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1. 发明公开

KR1020010058479A 자기장을 이용한 화학기계적연마장치 및 그 연마방법 失效
标题翻译：使用磁场的化学机械抛光机及其抛光方法
公开(公告)号：KR1020010058479A
公开(公告)日：2001-07-06
申请号：KR1019990065812
申请日：1999-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김우현 , 홍정균
IPC分类号： B24B1/00
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing machine and a polishing method thereof are provided to enhance polishing uniformity by adjusting the distribution of an abrasive compound supplied between a wafer and a polishing pad with magnetic field. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing machine consists of: a wafer(30) rotatably fixed to a wafer rotating shaft(35); a polishing pad(10) in contact with the bottom of the wafer rotating on a pad rotating shaft(15) and polishing the wafer with an abrasive(20); a magnetic field generator(40) making the distribution of the abrasive compound uniform by feeding magnetic fields(42) to the polishing pad; and a controller(50) adjusting the size and position of the magnetic fields by controlling the magnetic field generator. When the magnetic field generator feeds the magnetic fields, an anode(44) and a cathode(46) are formed on the polishing pad and the polishing pad is rotated. Then, the wafer shaft is rotated to turn the wafer oppositely to the polishing pad and the abrasive compound is supplied between the wafer and the polishing pad.
摘要翻译：目的：提供一种化学机械抛光机及其抛光方法，以通过调节在晶片和抛光垫之间提供的研磨剂的分布与磁场来提高抛光均匀性。构成：化学机械抛光机包括：可旋转地固定在晶片旋转轴（35）上的晶片（30）; 抛光垫（10），其与在衬垫旋转轴（15）上旋转的晶片的底部接触并用研磨剂（20）抛光晶片; 通过将磁场（42）馈送到抛光垫使得研磨剂的分布均匀的磁场发生器（40）; 以及通过控制磁场发生器来调节磁场的大小和位置的控制器（50）。当磁场发生器馈送磁场时，在抛光垫上形成阳极（44）和阴极（46），抛光垫旋转。然后，使晶片轴旋转以将晶片与抛光垫相反地转动，并且研磨剂在晶片和抛光垫之间供应。

2. 发明授权

KR100600291B1 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体器件电容器的方法
公开(公告)号：KR100600291B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1019990025767
申请日：1999-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍정균
IPC分类号： H01L27/10
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법에 관한 것으로, 캐패시터 하부전극의 표면적을 증대시키기 위하여 막 자체에 요철형상을 갖는 에어로겔 실리콘 산화막을 캐패시터 산화막으로 이용하고, 하부전극용 폴리실리콘이 상기 에어로겔 실리콘 산화막을 따라 요철 형태로 형성되도록 하므로써, 단순한 공정으로 하부전극의 표면적을 안정적으로 증대시킬 수 있는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법이 개시된다.
하부전극, 에어로겔 실리콘 산화막, 망목구조
摘要翻译：为了增加电容器下电极的表面积，使用具有凹凸形状的气凝胶氧化硅膜作为电容器氧化物膜，并且在气凝胶氧化硅膜上形成用于下电极的多晶硅膜一种半导体装置的电容器的制造方法，通过将电极形成为凹凸形状，能够通过简单的工序稳定地增加下部电极的表面积。

3. 发明公开

KR1020010004732A 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법 无效
标题翻译：形成半导体器件元件隔离层的方法
公开(公告)号：KR1020010004732A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025446
申请日：1999-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍정균 , 유경식 , 전상호 , 이혜숙
IPC分类号： H01L21/31
摘要： PURPOSE: A method for forming an element isolation layer of a semiconductor device is provided to enhance a gap burying characteristic of a trench burying oxide layer by burying a trench with a double oxide layer in a shallow trench isolation(STI) process, and ensure a superior element separation characteristic. CONSTITUTION: A pad oxide layer(32) and a pad nitride layer(33) are sequentially formed on a silicon substrate(31), and a trench is formed by a photolithography process using an element separation mask. The first and second oxidation processes are performed. The first oxide layer(35) is partially deposited on the total structure. The second oxide layer(36) is formed on the total structure on which the first oxide layer is formed, and then a heat processing is performed. The first and second oxide layers positioned on the nitride layer are polished by CMP process, so that the first and second oxide layers remain only in the trench. The exposed pad nitride layer is removed.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的元件隔离层的方法，以通过在浅沟槽隔离（STI）工艺中埋入具有双氧化物层的沟槽来增强沟槽埋入氧化物层的间隙掩埋特性，并确保优越的元素分离特性。构成：在硅衬底（31）上依次形成衬垫氧化物层（32）和衬垫氮化物层（33），并且通过使用元件分离掩模的光刻工艺形成沟槽。执行第一和第二氧化过程。第一氧化物层（35）部分地沉积在总结构上。第二氧化物层（36）形成在其上形成有第一氧化物层的总结构上，然后进行热处理。通过CMP工艺抛光位于氮化物层上的第一和第二氧化物层，使得第一和第二氧化物层仅保留在沟槽中。去除暴露的衬垫氮化物层。

