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1. 发明公开

KR1020040004105A 집적 회로, 집적 회로의 제조 프로세스 및 집적 회로에대한 테스트 프로세스 无效
标题翻译：集成电路，制造工艺和测试过程
公开(公告)号：KR1020040004105A
公开(公告)日：2004-01-13
申请号：KR1020030044101
申请日：2003-07-01
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G11C29/44 , G06K2017/0045 , G11C11/22 , G11C16/20 , G11C2029/4402
摘要： PURPOSE: An IC(Integrated Circuit) chip is provided to enable tracking and identifying the IC to a degree that has been impractical by using an ID memory. CONSTITUTION: An IC chip(100) is provided with a compact nonvolatile ID memory(110), such as an FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory), a functional unit(120), and a mode selection unit(130). The ID memory(110) stores information on the manufacturing, testing, and performance of an IC. The information to be stored includes a serial number, a wafer ID, a lot ID, a date code, chip records, testing data, and performance information.
摘要翻译：目的：提供IC（集成电路）芯片，以便能够通过使用ID存储器进行跟踪和识别IC，达到不切实际的程度。构成：IC芯片（100）具有诸如FeRAM（铁电随机存取存储器），功能单元（120）和模式选择单元（130）的紧凑型非易失性ID存储器（110）。 ID存储器（110）存储关于IC的制造，测试和性能的信息。要存储的信息包括序列号，晶片ID，批号，日期代码，芯片记录，测试数据和性能信息。

2. 发明公开

KR1020030093123A 집적 회로 테스트 방법 및 집적 회로 失效
标题翻译：集成电路测试方法和集成电路
公开(公告)号：KR1020030093123A
公开(公告)日：2003-12-06
申请号：KR1020030034052
申请日：2003-05-28
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 릭키스쥬겐티 , 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유 , 퐁존와이 , 랜함랄프에이치
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C29/028 , G11C11/22 , G11C29/12005 , G11C29/50 , G11C29/50016 , G11C2029/2602 , G11C2029/5002
摘要： FeRAM 셀(110)로부터 판독된 전하 분포(410,420)를 측정하는 방법 및 회로는 충분히 빠른 온 칩 오류 검출 및 파라메터 조정을 제공한다. 비교기형 감지 증폭기(130) 및 기준 전압 발생기(140)는 FeRAM 셀(110)로부터 전하를 판독하는 하나의 방법을 이용하여 비트 라인 전하 또는 전압을 측정하고 결과적인 비트 라인 전압을 일련의 기준 전압과 비교한다. 감지 증폭기(130)로부터의 일련의 결과 신호(NT)는 비트 라인 전압이 기준 전압(REF)에 대략 동일한 때를 나타낸다. 결과 신호는 분석용으로 출력될 수 있고 또는 오류 검출 또는 판독 동작 동안 사용되는 기준 전압과 같은 동작 파라메터의 설정을 위해 내부적으로 사용될 수 있다.

3. 发明授权

KR100930784B1 집적 회로 테스트 방법 및 집적 회로 失效
标题翻译： 집적회로테스트방법및집적회로
公开(公告)号：KR100930784B1
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020030034052
申请日：2003-05-28
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 릭키스쥬겐티 , 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유 , 퐁존와이 , 랜함랄프에이치
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C29/028 , G11C11/22 , G11C29/12005 , G11C29/50 , G11C29/50016 , G11C2029/2602 , G11C2029/5002
摘要： A method and circuit for measuring a charge distribution for readout from FeRAM cells is fast enough for an on-chip defect detection and parameter adjustment. A comparator-type sense amplifier and a reference voltage generator measure a bit line charge or voltage using one readout of charge from an FeRAM cell and comparisons of the resulting bit line voltage to a series of reference voltages. A series of result signals from the sense amplifier indicates when the bit line voltage is approximately equal to the reference voltage. The results signals can be output for analysis and/or used internally for defect detection or setting of operating parameters such as a reference used during read operations.
摘要翻译：测量用于从FeRAM单元读出的电荷分布的方法和电路对于片上缺陷检测和参数调整来说足够快。比较器型读出放大器和参考电压发生器使用来自FeRAM单元的一个电荷读数来读取位线电荷或电压，并将得到的位线电压与一系列参考电压进行比较。来自读出放大器的一系列结果信号指示位线电压何时近似等于参考电压。结果信号可以输出用于分析和/或在内部用于缺陷检测或设置操作参数，例如在读取操作期间使用的参考。

