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1. 发明授权

KR100341850B1 연마 패드의 제조 방법 失效
标题翻译：抛光垫的制造方法
公开(公告)号：KR100341850B1
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：KR1019990024213
申请日：1999-06-25
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본발명은연마패드의제조방법에관한것이다. 본발명에서는다수의폴리우레탄또는폴리우레탄이함유된폴리에스테르등의원료물질에각각다른양의발포제를첨가하고이를반응시킨후 동일간격으로구획화된케이크의틀에두가지의원료물질을선택하여주입하고경화시켜원하는두께와크기로절단하여연마패드를형성한후 이들을이용하여연마를실시하여최적의연마특성을갖는연마패드를선택한다. 본발명에의하면평탄성및 균일성을향상시켜연마특성을향상시킬수 있고, 이로인해공정의안정화를꾀할수 있다.

2. 实用新型

KR2020010001675U 반도체 소자 연마장치용 연마패드 无效
标题翻译：抛光垫用于抛光半导体器件
公开(公告)号：KR2020010001675U
公开(公告)日：2001-01-26
申请号：KR2019990012159
申请日：1999-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본발명은반도체소자연마장치용연마패드에관한것으로, 종래의연마패드저면에형성된그루브가폐쇄형이거나간격이넓어슬러리의유입/유출이어렵고이에따라패드의수명이감소하며연마대상막의연마평탄도가저하되는문제점을해결하기위하여, 연마패드저면에형성하는그부르를폐쇄형이하닌연결형나선모양으로설계하므로써, 슬러리의유입/유출을용이하게할 수있고연마대상막의연마평탄도/균일도를향상시킬수 있는반도체소자연마장치용연마패드가개시된다.

3. 发明公开

KR1020000043045A 화학적기계적연마용슬러리의제조방법 失效
标题翻译：化学机械抛光浆料及其制备方法
公开(公告)号：KR1020000043045A
公开(公告)日：2000-07-15
申请号：KR1019980059348
申请日：1998-12-28
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1436 , C23F1/18 , C23F1/20 , C23F1/30 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A method for producing a slurry composition for chemical mechanical polishing is provided which does not generate defects and irrecoverable scratch on a processing surface and has superior polishing characteristics CONSTITUTION: A method comprises the steps of heating distilled water having a specified molar ratio at 90 to 100°C in a reactor, forming a sol solution by adding alkoxide having a specified molar ratio to distilled water in agitation of the reactor and hydrolyzing, reacting by adding nitric acid to the sol solution, and forming slurry by cooling the sol solution. The molar ratio of alkoxide to distilled water is 1 : 50 to 1 : 150.
摘要翻译：目的：提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物的制造方法，其在加工表面上不产生缺陷和不可恢复的划痕，并且具有优异的抛光特性。一种方法包括以下步骤：将特定摩尔比的蒸馏水加热至90℃ 在反应器中加热至100℃，通过在反应器搅拌下向蒸馏水中加入特定摩尔比的醇盐形成溶胶溶液，水解，通过向溶胶溶液中加入硝酸反应，并通过冷却溶胶溶液形成浆料。醇盐与蒸馏水的摩尔比为1:50至1:150。

4. 发明公开

KR1020000004386A 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 无效
标题翻译：形成半导体器件分离层的方法
公开(公告)号：KR1020000004386A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980025818
申请日：1998-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 나상군 , 유재근
IPC分类号： H01L21/76
摘要： PURPOSE: An isolating layer formation method of semiconductor devices is provided to prevent variations of doping concentration at boundary between the isolating layer and a silicon substrate by forming an impurity region at inner part of trench. CONSTITUTION: The method comprises the steps of: forming a first oxide(120 and a nitride(13) on a silicon substrate(11) having well regions; exposing the silicon substrate by etching the nitride and the first oxide layers; forming a trench(14) by etching the exposed silicon substrate; forming a second oxide(15) at bottom and sidewalls of the trench by thermal oxidation; depositing a third oxide(16) on the resultant structure; forming an impurity region(17) at inner part of the trench formed the third and second oxides; and filling an oxide layer into the trench to form an isolation layer(20), thereby reducing an inverse narrow width effect of devices.
摘要翻译：目的：提供半导体器件的隔离层形成方法，以通过在沟槽的内部形成杂质区域来防止隔离层和硅衬底之间边界处的掺杂浓度的变化。构成：该方法包括以下步骤：在具有阱区的硅衬底（11）上形成第一氧化物（120和氮化物），通过蚀刻氮化物和第一氧化物层来暴露硅衬底;形成沟槽通过蚀刻暴露的硅衬底;通过热氧化在沟槽的底部和侧壁处形成第二氧化物（15）;在所得结构上沉积第三氧化物（16）;在第四氧化物的内部形成杂质区域（17）所述沟槽形成第三和第二氧化物;以及将氧化物层填充到沟槽中以形成隔离层（20），从而减小器件的反向窄宽度效应。

