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1. 发明授权

KR101901308B1 실리콘 융액면의 높이위치의 산출방법 및 실리콘 단결정의 인상방법 그리고 실리콘 단결정 인상장치 有权
公开(公告)号：KR101901308B1
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：KR1020147023071
申请日：2013-01-22
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 마스다,나오키 , 야나기마치,타카히로
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/20 , C30B29/06 , G01B11/0608 , G01B11/08 , G01B21/08 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： 본발명은, CZ 실리콘단결정을인상할때에, 실리콘융액면의높이위치를산출하는방법으로서, 실리콘단결정에대하여임의의각도로설치한 CCD 카메라를이용하여, 실리콘융액과실리콘단결정의경계의퓨전링으로부터계측한제1의결정직경과, 실리콘단결정의결정직경의양단을향하여각각평행하게설치한 2대의 CCD 카메라를이용하여계측한제2의결정직경을구하고, 이제1의결정직경과제2의결정직경의차로부터, 실리콘단결정인상중에있어서의도가니내의실리콘융액면의높이위치를산출하는실리콘융액면의높이위치의산출방법을제공한다. 이에따라, 실리콘단결정을인상하고있을때의실리콘융액면의높이위치를보다정확하게산출할수 있는방법이제공된다.

2. 发明授权

KR102241325B1 반도체 단결정 인상장치 및 이것을 이용한 반도체 단결정의 재용융방법 有权
公开(公告)号：KR102241325B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020177006591
申请日：2015-09-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 마스다,나오키 , 우라노,마사히코
IPC分类号： C30B15/22
摘要： 본발명은, 융액을수용하는도가니를가열보온하는히터와, 융액으로부터반도체단결정을인상하면서육성하는와이어를구비하는단결정인상장치로서, 단결정인상장치는, 와이어로반도체단결정의하단부를융액중에침지시켜재용융시켰을때에, 반도체단결정의중량의변화로부터, 반도체단결정의하단부의재용융이완료된것을검출하는재용융검출장치와, 도가니와와이어의사이에전압을인가함으로써, 반도체단결정과융액의사이에전압을인가하면서와이어로반도체단결정을감아올렸을때, 반도체단결정과융액의사이에전류가흐르지않게된 위치로부터, 반도체단결정의최하단을검출하는최하단검출장치를구비하는것을특징으로하는반도체단결정인상장치이다. 이에따라, 반도체단결정의재용융에있어서, 침지시킨결정의용융완료를판단하기때문에, 육안에의한확인이필요없는, 효과적인재용융이가능해진다.

3. 发明公开

KR1020170063560A 반도체 단결정 인상장치 및 이것을 이용한 반도체 단결정의 재용융방법 审中-实审
标题翻译：半导体单晶提拉装置及使用其的半导体单晶重熔方法
公开(公告)号：KR1020170063560A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020177006591
申请日：2015-09-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 마스다,나오키 , 우라노,마사히코
IPC分类号： C30B15/22
CPC分类号： C30B15/28 , C30B15/14 , C30B15/22
摘要： 본발명은, 융액을수용하는도가니를가열보온하는히터와, 융액으로부터반도체단결정을인상하면서육성하는와이어를구비하는단결정인상장치로서, 단결정인상장치는, 와이어로반도체단결정의하단부를융액중에침지시켜재용융시켰을때에, 반도체단결정의중량의변화로부터, 반도체단결정의하단부의재용융이완료된것을검출하는재용융검출장치와, 도가니와와이어의사이에전압을인가함으로써, 반도체단결정과융액의사이에전압을인가하면서와이어로반도체단결정을감아올렸을때, 반도체단결정과융액의사이에전류가흐르지않게된 위치로부터, 반도체단결정의최하단을검출하는최하단검출장치를구비하는것을특징으로하는반도체단결정인상장치이다. 이에따라, 반도체단결정의재용융에있어서, 침지시킨결정의용융완료를판단하기때문에, 육안에의한확인이필요없는, 효과적인재용융이가능해진다.
摘要翻译：本发明中，以加热绝缘坩埚用于容纳熔融加热器，具有布线的单晶提拉装置，以培育和由浸没在熔体中的金属丝从熔体中，单晶提拉装置提高半导体单晶，由半导体单晶的下端部当sikyeoteul重熔，通过从重量变化的半导体单晶的，在施加重熔检测装置之间的电压，用于检测阻尼荣格完整，所述半导体单晶的下端部分，所述坩埚和电线，所述半导体单晶和熔体之间的电压当施加作为凸起通过导线，从该半导体单晶和熔体之间的电流不流过的位置，一个半导体单晶提拉装置包括底部检测单元，用于检测所述半导体单晶的最下端绕组半导体单晶。 Yiettara，在半导体单晶的再熔化，因为它决定了浸泡晶体的完全熔化，这不被肉眼要求确认，能够进行有效的人类熔体。

4. 发明公开

KR1020140129033A 실리콘 융액면의 높이위치의 산출방법 및 실리콘 단결정의 인상방법 그리고 실리콘 단결정 인상장치 审中-实审
标题翻译：用于计算硅胶表面高度位置的方法，用于绘制单晶硅的方法和用于绘制单晶硅的装置
公开(公告)号：KR1020140129033A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020147023071
申请日：2013-01-22
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 마스다,나오키 , 야나기마치,타카히로
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/26 , C30B15/20 , C30B29/06 , G01B11/0608 , G01B11/08 , G01B21/08 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： 본 발명은, CZ 실리콘 단결정을 인상할 때에, 실리콘 융액면의 높이위치를 산출하는 방법으로서, 실리콘 단결정에 대하여 임의의 각도로 설치한 CCD 카메라를 이용하여, 실리콘 융액과 실리콘 단결정의 경계의 퓨전링으로부터 계측한 제1의 결정직경과, 실리콘 단결정의 결정직경의 양단을 향하여 각각 평행하게 설치한 2대의 CCD 카메라를 이용하여 계측한 제2의 결정직경을 구하고, 이 제1의 결정직경과 제2의 결정직경의 차로부터, 실리콘 단결정 인상 중에 있어서의 도가니 내의 실리콘 융액면의 높이위치를 산출하는 실리콘 융액면의 높이위치의 산출방법을 제공한다. 이에 따라, 실리콘 단결정을 인상하고 있을 때의 실리콘 융액면의 높이위치를 보다 정확하게 산출할 수 있는 방법이 제공된다.
摘要翻译：公开了一种用于计算拉伸CZ硅单晶时的硅熔体表面的高度位置的方法，包括：通过在硅熔体和硅单晶的边界上从熔融环测得的第一晶体直径使用相对于硅单晶以任意角度安装的CCD照相机，以及通过使用平行于硅单晶的晶体直径的两端安装的两个CCD照相机测量的第二晶体直径; 以及从所述第一晶体直径和所述第二晶体直径之间的差中计算所述坩埚中的所述硅熔体表面的高度位置。结果，提供了一种能够进一步精确计算拉制硅单晶时的硅熔体表面的高度位置的方法。

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