4. 发明公开

KR1020030079739A ＦｅＲＡＭ 장치와 그 장치에 의한 프로세스 및 다중 비교동작 방법 失效
标题翻译： FeRAM器件及其器件的工艺和多重比较操作方法
公开(公告)号：KR1020030079739A
公开(公告)日：2003-10-10
申请号：KR1020030020411
申请日：2003-04-01
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 릭키스쥬겐티 , 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22 , H01L27/0688
摘要： 비교기 타입 감지 증폭기(comparator-type sense amplifier)는 FeRAM 셀에서 판독된 일정한 전압을 일련의 기준 전압 레벨과 비교한다. 다중 비교 동작(multiple comparison operation)은, 비트 라인(bit line)으로의 데이터를 판독하는 단계(a)와, 제 1/다음 기준 전압을 인가하는 단계(b)와, 비트 라인 전압을 인가된 기준 전압과 비교하는 단계(c)와, 단계(b) 및 단계(c)를 한 번 이상 반복하는 단계(d)를 포함한다. 다중 비교 동작은 FeRAM 셀의 동작을 특징짓고, 비트 에러가 발생될 수 있는 FeRAM 셀을 예측하거나 검출하며, 또는, FeRAM 셀로부터의 다중 비트 값(multi-bit value)을 판독하기 위해서 사용될 수 있다.

5. 发明授权

KR101036433B1 ＦｅＲＡＭ 장치와 그 장치에 의한 프로세스 및 다중 비교동작 방법 失效
标题翻译：具有单次访问/多重比较操作的FeRAM
公开(公告)号：KR101036433B1
公开(公告)日：2011-05-23
申请号：KR1020030020411
申请日：2003-04-01
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 릭키스쥬겐티 , 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22 , H01L27/0688
摘要： 비교기 타입 감지 증폭기(comparator-type sense amplifier)는 FeRAM 셀에서 판독된 일정한 전압을 일련의 기준 전압 레벨과 비교한다. 다중 비교 동작(multiple comparison operation)은, 비트 라인(bit line)으로의 데이터를 판독하는 단계(a)와, 제 1/다음 기준 전압을 인가하는 단계(b)와, 비트 라인 전압을 인가된 기준 전압과 비교하는 단계(c)와, 단계(b) 및 단계(c)를 한 번 이상 반복하는 단계(d)를 포함한다. 다중 비교 동작은 FeRAM 셀의 동작을 특징짓고, 비트 에러가 발생될 수 있는 FeRAM 셀을 예측하거나 검출하며, 또는, FeRAM 셀로부터의 다중 비트 값(multi-bit value)을 판독하기 위해서 사용될 수 있다.

6. 发明授权

KR100969124B1 집적 메모리 失效
标题翻译：加速疲劳试验
公开(公告)号：KR100969124B1
公开(公告)日：2010-07-09
申请号：KR1020030044083
申请日：2003-07-01
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 릭키스쥬겐티 , 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유 , 퐁존와이 , 랜함랄프에이치
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C29/50 , G11C11/22 , G11C2029/5002
摘要： FeRAM(100) 등의 메모리는 상당수의 메모리 셀(310)의 저장 상태를 동시에 변경시키고 신속하게 반복될 수 있는 가속화된 피로 동작을 실행시킨다. 일실시예에서, FeRAM(100)은 각각의 세그먼트(240)의 플레이트 라인이 다른 세그먼트(240)의 플레이트 라인과는 격리되는 다수의 세그먼트(240)를 포함한다. 제 1 피로 동작은 워드 라인에 대해 표준 기록/판독 디코딩을 이용하지만, 모든 세그먼트(240)를 동시에 활성화한다. 제 2 피로 동작은 모든 세그먼트(240)와 모든 플레이트 라인을 활성화하고, 각 플레이트 라인 그룹(270)의 메모리 셀(310)의 하나의 행을 실행시킨다. 제 3 피로 동작은 제 2 피로 동작과는 유사하지만, 제 3 피로 동작의 다수의 반복이 모든 FeRAM 셀(310)을 동일하게 피로화시키도록 플레이트 라인 그룹의 행을 순환시킨다.

