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1. 发明授权

KR100792773B1 실리콘웨이퍼, 실리콘에피텍셜웨이퍼, 어닐웨이퍼 및이들의 제조방법 有权
标题翻译：硅晶片，硅胶外延片及其制造方法
公开(公告)号：KR100792773B1
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：KR1020017015973
申请日：2001-04-10
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이이다마코토 , 기무라마사노리
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본 발명은 초크랄스키법에 의해 실리콘단결정을 육성할 때, 탄소 및 질소를 도프하고, 결정 전면이 N영역이 되도록 제어하면서 결정을 인상하는 실리콘단결정의 제조방법, 탄소와 질소가 도프된 전면 N영역으로 이루어진 실리콘웨이퍼와, 이로써 그로운인(Grown-in) 결함이 적으면서도 1G능력이 높은 실리콘단결정을 고속 성장시킬 수 있는 실리콘단결정 육성기술을 개발하여 결정 전면 N영역에서 IG능력이 높은 실리콘웨이퍼 또는 우수한 결정성과 IG능력을 가진 에피텍셜웨이퍼, 어닐웨이퍼를 제공한다.

2. 发明公开

KR1020070005575A 반도체 웨이퍼의 제조 방법 및 반도체 잉곳의 절단 위치결정 시스템 有权
标题翻译：用于制造半导体晶体的方法和用于确定半导体器件的切割位置的系统
公开(公告)号：KR1020070005575A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020067015109
申请日：2005-01-20
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이이다마코토
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/78
CPC分类号： C30B29/06 , B28D5/022 , B28D5/04 , C30B33/00 , Y10T117/1004
摘要： A method for manufacturing a semiconductor wafer from a semiconductor ingot is characterized in that the oxygen concentration distribution along the growth axis of an ingot is measured (F2), the position at which the oxygen concentration is maximum or minimum within a predetermined length image is determined as a cut potion (F3) according to the measurement results, the ingot is cut perpendicularly to the growth axis at the cut position into a block at both ends of which the oxygen concentrations are maximum and minimum (F4), and the block is sliced into a semiconductor wafer. With this, a technique of reliably manufacturing from a semiconductor ingot a semiconductor wafer where the oxygen concentration is within a predetermined specific range. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：从半导体锭制造半导体晶片的方法的特征在于，测量沿着锭的生长轴的氧浓度分布（F2），确定在预定长度图像内氧浓度最大或最小的位置作为切割液（F3），根据测定结果，将锭在切割位置垂直于成长轴切割成两端的氧浓度最大和最小（F4），并将块切片进入半导体晶片。由此，可以从半导体晶锭可靠地制造氧浓度在预定特定范围内的半导体晶片的技术。 ®KIPO＆WIPO 2007

3. 发明公开

KR1020010101189A 에피텍셜 웨이퍼용 실리콘 단결정 웨이퍼, 에피텍셜웨이퍼 및 이들의 제조방법 그리고 평가방법 有权
标题翻译：用于外延晶片的硅单晶晶片，外延晶片，它们的制造方法和评估方法
公开(公告)号：KR1020010101189A
公开(公告)日：2001-11-14
申请号：KR1020017007346
申请日：2000-10-05
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 키무라아키히로 , 이이다마코토 , 하야미즈요시노리 , 아이하라켄 , 키무라마사노리
IPC分类号： C30B15/04
摘要： CZ법에 의해 육성된 에피텍셜성장용 실리콘 단결정 웨이퍼에 있어서, 질소가 도프되고, 또한 전면 V-리치 영역이거나 또는 질소가 도프되고 면내에 OSF영역을 갖고, 또한 상기 OSF영역에 있어서 LEP밀도가 20개/㎠이하 또는 OSF밀도가 1×10
4 개/㎠ 이하인 실리콘 단결정 웨이퍼, 및 그 기판을 이용한 에피텍셜웨이퍼, 그리고 그들의 제조방법과 에피텍셜웨이퍼용에 적합한 기판의 평가방법, 질소를 도프한 CZ실리콘 단결정웨이퍼에 에피텍셜성장을 행할 때, 에피텍셜층에 발생하는 결정결함을 억제하고, 또한 우수한 IG능력을 갖는 에피텍셜웨이퍼용 기판 및 그 기판을 이용한 에피텍셜웨이퍼, 그리고 그들의 제조방법과 에피텍셜웨이퍼용에 적합한 기판의 평가방법이 제공된다.