4. 发明公开

KR1020020003250A 웨이퍼의 세정방법 无效
标题翻译：清洗方法
公开(公告)号：KR1020020003250A
公开(公告)日：2002-01-12
申请号：KR1019990066625
申请日：1999-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김호성 , 홍정균
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: A method for cleaning a wafer is provided to reduce a defect of a surface of a wafer by changing a film characteristic of the wafer to hydrophile property. CONSTITUTION: An upper face of a wafer(10) is rinsed by supplying DI water through a spray. The wafer(10) is fixed to a roller. A surface of the wafer(10) is processed by rotating a brush fixed to a support shaft and using NH4OH solution of 20 percent. An HF solution is supplied on the surface of the wafer(10). The surface of the wafer(10) is processed by using the brush. The surface of the wafer(10) is changed to hydrophile property by using the NH4OH solution in a liquid curtain. The wafer(10) is fixed to a finger support portion(40). The surface of the wafer(10) is changed to hydrophile property by supplying the NH4OH solution to the upper face of the wafer(10) through a supply nozzle(45).
摘要翻译：目的：提供一种清洁晶片的方法，通过将晶片的膜特性改变为亲水性来减少晶片表面的缺陷。构成：通过喷射DI水来冲洗晶片（10）的上表面。晶片（10）固定在辊子上。通过旋转固定到支撑轴上的刷子并使用20％的NH 4 OH溶液来处理晶片（10）的表面。在晶片（10）的表面上提供HF溶液。通过使用刷子来处理晶片（10）的表面。通过在液幕中使用NH 4 OH溶液将晶片（10）的表面改变为亲水性。晶片（10）固定在手指支撑部分（40）上。通过供给喷嘴（45）向晶片（10）的上表面供给NH 4 OH溶液，使晶片（10）的表面变为亲水性。

5. 发明公开

KR1020010096346A 버퍼산화막을 이용한 반도체소자 평탄화방법 无效
标题翻译：使用缓冲氧化物平面化半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020010096346A
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：KR1020000020443
申请日：2000-04-18
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍정균 , 김우현
IPC分类号： H01L21/316
摘要： PURPOSE: A planarization method of an interlayer dielectric is provided to prevent a breakage of a word line by preventing an over dishing using a buffer oxide. CONSTITUTION: After sequentially depositing and patterning a gate oxide, a polysilicon layer, a polysilicide layer, a mask oxide and a mask nitride on a semiconductor substrate(10), a gate is formed by forming on a spacer at both sidewalls of the resultant structure. After sequentially forming an interlayer dielectric(45) and a buffer oxide(50) on the resultant structure, an annealing process is carried out. The buffer oxide(50) and the interlayer dielectric(45) are planarized by CMP(Chemical Mechanical Polishing). After forming a contact hole to expose the gate, a plug polysilicon layer is filled into the contact hole. Then, the resultant structure is planarized by CMP.
摘要翻译：目的：提供层间电介质的平面化方法，以通过防止使用缓冲氧化物的过度凹陷来防止字线断裂。构成：在半导体衬底（10）上顺次沉积和图案化栅极氧化物，多晶硅层，多晶硅层，掩模氧化物和掩模氮化物之后，通过在所得结构的两个侧壁上的间隔物上形成栅极。在所得结构上依次形成层间电介质（45）和缓冲氧化物（50）后，进行退火处理。通过CMP（化学机械抛光）将缓冲氧化物（50）和层间电介质（45）平坦化。在形成接触孔以露出栅极之后，插塞多晶硅层被填充到接触孔中。然后，通过CMP对所得结构进行平面化。