7. 发明公开

KR1020040004101A 집적 메모리 失效
标题翻译：集成记忆和加速疲劳测试
公开(公告)号：KR1020040004101A
公开(公告)日：2004-01-13
申请号：KR1020030044083
申请日：2003-07-01
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 릭키스쥬겐티 , 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유 , 퐁존와이 , 랜함랄프에이치
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C29/50 , G11C11/22 , G11C2029/5002
摘要： PURPOSE: An FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory) is provided to improve architectures and to permit fatigue testing within commercially expedient times are sought. CONSTITUTION: An FeRAM(100) includes a FeRAM core(110), decoding circuits(130,135), a main control logic(140), a precharge circuit(150), and I/O buffers(160). The FeRAM core(110) contains FeRAM cells for storage of data, and the decoding circuits(130,135) decode or interpret an address signal for read, write, and accelerated fatigue operations accessing specific FeRAM cells in FeRAM core(110). The main control logic(140) controls operation of FeRAM(100) including the read operations, write operations, and accelerated fatigue operations. Precharge circuit(150) and I/O buffers(160) work in cooperation to input data signals for writing to FeRAM core(110) and to output data signals read from FeRAM core.
摘要翻译：目的：提供FeRAM（铁电随机存取存储器），以改善架构，并在商业上有利的时间允许疲劳测试。构成：FeRAM（100）包括FeRAM内核（110），解码电路（130,135），主控制逻辑（140），预充电电路（150）和I / O缓冲器（160）。 FeRAM核心（110）包含用于存储数据的FeRAM单元，并且解码电路（130,135）解码或解释访问FeRAM核心（110）中的特定FeRAM单元的读，写和加速疲劳操作的地址信号。主控制逻辑（140）控制包括读操作，写操作和加速疲劳操作的FeRAM（100）的操作。预充电电路（150）和I / O缓冲器（160）协同工作以输入用于写入FeRAM核心（110）的数据信号并输出从FeRAM核心读取的数据信号。

8. 发明授权

KR100937311B1 집적 장치, 집적 회로 장치, 내장된 메모리를 가지는 집적회로 및 강자성 메모리 셀의 구동 방법 失效
标题翻译：分组线驱动架构和方法
公开(公告)号：KR100937311B1
公开(公告)日：2010-01-18
申请号：KR1020030032781
申请日：2003-05-23
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 리케스유르겐티 , 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유 , 서머펠트스코트알 , 란함랄프에이치알
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22
摘要： 집적형 회로 장치(integrated circuit device)는 어레이 내의 플레이트 라인(plate line)이 그룹화되는 강자성 메모리 셀(ferroelectric memory cells)의 2차원적 어레이를 포함한다. 플레이트 라인의 그룹화는 더 큰 플레이트 라인 드라이버(CMOS 드라이버 인버터(CMOS driver inverters) 등)의 사용에 적용된다. 각각의 플레이트 라인 그룹은 어레이 내의 메모리 셀의 전체 행이 아닌 일부 행과, 어레이 내의 메모리 셀의 전체 열이 아닌 일부 열을 포함 할 수 있다.

9. 发明公开

KR1020030091761A 집적 장치, 집적 회로 장치, 내장된 메모리를 가지는 집적회로 및 강자성 메모리 셀의 구동 방법 失效
标题翻译：集成装置，集成电路装置，具有嵌入式存储器的集成电路以及驱动铁磁存储单元的方法
公开(公告)号：KR1020030091761A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：KR1020030032781
申请日：2003-05-23
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크. , 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
发明人： 리케스유르겐티 , 맥아담스휴피 , 그레이스제임스더블유 , 서머펠트스코트알 , 란함랄프에이치알
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/22
摘要： 집적형 회로 장치(integrated circuit device)는 어레이 내의 플레이트 라인(plate line)이 그룹화되는 강자성 메모리 셀(ferroelectric memory cells)의 2차원적 어레이를 포함한다. 플레이트 라인의 그룹화는 더 큰 플레이트 라인 드라이버(CMOS 드라이버 인버터(CMOS driver inverters) 등)의 사용에 적용된다. 각각의 플레이트 라인 그룹은 어레이 내의 메모리 셀의 전체 행이 아닌 일부 행과, 어레이 내의 메모리 셀의 전체 열이 아닌 일부 열을 포함 할 수 있다.

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