4. 发明公开

KR1019990029395A 종결정 홀더 无效
标题翻译：晶种支架
公开(公告)号：KR1019990029395A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980035762
申请日：1998-08-31
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이이다마코토 , 이이노에이이치 , 기무라마사노리 , 무라오카소조
IPC分类号： C30B15/32
摘要： 종 결정 홀더는 쵸크랄스키 법에 따라 작동되는 단결정인상장치에 사용된다.
상기 종 결정 홀더에 있어서, 내열성 쿠숀 재가 종 결정의 표면과 홀더의 크로의 접촉 표면과의 사이에, 또는 종 결정의 절결 표면과 홀더의 삽입구의 접촉 표면과의 사이에 제공된다.
상기 내열성 쿠숀 재는 탄소섬유펠트, 유리섬유펠트, 및 금속섬유펠트로 이루어지는 그룹으로부터 선택되거나 또는 Al과 같은 소성변형을 일으키는 재료로부터 선택된다.

5. 发明授权

KR101408682B1 실리콘 단결정의 제조 시스템 및 이를 이용한 실리콘 단결정 제조방법 有权
标题翻译：硅单晶制造系统和硅晶体水晶制造方法
公开(公告)号：KR101408682B1
公开(公告)日：2014-06-17
申请号：KR1020087030286
申请日：2007-05-28
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이이다마코토 , 미타무라노부아키 , 야나기마치타카히로
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要： 본 발명은 CZ법을 이용한 인상 장치로 제조되는 실리콘 단결정의 결정품질을 목표 규격 내로 하기 위해서, F/G의 값을 소정 범위 내로 제어하는 제조조건을 설계하는 시스템에서, 적어도 자동으로 앞 배치의 실리콘 단결정의 단결정 품질결과로부터 다음 배치의 실리콘 단결정의 제조조건을 가설계하는 수단 1, 다음 배치에서의 제조공정을 요인으로 하는 F 및/또는 G의 변화량으로부터 보정량을 산출하는 수단 2, 다음 배치에서의 제조공정을 요인으로 하는 F 및/또는 G의 변화량으로부터 보정량을 산출하는 수단 3, 수단 1에 의한 제조조건에 수단 2 및/또는 수단 3에 의한 보장량을 가산하고, 다음 배치에서의 제조조건을 산출하는 수단 4를 구비하는 실리콘 단결정의 제조시스템을 제공한다. 이에 의해 소정의 결정품질의 실리콘 단결정을 보다 확실하게 얻을 수 있고, 생산성이나 수율의 향상을 실현하는 실리콘 단결정의 제조 시스템 및 이를 이용한 실리콘 단결정의 제조방법이 제공된다.
실리콘 웨이퍼

