专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020160104723A 반도체 기판, 반도체 소자 및 반도체 기판 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体衬底，半导体器件和半导体衬底的制造方法
公开(公告)号：KR1020160104723A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：KR1020167021367
申请日：2015-01-07
申请人： 엔크리스 세미컨덕터, 아이엔씨.
发明人： 청,카이
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , H01L21/02 , H01L21/08
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/26 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/00
摘要： 반도체기판, 반도체소자및 반도체기판제조방법에있어서, 반도체기판(1)에제1 반도체층(11) 및제1 반도체층상에위치하는제2 반도체층(12)이포함되되, 제1 반도체층과제2 반도체층또는각자가그 격자대칭성에따라회전한후 수직방향에서상이한벽개면을갖는다. 반도체기판을복합형기판구조로제공함으로써, 동일한기판두께조건하에서반도체에피층에의해인가되는응력이실리콘기판에대해발생시키는손상을줄여실리콘기판이파쇄되는확율을줄일수 있고이와동시에공정난도를줄이고반도체소자의신뢰성을강화시킬수 있다.

2. 发明授权

KR101780890B1 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101780890B1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：KR1020157037194
申请日：2014-01-06
申请人： 엔크리스 세미컨덕터, 아이엔씨.
发明人： 청,카이
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/402 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/31116 , H01L21/32139 , H01L21/76804 , H01L29/2003 , H01L29/401 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/41725 , H01L29/42352 , H01L29/42356 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/66462 , H01L29/66681 , H01L29/7787 , H01L29/7823 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 해당반도체소자에는반도체소자활성영역(1), 전극형상제어층(2), 전극(5)이포함된다.상기전극형상제어층(2)은상기반도체소자활성영역(1) 상에위치하며, 상기전극형상제어층(2)에는알루미늄원소가함유되고알루미늄원소의함량이반도체소자활성영역(1)에서시작하여아래로부터위로점차줄어들고, 전극형상제어층상(2)에전극영역이형성되고전극영역에반도체소자활성영역(1)을향해연장되어종방향으로상기전극형상제어층(2)을관통하는홈이형성되고, 상기홈의측면의전부또는일부가직선경사면또는양측을향해오목하게파여진호형경사면, 또는중앙을향해돌출된호형경사면이며, 상기전극(5)의전부또는일부가전극영역의홈 내에위치하며, 전극(5)의형상과홈의형상이대응되게형성되고, 전극(5)의밑부분이반도체소자활성영역(1)과상호접촉된다. 전극(5)의형상에대한제어를통해전극(5) 근처의전기장세기의분포를변화시켜반도체소자의항복전압및 신뢰성등 성능을향상시킨다.
摘要翻译：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体元件有源区1，电极形状控制层2和电极5.电极形状控制层2位于半导体元件有源区1上，在电极形状控制层2中，包含铝元素，并且铝元素的含量从半导体元件有源区1开始从底部到顶部逐渐减小，在电极形状控制层2中形成电极区域，形成沿长度方向延伸通过电极控制层（2）并且朝向半导体元件有源区（1）延伸的凹槽，并且凹槽的全部或部分侧表面朝向直的倾斜表面或两侧凹入，电极5以电极5的全部或一部分位于电极区域的槽内并且电极5的形状和槽的形状相互对应的方式形成，与半导体元件有源区（1）接触。通过控制电极5的形状，改变电极5附近的电场强度的分布以改善诸如半导体器件的击穿电压和可靠性的性能。