6. 发明授权

KR100560291B1 반도체 소자의 콘택 플러그 형성 방법 失效
公开(公告)号：KR100560291B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1019980061353
申请日：1998-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍정균 , 유재근
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 콘택 플러그 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 비트 라인 콘택과 캐패시터의 하부 전극 콘택을 형성하는 랜딩 플러그 폴리실리콘 화학기계적 연마 공정에서, 질화막 스페이서로 둘러싸인 워드 라인이 형성된 반도체 기판 상에 층간 절연막을 형성한 후, 옥사이드용 슬러리를 이용한 제 1 화학기계적 연마 공정으로 층간 절연막을 최소한 질화막 스페이서 위에 어느 정도의 두께가 남도록 연마하고, 층간 절연막에 비트 라인용 콘택홀과 캐패시터의 하부 전극용 콘택홀을 형성하고, 전면에 폴리실리콘층을 형성한 후, 폴리실리콘용 슬러리를 사용한 제 2 화학기계적 연마 공정으로 층간 절연막이 노출되는 시점까지 폴리실리콘층을 연마하고, 옥사이드용 슬러리를 사용한 제 3 화학기계적 연마 공정으로 질화막 스페이서가 노출되는 시점까지 층간 절연막을 연마하여 비트 라인용 콘택 플러그 및 캐패시터의 하부 전극용 콘택 플러그를 형성하므로써, 기존의 화학기계적 연마 공정 시에 발생되는 폴리실리콘 잔류물로 인한 문제를 근본적으로 해결하여 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 콘택 플러그 형성 방법에 관하여 기술된다.

7. 发明授权

KR100564425B1 자기장을 이용한 화학기계적연마장치 및 그 연마방법 失效
标题翻译：用于研磨使用磁场的半导体器件的装置及其方法
公开(公告)号：KR100564425B1
公开(公告)日：2006-03-28
申请号：KR1019990065812
申请日：1999-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김우현 , 홍정균
IPC分类号： B24B1/00
摘要： 본 발명은, 자기장을 이용한 화학기계적연마 장치 및 그를 이용한 연마방법에 관한 것으로서, 특히, 웨이퍼를 연마하는 연마패드에 자기장발생수단을 설치하여 적절한 위치에 극성을 다르게 하여 자기장을 발생하므로 웨이퍼와 연마패드 사이에 공급되는 연마제의 분포량을 골고루 제어하여 웨이퍼가 연마패드에 의하여 연마균일도가 향상된 상태로 연마되도록 하여 소자의 전기적인 특성을 향상하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다. 또한, 본 발명을 이용하는 경우, 현재 대규모로 소모되고 있는 연마제를 자기장으로 제어하므로 연마제의 사용을 현저하게 줄일 수 있는 장점을 지닌다.
연마패드 연마제 자기장 웨이퍼 자기 발생수단 제어수단

8. 发明授权

KR100309124B1 폐슬러리 처리 방법 失效
标题翻译：处理无用浆料的方法
公开(公告)号：KR100309124B1
公开(公告)日：2001-09-28
申请号：KR1019990025439
申请日：1999-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근 , 홍정균
IPC分类号： B09B3/00
摘要： 본발명은연마공정에서발생되는폐슬러리의처리방법에관한것으로, 연마용슬러리들에대한연마공정전후의입도분포및 화학성분분석을실시하여슬러리내의분포입자의크기와그의분포데이터를산출하는단계와, 알루미나분말에증류수와해교제를첨가하여현탁액을제조하는단계와, 상기현탁액을슬립캐스팅용석고몰드에주입하여건조시킨후 석고몰드를탈리시켜필터의성형체를제작하는단계와, 상기제작된성형체를열처리하여기공특성을조절하고기계적강도가부여된최종필터를제작하는단계와, 상기필터를폐슬러리라인에장착하고일정량의슬러리를투과시켜분리여과를진행하므로써상기필터의여과능력및 분리비를산출하여관리기준을설정하는단계와, 상기주기적으로여과된폐슬러리의성분분석을실시하여폐슬러리를관리하는단계로이루어진다.

