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1. 发明公开

KR1020160101588A 열팽창에 의한 오버레이 패턴 변형을 억제하는 포토마스크 블랭크 및 포토마스크와, 포토마스크 블랭크를 이용한 포토마스크 제조방법 审中-实审
标题翻译：用于通过热膨胀来抑制覆盖图形变形的光电隔离空间和光电子体，以及使用光刻胶空白制造光电子的方法
公开(公告)号：KR1020160101588A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150024490
申请日：2015-02-17
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박의상 , 남궁훈
IPC分类号： H01L21/033 , G03F1/66 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/38 , H01L21/0332 , G03F1/66 , G03F7/2063
摘要： 포토마스크블랭크는, 투광기판과, 투광기판의상부면위에배치되는광차단층과, 그리고투광기판의측면들및 하부면을덮도록배치되는열발산층을포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种光掩模坯料，其包括：透明基板; 设置在所述透明基板的上表面上的遮光层; 以及设置成覆盖透明基板的侧面和下表面的发热层，从而抑制由透明基板的热膨胀引起的覆盖图案变形。

2. 发明公开

KR1020120007571A 포토마스크의 제조방법 无效
标题翻译：制造光电子的方法
公开(公告)号：KR1020120007571A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：KR1020100065593
申请日：2010-07-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박의상
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/68 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/0337 , G03F1/50 , G03F1/68 , G03F7/2063 , H01L21/0273 , H01L21/0274
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a photo mask is provided to accurately implement a mask pattern by preventing an exposure position error. CONSTITUTION: A mask material film(205) and a resist film(210) are formed on a substrate. A ground layer(215) is connected to the mask material film and covers the upper side and the lateral side of the resist film. An exposure process is performed by radiating electron beams to the substrate. The resist film is hardened. The ground layer is removed. A resist pattern is formed by selectively removing the reactive part of the resist film. A mask pattern is formed by etching the exposed part of the mask material film using the resist pattern as a mask.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造光掩模的方法，以通过防止曝光位置误差来精确地实现掩模图案。构成：在基板上形成掩模材料膜（205）和抗蚀剂膜（210）。接地层（215）连接到掩模材料膜并覆盖抗蚀剂膜的上侧和外侧。通过向基板辐射电子束来进行曝光处理。抗蚀剂膜硬化。地层被去除。通过选择性地除去抗蚀剂膜的反应性部分形成抗蚀剂图案。通过使用抗蚀剂图案作为掩模蚀刻掩模材料膜的暴露部分来形成掩模图案。

3. 发明公开

KR1020100134448A 위상반전 마스크 및 그 제조방법 无效
标题翻译：相移片及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100134448A
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：KR1020090053072
申请日：2009-06-15
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박의상
IPC分类号： G03F1/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/54 , G03F1/76
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a phase shift mask is provided to shorten processing time by simplifying a manufacturing process and to suppress defects caused by contamination. CONSTITUTION: A method for fabricating a phase shift mask comprises the steps of: successively forming a phase shift layer, a first resist layer, a light-blocking layer and a second resist layer on a transparent substrate(200); patterning the second resist film in order to define a region in which the phase shift layer pattern is formed; patterning the light-blocking layer, the first resist layer, and the shift layer as the patterned second resist layer; exposing the first resist film formed on a region excluding the light-blocking region; and removing the exposed first resist layer and the light-blocking layer formed on the region excluding the light-blocking region.
摘要翻译：目的：提供一种制造相移掩模的方法，通过简化制造工艺并抑制由污染引起的缺陷来缩短处理时间。构成：制造相移掩模的方法包括以下步骤：在透明基板（200）上依次形成相移层，第一抗蚀剂层，遮光层和第二抗蚀剂层; 图案化第二抗蚀剂膜以限定其中形成相移层图案的区域; 图案化阻光层，第一抗蚀剂层和移位层作为图案化的第二抗蚀剂层; 曝光形成在除了遮光区域之外的区域上的第一抗蚀膜; 以及除去形成在除了遮光区域之外的区域上的暴露的第一抗蚀剂层和遮光层。

4. 发明公开

KR1020110077982A 바이너리 포토마스크 및 그 제조방법 无效
标题翻译：二进制照片掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110077982A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090134685
申请日：2009-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박의상
IPC分类号： G03F1/08 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0332 , H01L21/0337
摘要： PURPOSE: A binary photo-mask and a method for manufacturing the same are provided to obtain the desired resolution and line-width by protecting a light transmitting substrate from an etching process. CONSTITUTION: A first light shielding film, an auxiliary light shielding film, and a second light shielding film are formed on a light transmitting substrate(100). The second light shielding film is patterned to form a second light shielding pattern(132) using a resist film pattern as an etching mask. The auxiliary light shielding film exposed through the second light shielding pattern is etched to form an auxiliary light shielding pattern(122). The first light shielding film exposed through the auxiliary light shielding pattern is eliminated.
摘要翻译：目的：提供二元照相掩模及其制造方法，以通过保护透光基板免受蚀刻处理而获得期望的分辨率和线宽。构成：在透光基板（100）上形成第一遮光膜，辅助遮光膜和第二遮光膜。图案化第二遮光膜以形成使用抗蚀剂膜图案作为蚀刻掩模的第二遮光图案（132）。通过第二遮光图案曝光的辅助遮光膜被蚀刻以形成辅助遮光图案（122）。消除了通过辅助光屏蔽图案曝光的第一遮光膜。

5. 发明公开

KR1020100127666A 포토마스크의 선폭 균일도 보정 방법 无效
标题翻译：用于校正光子中关键均匀性的方法
公开(公告)号：KR1020100127666A
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020090046196
申请日：2009-05-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박의상
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/70 , G03F1/84 , G03F7/70433 , H01J37/3174
摘要： PURPOSE: A method for correcting the critical dimension(CD) uniformity of a photo-mask is provided to improve the CD uniformity by forming a correcting map using an energy strength distribution model and reflecting the correcting map to an exposure process. CONSTITUTION: The CD uniformity of a mask pattern is measured(S100). A CD defect part on the CD uniformity is detected(S110). The CD defect part is converted into a measuring unit for electric beam lithography in order to form a CD map(S120). A CD value is extracted based on the CD map(S130). The extracted CD value is converted to dose(S140). A dose map is generated(S150). An exposure process is performed using the dose map(S160).
摘要翻译：目的：提供一种用于校正光掩模的临界尺寸（CD）均匀性的方法，以通过使用能量强度分布模型形成校正图并将校正图反映到曝光处理来提高CD均匀性。构成：测量掩模图案的CD均匀性（S100）。检测到CD均匀性的CD缺陷部分（S110）。将CD缺陷部分转换成用于电子束光刻的测量单元以形成CD映射（S120）。基于CD映射提取CD值（S130）。将提取的CD值转换为剂量（S140）。生成剂量图（S150）。使用剂量图进行曝光处理（S160）。

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