3. 发明授权

KR101902663B1 Ⅲ족 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101902663B1
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：KR1020167012142
申请日：2014-10-14
申请人： 엔크리스 세미컨덕터, 아이엔씨.
发明人： 청,카이
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/0254 , H01L23/3171 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： 본발명은Ⅲ족질화물반도체소자및 그제조방법에관한것으로서, 상기Ⅲ족질화물반도체소자는기판상에성장된질화물반도체층및 보호층이포함되고, 소스전극과드레인전극및 소스전극과드레인전극사이의게이트전극이더 포함된다. 상기질화물반도체층은질화물핵형성층, 질화물버퍼층, 질화물채널층, 질화물장벽층이포함되고; 질화물장벽층이노출될때까지상기보호층은게이트전극영역에식각되어게이트전극위치에홈이형성된다. 본발명의질화물장벽층과게이트전극금속층사이에복합절연층을적용하되, 기판측으로부터순차적으로형성된질화물절연층, 산질화물절연층및 산화물절연층의조합구조가포함된다. 복합절연층의구조는계면상태밀도의증가를초래하지않고, 기존의단층산화물절연층의Ⅲ족질화물반도체소자에비해, 동시에반도체소자의누전과전류붕괴효과를낮출수 있다.

4. 发明授权

KR101770489B1 질화물 고전압 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氮化物高压器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101770489B1
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020157024360
申请日：2014-01-06
申请人： 엔크리스 세미컨덕터, 아이엔씨.
发明人： 청,카이
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L21/3065 , H01L29/0649 , H01L29/1083 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/78
摘要： 질화물고전압소자및 그제조방법에있어서, 질화물고전압소자에는실리콘기판(1); 상기실리콘기판상에위치되는질화물핵형성층(2); 상기질화물핵형성층상에위치되는질화물버퍼층(3); 상기질화물버퍼층상에위치되는질화물채널층(4); 상기질화물채널층과상호접촉되는소스전극(5)과드레인전극(7); 및상기소스전극과드레인전극사이의게이트전극(8)이포함되며, 상기게이트전극과드레인전극사이의영역하측의질화물핵형성층과실리콘기판사이에하나또는복수의국부공간격리영역(11)이형성되어있다. 게이트전극과드레인전극사이의질화물에피층하측의일부실리콘기판을국부적으로제거하고, 실리콘기판과고전압을감당할수 있는질화물에피층을격리시켜, 실리콘기판을통해발생가능한수직방향의절연파괴를방지함으로써고전압절연파괴에강한소자를실현한다.
摘要翻译：在氮化物的高电压设备和制造方法，高电压器件的方法，所述氮化硅基板（1）; 位于硅衬底上的氮化物成核层（2）; 位于氮化物成核层上的氮化物缓冲层（3）位于氮化物缓冲层上的氮化物沟道层（4）与氮化物沟道层接触的源电极5和漏电极7; 并且也是源极和漏极电极之间的栅电极8历元，是一个或多个局部空间隔离区的栅电极和漏电极下方的区域的氮化物成核层和硅衬底11之间释放有。通过在栅极和漏极之间的氮化物，以降低局部去除一些硅衬底皮质并隔离在氮化物能负担得起的硅衬底和高电压皮层，防止硅衬底的可能的垂直方向的发生击穿由此实现耐高压电介质击穿的器件。

5. 发明公开

KR1020160106043A Ⅲ족 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：第III族氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160106043A
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020167012142
申请日：2014-10-14
申请人： 엔크리스 세미컨덕터, 아이엔씨.
发明人： 청,카이
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/0254 , H01L23/3171 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： 본발명은Ⅲ족질화물반도체소자및 그제조방법에관한것으로서, 상기Ⅲ족질화물반도체소자는기판상에성장된질화물반도체층및 보호층이포함되고, 소스전극과드레인전극및 소스전극과드레인전극사이의게이트전극이더 포함된다. 상기질화물반도체층은질화물핵형성층, 질화물버퍼층, 질화물채널층, 질화물장벽층이포함되고; 질화물장벽층이노출될때까지상기보호층은게이트전극영역에식각되어게이트전극위치에홈이형성된다. 본발명의질화물장벽층과게이트전극금속층사이에복합절연층을적용하되, 기판측으로부터순차적으로형성된질화물절연층, 산질화물절연층및 산화물절연층의조합구조가포함된다. 복합절연층의구조는계면상태밀도의증가를초래하지않고, 기존의단층산화물절연층의Ⅲ족질화물반도체소자에비해, 동시에반도체소자의누전과전류붕괴효과를낮출수 있다.