9. 发明公开

KR1020010004988A 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 失效
标题翻译：半导体器件制造电容器的方法
公开(公告)号：KR1020010004988A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025767
申请日：1999-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍정균
IPC分类号： H01L27/10
摘要： PURPOSE: A capacitor manufacturing method in semiconductor devices is provided to be capable of stably increasing the surface area of a lower electrode with a simple process, by making polysilicon for a lower electrode formed along an aerogel silicon oxide film. CONSTITUTION: An interlayer insulating film(12) on a semiconductor substrate(11) is formed in which underlying structures such as transistors and bit lines are formed. A selected portion of the interlayer insulating film is etched to form a contact hole, and a contact plug(13) into which the contact is filled is then formed. A silicon oxide film of aerogel state is formed on the entire structure. The silicon oxide film of aerogel state and is then dried to form an aerogel silicon oxide film(14). After etching the aerogel silicon oxide film in the portion in which a lower electrode of a capacitor will be formed, a polysilicon layer(15A) is formed on the entire structure. The surface of the polysilicon layer is polished to expose the aerogel silicon oxide film. Then, the exposed aerogel silicon oxide film is removed, thus forming a lower electrode(15) of a capacitor.
摘要翻译：目的：提供半导体器件中的电容器制造方法，通过制造沿着气凝胶氧化硅膜形成的下部电极的多晶硅，能够通过简单的工艺稳定地增加下部电极的表面积。构成：形成半导体衬底（11）上的层间绝缘膜（12），其中形成诸如晶体管和位线的下面的结构。蚀刻层间绝缘膜的选定部分以形成接触孔，然后形成接触插塞（13），接触件被填充到其中。在整个结构上形成气凝胶状态的氧化硅膜。将气凝胶状态的氧化硅膜干燥，形成气凝胶氧化硅膜（14）。在将形成电容器的下电极的部分中蚀刻气凝胶氧化硅膜之后，在整个结构上形成多晶硅层（15A）。抛光多晶硅层的表面以暴露气凝胶氧化硅膜。然后，除去暴露的气凝胶氧化硅膜，从而形成电容器的下电极（15）。

10. 发明公开

KR1020010004725A 폐슬러리 처리 방법 失效
标题翻译：处理废浆的工艺
公开(公告)号：KR1020010004725A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025439
申请日：1999-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근 , 홍정균
IPC分类号： B09B3/00
CPC分类号： B09B3/0083 , B01D24/001 , Y02W30/52
摘要： PURPOSE: A process for treating waste slurry generated from chemical mechanical polishing process is provided which uses a ceramic porous alumina filter. CONSTITUTION: The process comprising the steps of: analyzing chemical components and particle size distribution of slurry before and after the polishing process and then deriving data about the particle size of the slurry and the distribution thereof; producing the filter and then installing in the waste slurry line; filtering the slurry by using the filter and then deriving the filtering ability and the separating ratio of the filter in order to set the management-standard; analyzing components of the filtered waste slurry and then managing the waste slurry. The filter is produced by a process comprising the steps of: preparing a suspension comprising powdery alumina having an average particle size of 0.5-1.0 μm, distilled water, and a peptizing agent; injecting the suspension in a gypsum mold for slip casting and then drying to form the filter; heat-treating the formed filter at 1300°C, 1400°C, and 1500°C.
摘要翻译：目的：提供一种用于处理由化学机械抛光工艺产生的废浆的方法，其使用陶瓷多孔氧化铝过滤器。方法：该方法包括以下步骤：分析抛光过程之前和之后的浆料的化学成分和粒度分布，然后得出关于浆料的粒径及其分布的数据; 生产过滤器，然后安装在废浆管线中; 通过使用过滤器过滤浆料，然后得出过滤器的过滤能力和分离比，以设定管理标准; 分析过滤的废浆料的组分，然后管理废浆。该过滤器通过包括以下步骤的方法生产：制备包含平均粒度为0.5-1.0μm的粉末状氧化铝的悬浮液，蒸馏水和胶溶剂; 将悬浮液注入石膏模具中以进行滑移浇铸，然后干燥以形成过滤器; 在1300℃，1400℃和1500℃下对形成的过滤器进行热处理。

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