5. 发明公开

KR1020000003509A 화학적 기계적 연마 공정에 사용되는 연마제의 응집 방지 방법 无效
标题翻译：用于预防用于化学机械抛光过程的抛光材料的冷凝方法
公开(公告)号：KR1020000003509A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980024751
申请日：1998-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근 , 서윤석
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PURPOSE: A method for preventing a polishing material used for a chemical mechanical polishing process from agglomerating is provided. CONSTITUTION: A method for preventing a polishing material from condensing comprises: measuring periodically a concentration of hydrogen ion(pH) of a polishing liquid; adding a basic solution to the polishing liquid in case of a less value than a standard pH for maintaining the pH of the polishing liquid containing the polishing material; and a high purity colloidal solution formed by mixing fumed silica particles in a basic solution for being used as the polishing liquid.
摘要翻译：目的：提供一种用于防止用于化学机械抛光工艺的抛光材料团聚的方法。构成：防止抛光材料凝聚的方法包括：周期性地测量抛光液的氢离子浓度（pH）; 在比用于保持含有抛光材料的抛光液的pH的标准pH值小的情况下，对抛光液添加碱性溶液; 以及通过将热解二氧化硅颗粒混合在碱性溶液中形成的高纯度胶体溶液，用作抛光液。

6. 发明公开

KR1020000003415A 반도체소자의다공성알루미나층간절연막형성방법 失效
标题翻译：形成半导体器件的多孔氧化铝层间隔绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR1020000003415A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980024657
申请日：1998-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： H01L21/31
摘要： PURPOSE: A method for forming porous alumina interlayer insulating film of a semiconductor device is provided to volatilize the solvent easily after the spin coating and to improve the characteristic of the film. CONSTITUTION: The interlayer insulating film forming method for a semiconductor device comprises the steps of: forming hydrolyzed sol solution by mixing alkoxide with distilled water; coating the sol solution onto the wafer; forming alumina interlayer insulating film having many porosity in its inner part by performing the heat treatment; and peptizing the sol solution by adding the nitric acid at over 90°C of temperature for 24 hours.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的多孔氧化铝层间绝缘膜的方法，用于在旋涂之后容易挥发溶剂并改善膜的特性。构成：半导体器件的层间绝缘膜形成方法包括以下步骤：通过将醇盐与蒸馏水混合形成水解溶胶溶液; 将溶胶溶液涂布到晶片上; 通过进行热处理在其内部形成具有许多孔隙的氧化铝层间绝缘膜; 并通过在超过90℃的温度下加入硝酸24小时来溶胶化溶液。

7. 发明授权

KR100545449B1 화학기계적 연마법에 의한 산화막 연마 방법 失效
标题翻译：使用CMP抛光氧化膜的方法
公开(公告)号：KR100545449B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1019990025759
申请日：1999-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： B24B29/00
摘要： 본 발명은 화학기계적 연마법에 의한 산화막 연마 방법에 관한 것으로, 산화막을 연마하기 위한 초기 슬러리 용액들의 평균 실리카 입자 크기 및 pH를 측정하고, pH의 증감에 따라 실측된 평균 실리카 입자의 크기와 분포를 측정하는 단계와,
상기 각 슬러리에 대하여 측정된 pH를 기준값으로 하여 기준 pH값과 같은 pH값 범위를 지니는 염기성 용액을 준비하는 단계와,
상기 조절된 pH 범위를 가지는 용액으로 버핑 공정을 실시한 후의 입자 크기를 측정하고, 스크래치를 검사하는 단계를 포함하여 이루어져, 슬러리의 안정성을 보장하므로써 연마후 특성을 보장할 수 있어 CMP 공정에서의 재작업률의 감소와 안정된 연마 공정 셋업을 통하여 비용 절감과 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
CMP, 버핑, 스크래치

