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1. 发明公开

KR1020150036607A 조면화된 기판 지지부 审中-实审
标题翻译：加固基板支持
公开(公告)号：KR1020150036607A
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020157003873
申请日：2013-07-12
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 이,동수 , 스터링,윌리엄,엔. , 박,범수 , 최,수영
IPC分类号： B24C1/00 , B24C1/06
CPC分类号： B24C1/06 , B24C1/00 , C23C16/4581 , H01L21/68757
摘要： 본발명은일반적으로, 기판프로세싱챔버에서의사용을위한기판지지부에관한것이다. 조면화된기판지지부는챔버내의아킹을감소시키고그리고또한, 기판상의균일한증착에기여한다. 조면화는 2개의단계들로일어날수 있다. 제 1 단계에서, 기판지지부는비드블라스팅되어표면들을초기조면화한다. 그런다음에, 조면화된표면은약 707 마이크로-인치내지약 837 마이크로-인치의표면거칠기를갖는기판지지부를생산하기위해서더 미세한그릿으로비드블라스팅된다. 표면조면화이후에, 기판지지부는아노다이징된다.

2. 发明授权

KR101441892B1 프로세스 챔버 내에서 캐소드의 ＲＦ 접지 有权
标题翻译：过程室中阴极射频接地
公开(公告)号：KR101441892B1
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020050087388
申请日：2005-09-20
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 화이트존엠. , 티너,로빈엘. , 박,범수 , 브로니겐,웬델티.
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32174
摘要： 프로세스 챔버 벽과 기판 지지대 사이에 RF 전류에 대한 짧은 리턴 전류 경로를 제공하기 위한 장치가 개시된다. RF 접지되어 기판 이송 포트 위쪽에 위치되는 RF 접지 장치는 RF 전류에 대한 리턴 전류 경로를 제공하기 위해 증착과 같은 기판 처리 동안에만 기판 지지대와의 전기적 접촉을 설정한다. RF 접지 장치의 일 실시예는 접지된 챔버 벽과 하나 이상의 저 임피던스 블록들에 전기적으로 연결된 하나 이상의 저 임피던스를 갖는 가요성의 커튼들을 포함하는데, 상기 블록들은 기판 처리 동안에 기판 지지대와 접촉시킨다. RF 접지 장치의 다른 실시예는 다수의 저 임피던스를 갖는 가요성의 스트랩들을 포함하는데, 상기 스트랩들은 접지된 챔버 벽과 하나 이상의 저 임피던스 블록들에 전기적으로 연결되고, 상기 블록들은 기판 처리 동안에 기판 지지대와 접촉시킨다. RF 접지 장치의 또다른 실시예는 다수의 프로브들 및 상기 프로브들을 수용하는 액츄에이터들을 포함하는데, 상기 프로브들은 접지된 챔버 벽에 전기적으로 연결되거나 다른 수단에 의해 접지될 수 있다. 상기 액츄에이터들은 기판 처리 동안에 기판 지지대와의 전기적 접촉을 형성하도록 상기 프로브들을 이동시킨다.

3. 发明授权

KR101441858B1 서셉터를 러프닝함으로써 정전하를 감소시키는 장치 有权
标题翻译：通过粗糙化减少静电电荷
公开(公告)号：KR101441858B1
公开(公告)日：2014-09-19
申请号：KR1020060065971
申请日：2006-07-13
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 최,수영 , 박,범수 , 상,쿠안유안 , 화이트,존엠. , 임,동길 , 박,정희
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 기판 지지체 및 이를 제조하는 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에서, 기판 지지체는 전기 절연 코팅에 의해 덮인 기판 지지 표면을 갖는 전기 전도성 몸체를 포함한다. 기판 지지 표면상에 중심설정된(centered) 코팅의 적어도 일부는 약 200 내지 약 2000 마이크로인치 사이의 표면 마감부(surface finish)를 갖는다. 다른 실시예에서, 기판 지지체는 그 상부의 기판을 지지하도록 적응된 몸체의 일부 상에 약 200 내지 약 2000 마이크로인치의 표면 마감부를 갖는 양극산화된 알루미늄 몸체를 포함한다. 일 실시예에서, 기판 지지 어셈블리는 기판 지지 표면을 갖는 전기 전도성 몸체, 전도성 몸체를 지지하도록 적응된 기판 지지 구조를 포함하며, 전도성 몸체는 전기 절연 코팅에 의해 덮여 있다.