6. 发明公开

KR1020160013218A 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160013218A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020157037194
申请日：2014-01-06
申请人： 엔크리스 세미컨덕터, 아이엔씨.
发明人： 청,카이
IPC分类号： H01L29/43 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/402 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/31116 , H01L21/32139 , H01L21/76804 , H01L29/2003 , H01L29/401 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/41725 , H01L29/42352 , H01L29/42356 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/66462 , H01L29/66681 , H01L29/7787 , H01L29/7823 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要： 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 해당반도체소자에는반도체소자활성영역(1), 전극형상제어층(2), 전극(5)이포함된다.상기전극형상제어층(2)은상기반도체소자활성영역(1) 상에위치하며, 상기전극형상제어층(2)에는알루미늄원소가함유되고알루미늄원소의함량이반도체소자활성영역(1)에서시작하여아래로부터위로점차줄어들고, 전극형상제어층상(2)에전극영역이형성되고전극영역에반도체소자활성영역(1)을향해연장되어종방향으로상기전극형상제어층(2)을관통하는홈이형성되고, 상기홈의측면의전부또는일부가직선경사면또는양측을향해오목하게파여진호형경사면, 또는중앙을향해돌출된호형경사면이며, 상기전극(5)의전부또는일부가전극영역의홈 내에위치하며, 전극(5)의형상과홈의형상이대응되게형성되고, 전극(5)의밑부분이반도체소자활성영역(1)과상호접촉된다. 전극(5)의형상에대한제어를통해전극(5) 근처의전기장세기의분포를변화시켜반도체소자의항복전압및 신뢰성등 성능을향상시킨다.
摘要翻译：公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体器件有源区（1）; 设置在半导体器件有源区域（1）上的电极形状控制层（2），含有铝的电极形状控制层（2），从半导体器件活性区域向下向上减少铝的含量（ 1），设置在电极形状控制层（2）上的电极区域，朝向半导体器件有源区域（1）延伸并纵向穿过电极形状控制层（2）的槽布置在电极区域中的所有或者所述槽的侧面的一部分具有直线斜面，从所述槽的中心线突出的凹形斜面和朝向所述槽的中心线突出的凸形斜面之一的形状; 以及电极（5），其全部或部分设置在所述电极区域的所述槽中，所述电极（5）具有与所述槽的形状匹配的形状，所述电极（5）的底部与所述半导体器件活动区域（1）。通过控制电极（5）的形状，改变电极（5）附近的电场强度，提高了击穿电压和可靠性等半导体器件的性能。

7. 发明公开

KR1020150118986A 질화물 고전압 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氮化物高压组件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150118986A
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020157024360
申请日：2014-01-06
申请人： 엔크리스 세미컨덕터, 아이엔씨.
发明人： 청,카이
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L21/3065 , H01L29/0649 , H01L29/1083 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/78
摘要： 질화물고전압소자및 그제조방법에있어서, 질화물고전압소자에는실리콘기판(1); 상기실리콘기판상에위치되는질화물핵형성층(2); 상기질화물핵형성층상에위치되는질화물버퍼층(3); 상기질화물버퍼층상에위치되는질화물채널층(4); 상기질화물채널층과상호접촉되는소스전극(5)과드레인전극(7); 및상기소스전극과드레인전극사이의게이트전극(8)이포함되며, 상기게이트전극과드레인전극사이의영역하측의질화물핵형성층과실리콘기판사이에하나또는복수의국부공간격리영역(11)이형성되어있다. 게이트전극과드레인전극사이의질화물에피층하측의일부실리콘기판을국부적으로제거하고, 실리콘기판과고전압을감당할수 있는질화물에피층을격리시켜, 실리콘기판을통해발생가능한수직방향의절연파괴를방지함으로써고전압절연파괴에강한소자를실현한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式