8. 发明公开

KR1020020051295A 화학적 기계적 연마공정을 위한 더미패턴 형성방법 无效
标题翻译：用于形成CMP的DUMMY图案的方法
公开(公告)号：KR1020020051295A
公开(公告)日：2002-06-28
申请号：KR1020000080902
申请日：2000-12-22
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： H01L21/302
摘要： PURPOSE: A dummy pattern formation method for CMP(Chemical Mechanical Polishing) is provided to improve a yield and a stability by using dummy patterns having variable shapes. CONSTITUTION: A plurality of isolated dummy patterns having a rectangular shape are arranged to be apart from each other. Gate dummy patterns(20) having constant distance are formed on the isolated dummy patterns without overlapping to the isolated dummy patterns. At this time, the structure of the gate dummy patterns(20) has a stripe-shape, a cruciate-shape and a mesh-shape. Also, the width of the gate dummy patterns(20) has about 0.67 micrometer, 1.0 micrometer, or 2.0 micrometer.
摘要翻译：目的：提供一种用于CMP（化学机械抛光）的虚拟图形形成方法，通过使用具有可变形状的虚拟图案来提高成品率和稳定性。构成：具有矩形形状的多个隔离虚拟图案被布置为彼此分开。具有恒定距离的门虚拟图案（20）形成在隔离的虚拟图案上，而不与孤立的虚拟图案重叠。此时，门虚拟图案（20）的结构具有条状，十字形和网状。此外，栅极虚拟图案（20）的宽度具有约0.67微米，1.0微米或2.0微米。

9. 发明授权

KR100300872B1 반도체소자의다공성알루미나층간절연막형성방법 失效
标题翻译：用于形成半导体器件的多孔氧化铝层间绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR100300872B1
公开(公告)日：2001-10-19
申请号：KR1019980024657
申请日：1998-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 본 발명은 차세대 반도체 소자에 요구되는 유전율이 낮은 절연물인 다공성 알루미나계 층간절연막 형성 방법에 관한 것으로, 고온 열처리 공정을 수반하지 않고 스핀 코팅 후 용이하게 용제를 휘발시킬 수 있으며 막의 특성을 향상시킬 수 있는, 반도체 소자의 다공성 알루미나 층간절연막 형성 방법을 제공하는데 목적이 있다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 알콕시드 및 증류수를 혼합하여 가수분해시키고, 질산을 첨가하여 펩티제이션시켜 졸 용액을 형성한 다음, 스핀 코팅을 실시하고 400 ℃ 내지 500 ℃ 온도에서 열처리하여 다공성 알루미나 층간절연막을 형성하는데 특징이 있다.

10. 发明公开

KR1020010004725A 폐슬러리 처리 방법 失效
标题翻译：处理废浆的工艺
公开(公告)号：KR1020010004725A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990025439
申请日：1999-06-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 유재근 , 홍정균
IPC分类号： B09B3/00
CPC分类号： B09B3/0083 , B01D24/001 , Y02W30/52
摘要： PURPOSE: A process for treating waste slurry generated from chemical mechanical polishing process is provided which uses a ceramic porous alumina filter. CONSTITUTION: The process comprising the steps of: analyzing chemical components and particle size distribution of slurry before and after the polishing process and then deriving data about the particle size of the slurry and the distribution thereof; producing the filter and then installing in the waste slurry line; filtering the slurry by using the filter and then deriving the filtering ability and the separating ratio of the filter in order to set the management-standard; analyzing components of the filtered waste slurry and then managing the waste slurry. The filter is produced by a process comprising the steps of: preparing a suspension comprising powdery alumina having an average particle size of 0.5-1.0 μm, distilled water, and a peptizing agent; injecting the suspension in a gypsum mold for slip casting and then drying to form the filter; heat-treating the formed filter at 1300°C, 1400°C, and 1500°C.
摘要翻译：目的：提供一种用于处理由化学机械抛光工艺产生的废浆的方法，其使用陶瓷多孔氧化铝过滤器。方法：该方法包括以下步骤：分析抛光过程之前和之后的浆料的化学成分和粒度分布，然后得出关于浆料的粒径及其分布的数据; 生产过滤器，然后安装在废浆管线中; 通过使用过滤器过滤浆料，然后得出过滤器的过滤能力和分离比，以设定管理标准; 分析过滤的废浆料的组分，然后管理废浆。该过滤器通过包括以下步骤的方法生产：制备包含平均粒度为0.5-1.0μm的粉末状氧化铝的悬浮液，蒸馏水和胶溶剂; 将悬浮液注入石膏模具中以进行滑移浇铸，然后干燥以形成过滤器; 在1300℃，1400℃和1500℃下对形成的过滤器进行热处理。

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