4. 发明公开

KR1020140068116A 선형타입 대형면적 플라즈마 반응기 내의 균일한 프로세스를 위한 가스 전달 및 분배 审中-实审
标题翻译：大型石油醚等离子体反应器中均匀方法的气体输送和分配
公开(公告)号：KR1020140068116A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020147008373
申请日：2012-09-13
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 화이트,존엠. , 앤워,수하일 , 쿠델라,요제프 , 소렌센,칼에이. , 원,태케이. , 조,선미 , 최,수영 , 박,범수 , 존스톤,벤자민엠.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/45578 , C23C16/4587 , C23C16/511 , C23C16/513 , C23C16/54
摘要： 가스-주입 홀들을 통한 보다 큰 가스 전도도가 요구되는 가스 도입 튜브들의 섹션들에서 크기가 더 클 수 있고, 수가 더 많을 수 있고, 및/또는 함께 더 근접하여 이격될 수 있는 가스-주입 홀들을 가지는 하나 또는 둘 이상의 가스 분배 튜브들을 포함하는 프로세싱 챔버 내로 가스를 도입하기 위한 장치가 제공된다. 보다 큰 가스-주입 홀들을 가지는 외측 튜브가 각각의 가스 분배 튜브를 둘러쌀 수 있을 것이다. 프로세스 사이클의 종료에서 가스 분배 튜브로부터의 가스의 제거를 돕기 위해서, 가스 분배 튜브들이 진공 포어라인에 유체적으로 연결될 수 있을 것이다.

5. 发明公开

KR1020120018192A 양극산화처리된 샤워헤드 有权
标题翻译：阳光淋浴
公开(公告)号：KR1020120018192A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020117029814
申请日：2010-05-13
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 최,수영 , 안와르,수하일 , 후루타,가쿠 , 박,범수 , 티너,로빈엘. , 화이트,존엠. , 쿠리타,시니치
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/509 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4404 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32577 , H01L21/67011
摘要： 본 명세서에 개시된 실시예들은 일반적으로 양극산화처리된 가스 분배 샤워헤드를 가진 장치에 관한 것이다. 대면적 평행판 RF 처리 챔버에서, RF 회귀 경로를 마스터하는 것은 힘들 수 있다. 아킹은 RF 처리 챔버에서 자주 만나는 문제이다. RF 처리 챔버에서의 아킹을 저감시키기 위해, RF 회귀 경로를 줄이도록 스트랩이 서셉터에 접속될 수 있고, 세라믹 또는 절연성 또는 양극산화처리된 셰도우 프레임이 처리 과정중에 서셉터에 접속될 수 있으며, 양극산화처리된 코팅이 챔버 벽체와 가장 근접한 고온 샤워헤드의 에지에 증착될 수 있다. 상기 양극산화처리된 코팅은 샤워헤드와 챔버 벽체 간의 아킹을 줄일 수 있으며, 그에 따라 박막 특성을 향상시키고 증착속도를 증대시킨다.

6. 发明公开

KR1020100034737A 균일한 실리콘 필름을 증착하기 위한 장치 및 균일한 실리콘 필름을 제조하기 위한 방법 无效
标题翻译：用于沉积均匀硅膜的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100034737A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：KR1020097027627
申请日：2008-06-06
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 최,수영 , 원,태경 , 박,범수 , 화이트,존엠.
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04
CPC分类号： C23C16/45565 , H01L31/182 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： Methods and apparatus having a gradient spacing created between a substrate support assembly and a gas distribution plate for depositing a silicon film for solar cell applications are provided. In one embodiment, an apparatus for depositing films for solar cell applications may include a processing chamber, a substrate support disposed in the processing chamber and configured to support a quadrilateral substrate thereon, and a gas distribution plate disposed in the processing chamber above the substrate support, wherein a bottom surface of the gas distribution plate has a perimeter that includes edges and corners, and wherein the corners of the gas distribution plate are closer to the substrate support than the edges of the gas distribution plate.
摘要翻译：提供了在衬底支撑组件和用于沉积太阳能电池应用的硅膜的气体分配板之间产生梯度间隔的方法和装置。在一个实施例中，一种用于沉积太阳能电池薄膜的设备可以包括处理室，设置在处理室中并被配置为在其上支撑四边形衬底的衬底支撑件，以及布置在衬底支撑件上方的处理室中的气体分配板其中，所述气体分配板的底面具有包括边缘和角部的周边，并且其中所述气体分配板的角部比所述气体分配板的边缘更靠近所述基板支撑。