6. 发明公开

KR1020090024149A 실리콘 단결정의 제조 시스템 및 이를 이용한 실리콘 단결정 제조방법 有权
标题翻译：硅单晶制造系统和硅晶体水晶制造方法
公开(公告)号：KR1020090024149A
公开(公告)日：2009-03-06
申请号：KR1020087030286
申请日：2007-05-28
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이이다마코토 , 미타무라노부아키 , 야나기마치타카히로
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要： A system is provided for designing manufacturing conditions for controlling an F/G value within a prescribed range to have the crystal quality of a silicon single crystal manufactured by a pulling apparatus employing the CZ method to be within a target standard. The silicon single crystal manufacturing system is provided with at least a means (1) for automatically designing manufacturing conditions of the silicon single crystal of a subsequent batch temporarily, based on the crystal quality results of the silicon single crystal of the previous batch; a means (2) for calculating a correction quantity from the change quantity of a value F and/or G brought by the constitution member of the pulling apparatus for the subsequent batch; a means (3) for calculating a correction quantity from the change quantity of a value F and/or G brought by the manufacturing step of the subsequent batch; and a means (4) for calculating manufacturing conditions of the subsequent batch by adding the correction quantity obtained from the means (2) and/or the means (3) to the manufacturing conditions obtained from the means (1). Thus, the silicon single crystal having desired crystal qualities can be surely obtained, and the silicon single crystal manufacturing system with improved productivity and yield and the silicon single crystal manufacturing method using such system are provided.
摘要翻译：提供了一种用于设计用于控制规定范围内的F / G值的制造条件的系统，以使由采用CZ方法的拉制装置制造的硅单晶的晶体质量在目标标准内。硅单晶制造系统至少设置有一种用于根据先前批次的硅单晶的晶体质量结果临时自动设计后续批次的硅单晶的制造条件的装置（1）用于根据后续批次的牵引装置的构成部件的值F和/或G的变化量计算校正量的装置（2）用于根据后续批次的制造步骤带来的值F和/或G的变化量计算校正量的装置（3）以及用于通过将从装置（2）和/或装置（3）获得的校正量与从装置（1）获得的制造条件相加来计算后续批次的制造条件的装置（4）。因此，可以可靠地获得具有期望的晶体质量的硅单晶，并且提供具有提高的生产率和产率的硅单晶制造系统以及使用这种系统的硅单晶制造方法。

7. 发明授权

KR100780097B1 실리콘 단결정의 제조방법, 및 그 방법으로 제조된 실리콘단결정과 실리콘 웨이퍼 有权
标题翻译：方法制造硅单晶，硅单晶的方法和硅波
公开(公告)号：KR100780097B1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：KR1020017005360
申请日：2000-08-30
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이이다마코토 , 키무라마사노리 , 타케노히로시 , 하야미즈요시노리
IPC分类号： C30B15/20
摘要： CZ법에 의한 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 소정의 불순물의 종류 및 농도를 갖는 실리콘 단결정을 제조하기 전에, 제조예정 실리콘 단결정과 같은 불순물의 종류 및 농도를 갖는 실리콘 단결정을 성장시켜 그로운인 결함의 응집온도대를 구한 후, 그 온도에 기초하여 응집온도대를 통과하는 결정의 냉각속도가 소정값으로 되도록 실리콘 단결정의 육성조건 혹은 인상기로내의 온도분포를 정하여 실리콘 단결정을 제조하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법, 및 열처리를 실시하기 전 LSTD의 밀도가 500개/㎠ 이상, 결함 싸이즈의 평균치가 70nm 이하인 실리콘 단결정. CZ법에 의해 제조된 실리콘 단결정에 있어서, 그로운인 결함의 싸이즈와 밀도의 편차를 효율좋게 억제하고 결정의 품종에 관계없이 품질이 안정한 실리콘 단결정, 실리콘 웨이퍼 및 그 제조방법이 제공된다.
실리콘 단결정, 웨이퍼, 응집온도대, 그로운인 결함, 질소

8. 发明授权

KR100832944B1 어닐 웨이퍼의 제조방법 및 어닐 웨이퍼 有权
标题翻译：退火过程和退火过程的制造过程
公开(公告)号：KR100832944B1
公开(公告)日：2008-05-27
申请号：KR1020027003607
申请日：2001-09-18
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 코바야시노리히로 , 타마츠카마사로 , 나고야타카토시 , 쿠웨이페익 , 이이다마코토
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 실리콘 웨이퍼 표면에 환경으로부터의 부착 붕소를 가지는 웨이퍼에 불활성가스 분위기에서 열처리를 행하여도, 웨이퍼 표면의 저항률의 변화가 발생하지 않도록 한 열처리 방법을 이용하고, 또한, 이와 같은 열처리를 기밀성을 높이기 위한 실구조나 방폭설비 등의 특별한 설비를 필요로 하지 않는 통상의 확산로에서 가능하게 하는 어닐 웨이퍼의 제조방법 및 웨이퍼 표면 근방의 붕소 농도가 일정하고, 또 결정 결함이 소멸한 어닐 웨이퍼를 제공한다. 표면에 자연산화막이 형성되고, 또 환경으로부터의 붕소가 부착된 실리콘 웨이퍼에 대해, 수소가스가 함유된 분위기에 의한 열처리를 행함으로써 상기 자연산화막이 제거되기 전에 상기 부착 붕소을 제거하고, 그 후 불활성가스 분위기에 의해 열처리하도록 하였다.
어닐 웨이퍼, 열처리, 붕소, 수소가스, 자연산화막.

