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热词
    • 3. 发明公开
    • 단결정 잉곳 성장장치
    • 单晶锭生长装置
    • KR1020170048726A
    • 2017-05-10
    • KR1020150149169
    • 2015-10-27
    • 에스케이실트론 주식회사
    • 윤성훈이종은주용진문철규
    • C30B15/00C30B29/06
    • 실시예는챔버; 상기챔버내에배치되는도가니; 상기도가니의측부에배치되는가열부; 상기챔버측벽에배치되어상기가열부의열을차폐하는열차폐부; 상기열차폐부의상단부에배치되고, 상기도가니의상부에위치하는홀이중앙부에형성된핫존덮개부; 및상기핫존덮개부의상부에배치되는단열유닛을포함하고, 상기단열유닛은, 상기핫존덮개부의홀과대응하는관통홀이형성되고, 상기핫존덮개부의홀의중심에대하여수직방향으로이동하는제1 단열부재; 상기챔버의상측면에구비되어상기제1 단열부재를인상시키는인상부재; 및상기제1 단열부재와상기핫존덮개부사이에배치되고, 상기제1 단열부재의이동에따라상하방향으로가변적인높이를갖는제2 단열부재를포함하는단결정잉곳성장장치를제공한다.
    • 一个实施例包括腔室; 置于腔室内的坩埚; 加热单元,设置在坩埚的一侧; 隔热部分,其设置在腔室的侧壁上以屏蔽加热部分的热量; 热阴极盖,设置在隔热部分的上端,并且在其中心部分具有位于坩埚上部的孔; 且其中所述绝热部的上方的热区盖部分包括设置在热绝缘单元是,所述通孔对应于所述热区覆盖部孔形成,所述第一绝缘在垂直方向相对于热区盖部孔的中心移动 成员; 提升构件,设置在腔室的上侧以提起第一绝热构件; 并且,第二绝热部件配置在第一绝热部件与第二绝热部件之间,伴随着第一绝热部件的移动而在上下方向上具有可变高度。
    • 4. 发明授权
    • 단결정 성장을 위한 도핑 장치 및 도핑 방법
    • 单晶生长的掺杂工具和掺杂法
    • KR101509343B1
    • 2015-04-07
    • KR1020130120157
    • 2013-10-08
    • 에스케이실트론 주식회사
    • 문철규이상준최윤환공정현
    • C30B15/04C30B15/20C30B29/06
    • 본발명의실시예에따른실리콘단결정성장용도핑장치는, 쵸크랄스키법에따라실리콘융액으로부터실리콘단결정을성장시키기위한도핑장치로서, 실리콘융액중심부의상부에위치하고, 챔버상부와연결되는뚜껑부및 상기뚜껑부의외주면과결합되는도펀트로딩부를포함하고, 상기뚜껑부는원판형상의덮개부와, 상기덮개부의외주부에서중심방향으로경사면을갖는경사부를포함하고, 상기도펀트로딩부는상기덮개부외주부와체결되는원통형상의외측부와, 상기외측부내측에상기외측부보다높이와직경이작게형성되는원통형상의내측부와, 상기외측부와내측부의하단을연결하는링 형상의바닥부를포함한다.
    • 根据本发明的实施例的用于单晶生长的掺杂装置是用于从基于切克劳斯基法的硅熔体生长硅单晶,并且包括设置在硅熔体的中心部分的上部的盖单元, 连接到室的上部; 以及耦合到所述盖单元的外周表面的掺杂物加载单元,其中所述盖单元包括盘形盖单元和从所述盖单元的外周部分沿中心方向具有倾斜表面的倾斜部; 并且所述掺杂物加载单元包括联接到所述盖单元的外周部的圆筒形外部,形成在所述圆筒形外部部分内的具有比所述圆筒形外部的高度和直径小的圆柱形内部,以及环 形状的底部将圆柱形外部部分与圆柱形内部部分的下端连接。