7. 发明公开

KR1020090026046A 내부 챔버 상의 부산물 막 증착을 제어하기 위한 ＰＥＣＶＤ 시스템에서의 소스 가스 흐름 경로 제어 有权
标题翻译： PECVD系统中的源气体流路控制，用于控制室内副产物膜沉积
公开(公告)号：KR1020090026046A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020080082184
申请日：2008-08-22
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 박,범수 , 최,영진 , 타이너,로빈엘. , 김,삼형삼 , 최,수영 , 화이트,존엠. , 임,동길
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45502 , C23C16/4401
摘要： A source gas flow path control in PECVD system to control a by-product film deposition on inside chamber is provided to reduce the flaking and the chamber cleaning time interval by decreasing the evaporation at the slit valve opening and chamber walls. A source gas flow path control in PECVD system to control a by-product film deposition on inside chamber comprises a chamber body having slit valve openings(222) passing through the first lateral wall(208); at least one flow inducement(224) combined with one or more side walls of the chamber body; at least one flow interruption(228) extended from the second side wall; a door moving between the location covering the slit valve opening and the second location. At least one flow interruption has the opening and is combined with the flow inducement.
摘要翻译：提供PECVD系统中的源气体流路控制以控制室内副产物膜沉积，以通过减小狭缝阀开口和室壁处的蒸发来减少剥离和室清洁时间间隔。用于控制在室内的副产物膜沉积的PECVD系统中的源气体流动路径控制包括具有通过第一侧壁（208）的狭缝阀开口（222）的室主体; 与室主体的一个或多个侧壁结合的至少一个流动诱导（224）; 从所述第二侧壁延伸的至少一个流动中断（228）; 在覆盖狭缝阀开口的位置和第二位置之间移动的门。至少一个流动中断具有开口并与流动诱导结合。

8. 发明公开

KR1020060100302A 양극처리된 기판 지지부 无效
标题翻译：阳极基板支撑
公开(公告)号：KR1020060100302A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020060070677
申请日：2006-07-27
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 최,수영 , 박,범수 , 샹,쿠안유안 , 그린,로버트아이. , 화이트,존엠. , 임,동길 , 박,충희 , 러,캄
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4581 , C25D11/04 , C25D11/16 , C25D11/18
摘要： 기판 지지부 및 그 기판 지지부의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에서, 기판 지지부는 전기 절연 코팅에 의해 덮여진 기판 지지면을 가지는 전기 전도성 본체를 포함한다. 기판 지지면의 중심에 위치되는 코팅의 적어도 일부는 약 80 내지 약 200 마이크로-인치의 표면 처리부를 가진다. 다른 실시예에서, 기판 지지부는 기판을 지지하는 본체 부분상에 약 80 내지 약 200 마이크로-인치의 표면 처리부를 가진다.

9. 发明公开

KR1020060051437A 프로세스 챔버 내에서 캐소드의 ＲＦ 접지 有权
标题翻译：过程室中阴极射频接地
公开(公告)号：KR1020060051437A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050087388
申请日：2005-09-20
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 화이트존엠. , 티너,로빈엘. , 박,범수 , 브로니겐,웬델티.
IPC分类号： H05H1/34
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32174
摘要： 프로세스 챔버 벽과 기판 지지대 사이에 RF 전류에 대한 짧은 리턴 전류 경로를 제공하기 위한 장치가 개시된다. RF 접지되어 기판 이송 포트 위쪽에 위치되는 RF 접지 장치는 RF 전류에 대한 리턴 전류 경로를 제공하기 위해 증착과 같은 기판 처리 동안에만 기판 지지대와의 전기적 접촉을 설정한다. RF 접지 장치의 일실시예는 접지된 챔버 벽과 하나 이상의 저 임피던스 블록들에 전기적으로 연결된 하나 이상의 저 임피던스를 갖는 가요성의 커튼들을 포함하는데, 상기 블록들은 기판 처리 동안에 기판 지지대와 접촉시킨다. RF 접지 장치의 다른 실시예는 다수의 저 임피던스를 갖는 가요성의 스트랩들을 포함하는데, 상기 스트랩들은 접지된 챔버 벽과 하나 이상의 저 임피던스 블록들에 전기적으로 연결되고, 상기 블록들은 기판 처리 동안에 기판 지지대와 접촉시킨다. RF 접지 장치의 또다른 실시예는 다수의 프로브들 및 상기 프로브들을 수용하는 액츄에이터들을 포함하는데, 상기 프로브들은 접지된 챔버 벽에 전기적으로 연결되거나 다른 수단에 의해 접지될 수 있다. 상기 액츄에이터들은 기판 처리 동안에 기판 지지대와의 전기적 접촉을 형성하도록 상기 프로브들을 이동시킨다.

10. 实用新型

KR200490775Y1 사분면들을 구비한 기판 지지체 有权
公开(公告)号：KR200490775Y1
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：KR2020140007709
申请日：2014-10-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 티너,로빈엘. , 최,수영 , 박,범수 , 쿠리타,시니치 , 오,보라 , 푸루타,가쿠
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67

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