9. 发明公开

KR1020060040724A 단결정의 제조방법 및 단결정 제조장치 无效
标题翻译：生产单晶和单晶生产设备的工艺
公开(公告)号：KR1020060040724A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020067001882
申请日：2004-06-02
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이이다마코토
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/14 , C30B29/06
摘要： A process for producing a single crystal through pullup of a single crystal from a raw material accommodated in a crucible and heated and molten by means of heater according to the Czochralski method, wherein the inside diameter of the heater is at least 1.26 times the inside diameter of the crucible so as to form allover N- region crystal. There is further provided an apparatus for single crystal production according to the Czochralski method, including at least a crucible capable of accommodating a raw material melt, a heater disposed so as to surround the crucible and capable of heating the raw material accommodated in the crucible into molten form and pullup means for pulling up a single crystal from the raw material melt accommodated in the crucible, wherein the inside diameter of the heater is at least 1.26 times the inside diameter of the crucible. The thus provided process and apparatus for single crystal production can increase the pullup rate in the production of low-oxygen N-region crystal and can realize productivity enhancement.
摘要翻译：一种通过从容纳在坩埚中的原料中提取单晶并通过加热器根据切克劳斯基法进行加热熔化的单晶的方法，其中加热器的内径至少为内径的1.26倍的坩埚，以形成全N型晶体。还提供了一种根据切克劳斯基法的单晶生产装置，其至少包括能够容纳原料熔体的坩埚，设置成围绕坩埚的加热器，并且能够将容纳在坩埚中的原料加热成熔融形式和上拉装置，用于从容纳在坩埚中的原料熔体中提起单晶，其中加热器的内径至少为坩埚内径的1.26倍。因此提供的单晶生产方法和装置可以增加低氧N区晶体生产中的上拉率，并且可以实现提高生产率。

10. 发明公开

KR1020020048938A 어닐 웨이퍼의 제조방법 및 어닐 웨이퍼 有权
公开(公告)号：KR1020020048938A
公开(公告)日：2002-06-24
申请号：KR1020027003607
申请日：2001-09-18
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 코바야시노리히로 , 타마츠카마사로 , 나고야타카토시 , 쿠웨이페익 , 이이다마코토
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 실리콘 웨이퍼 표면에 환경으로부터의 부착 붕소를 가지는 웨이퍼에 불활성가스 분위기에서 열처리를 행하여도, 웨이퍼 표면의 저항률의 변화가 발생하지 않도록 한 열처리 방법을 이용하고, 또한, 이와 같은 열처리를 기밀성을 높이기 위한 실구조나 방폭설비 등의 특별한 설비를 필요로 하지 않는 통상의 확산로에서 가능하게 하는 어닐 웨이퍼의 제조방법 및 웨이퍼 표면 근방의 붕소 농도가 일정하고, 또 결정 결함이 소멸한 어닐 웨이퍼를 제공한다. 표면에 자연산화막이 형성되고, 또 환경으로부터의 붕소가 부착된 실리콘 웨이퍼에 대해, 수소가스가 함유된 분위기에 의한 열처리를 행함으로써 상기 자연산화막이 제거되기 전에 상기 부착 붕소을 제거하고, 그 후 불활성가스 분위기에 의해 열처리하도록 하였다.

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