downward from the substrate, and corrects the clear defect of the pattern film on the substrate.
摘要翻译：目的：为了防止在激光CVD中产生的细小颗粒中的成膜作为CVD核并且膜边缘在普通的精细清晰缺陷的校正方法中在激光照射图案之外膨胀。构成：保持装置向下保持基板的加工表面，通过在激光照射点上通过气体引入装置喷射从气体供给装置供给的气体，从处理表面向下方喷射激光，形成膜衬底，并校正衬底上图案膜的明显缺陷。

4. 发明授权

KR100444709B1 반도체 기판 상의 패턴막을 수정하기 위한 방법 및 디바이스 失效
标题翻译： 반도체기판상의패턴막을수정하기위한방법및디바이스
公开(公告)号：KR100444709B1
公开(公告)日：2004-08-21
申请号：KR1020010064579
申请日：2001-10-19
申请人： 오므론 레이저프론트 가부시키가이샤
发明人： 모리시게유끼오 , 오오미야마꼬또
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： C23C16/483 , C23C16/047 , G03F1/72
摘要： In order to correct a white defect on a surface of a substrate, the substrate is held with the surface facing downward, laser light is upward irradiated at the defect on the surface in material gas, and as a result, the white defect is covered with film.
摘要翻译：为了校正基板表面上的白色缺陷，保持基板的表面朝下，激光向上照射材料气体表面上的缺陷，结果，白色缺陷被覆盖有电影。

5. 发明公开

KR1020040012454A 레이저 가공 방법 및 장치 有权
标题翻译：激光加工方法和装置
公开(公告)号：KR1020040012454A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：KR1020030032181
申请日：2003-05-21
申请人： 오므론 레이저프론트 가부시키가이샤
发明人： 모리시게유끼오
IPC分类号： G03F1/74 , G03F1/72
CPC分类号： B23K26/0853 , B23K26/03 , B23K26/12 , B23K26/126 , B23K26/127 , B23K26/142 , C23F1/02 , C23F1/08 , G03F1/72
摘要： PURPOSE: To solve the problem that a recessed cut is formed in a part of a substrate where a defect is removed to cause reduction in processing quality in a laser processing method of removing the residual defect of a photomask. CONSTITUTION: In the laser processing method of removing the residual defect of the photomask, the substrate is set so as to make its surface to be processed face downward, and the surface of the substrate is irradiated with a laser beam from below in an atmosphere containing halogenated hydrocarbon gas(e.g. ethyl iodide gas) to remove the residual defect.
摘要翻译：目的：为了解决在去除缺陷的基板的一部分中形成凹陷切口以在去除光掩模的残余缺陷的激光加工方法中降低加工质量的问题。构成：在去除光掩模的残余缺陷的激光加工方法中，将基板设定为使其表面被加工面朝下，并且在下面的基板的表面用下面的激光束在含有卤代烃气体（如乙基碘气）以除去残留缺陷。

6. 发明公开

KR1020020015661A 레이저 수정방법 및 장치 失效
标题翻译：激光修改方法和装置
公开(公告)号：KR1020020015661A
公开(公告)日：2002-02-28
申请号：KR1020010050462
申请日：2001-08-21
申请人： 오므론 레이저프론트 가부시키가이샤
发明人： 모리시게유끼오
IPC分类号： B23K26/16
CPC分类号： B23K26/1438 , B23K26/142 , B23K26/1462 , G03F1/72
摘要： PURPOSE: To provide a laser modifying method and apparatus capable of preventing fine particles formed by evaporation from resticking to a mask substrate and an objective in a laser modifying apparatus which removes a film in a defective part by laser evaporation. CONSTITUTION: In the laser modifying apparatus which emits laser light on a prescribed position on a mask substrate 1 and removes a film in a defective part by laser evaporation, an objective lens for projecting laser light is disposed under the mask substrate, a swirling high-velocity air stream which descends from the laser projection part as the vertex is formed between the objective and the mask substrate so that fine particles formed by evaporation are drawn into drawing holes 4 disposed in the downstream region of the high-velocity air stream.
摘要翻译：目的：提供一种激光修改方法和装置，其能够防止由蒸发形成的细颗粒与掩模基板以及激光修复装置中的目标相结合，该激光修改装置通过激光蒸发除去缺陷部分中的膜。构成：在掩模基板1上的规定位置发出激光的激光修正装置，通过激光蒸镀除去缺陷部分中的膜，在掩模基板的下方设置用于投射激光的物镜，当在物镜和掩模基板之间形成顶点时，从激光投影部分下降的高速空气流，使得通过蒸发形成的微粒被吸入设置在高速空气流的下游区域中的引导孔4中。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式