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1. 发明授权

KR102213794B1 전원 공급 장치 및 그의 제어 회로 有权
公开(公告)号：KR102213794B1
公开(公告)日：2021-02-08
申请号：KR1020130076024
申请日：2013-06-28
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 한대훈 , 김서형 , 류승룡 , 최중호 , 이주형 , 김홍진 , 이재신 , 이강윤
IPC分类号： H05B45/00
摘要： 본발명은일차측에입력된입력전원을스위칭하여상기일차측과전기적으로절연된이차측에연결되는소정의부하에전원을공급하는전원공급장치및 그의제어회로에관한것으로, 본발명의제어회로는소정의 PWM 신호를생성하여상기부하의종단에연결된디밍스위치에인가하고, 상기부하에공급되는전원에따른피드백신호와상기 PWM 신호에따라생성되는제어전압에기초하여상기일차측의스위칭주파수를제어하고, 상기제어전압은상기 PWM 신호의듀티와무관하게최소전압레벨과최대전압레벨의차가일정하게유지될수 있다.

2. 发明授权

KR101920673B1 컨버터 구동회로, 듀얼 모드 ＬＬＣ 공진 컨버터 시스템 및 듀얼 모드 ＬＬＣ 공진 컨버터 구동방법 有权
公开(公告)号：KR101920673B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020120009486
申请日：2012-01-31
申请人： 주식회사 솔루엠 , 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 한대훈 , 이강윤 , 최중호 , 김홍진 , 이주형 , 장유진 , 공정철 , 이재신
IPC分类号： H02M3/28
CPC分类号： H02M3/33507 , H02M3/3376 , H02M2001/0058 , Y02B70/1433 , Y02B70/1491
摘要： 본발명은컨버터구동회로, 듀얼모드 LLC 공진컨버터시스템및 듀얼모드 LLC 공진컨버터구동방법에관한것으로, 듀얼모드 LLC 공진컨버터를구동하는것에있어서, 상기듀얼모드 LLC 공진컨버터에서출력된전압을피드백하는피드백전압센싱부; 상기피드백전압센싱부와연결되며, 피드백된전압으로구동제어전압을생성하는구동제어전압생성부; 상기구동제어전압생성부와연결되며, 상기구동제어전압의변동범위를제한하는상한전압및 하한전압을생성하는구동제어전압한계가변설정부; 및상기구동제어전압생성부와연결되며, 상기구동제어전압을인가받아듀얼모드 LLC 공진컨버터의스위치각각의온오프를제어하는스위치제어신호를생성하는클럭생성부;를포함하며, 상기상한전압및 상기하한전압은상기구동제어전압의변화를반영하여가변될수 있다.

3. 发明公开

KR1020150050777A 게이트 구동 회로, 스위치 장치 및 이를 갖는 전원 공급 장치 审中-实审
标题翻译：闸门驱动电路，开关装置及其具有的电源装置
公开(公告)号：KR1020150050777A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：KR1020130131617
申请日：2013-10-31
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 차상현 , 박득희 , 이연중 , 최중호 , 유제현 , 류현선 , 이창석
IPC分类号： H03K17/56 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/063 , H02M3/33507 , H03K17/687
摘要： 본발명은데드타임제어가필요없는클래스 B 증폭기구조의게이트구동회로, 스위칭장치및 이를갖는전원공급장치에관한것으로, 사전에설정된하이레벨과로우레벨의신호레벨을갖는입력신호를입력받고, 상기입력신호가하이레벨인경우턴 온하는제1 N MOS FET와, 상기입력신호가로우레벨인경우턴 온하는제1 P MOS FET를가지며, 상기제1 N MOS FET 및상기제1 P MOS FET의턴 온에의해바이어스전원을공급하는바이어스부; 및상기입력신호가하이레벨인경우상기제1 N MOS FET로부터바이어스전원을공급받아턴 온하는제2 N MOS FET와, 상기입력신호가로우레벨인경우턴 온하는제1 P MOS FET로부터바이어스전원을공급받아턴 온하는제2 P MOS FET를구비하여, 상기제2 N MOS FET와상기제2 P MOS FET의턴 온에따라게이트신호를제공하는증폭부를포함하는게이트구동회로, 스위칭장치및 이를갖는전원공급장치를제안한다.
摘要翻译：门驱动电路，开关装置和具有该栅极驱动电路的电源装置技术领域本发明涉及栅极驱动电路，开关装置和具有该栅极驱动电路的电源装置。栅极驱动电路具有不需要死区时间控制的B类放大器的结构。本发明包括：具有第一N MOS FET的偏置部分，其接收具有预定高电平和低电平的信号电平的输入信号，并且当输入信号处于高电平时导通;以及第一P MOS FET，当输入信号处于低电平时导通，并且根据接通的1 N MOS FET或1 P MOS FET提供偏置电源; 以及放大器，其包括第二N MOS FET，所述第二N MOS FET从所述第一N MOS FET提供所述偏置电源，并且当所述输入信号处于高电平时导通; 以及第二P MOS FET，其从所述第一P MOS FET提供所述偏置电源，并且当所述输入信号为低电平时导通，以便根据所述第二N MOS FET和所述第二P MOS FET提供栅极信号 MOS FET导通。

4. 发明授权

KR101434056B1 위상 변환 회로 및 그를 포함하는 역률 보상 회로 有权
公开(公告)号：KR101434056B1
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020120151303
申请日：2012-12-21
申请人： 삼성전기주식회사 , 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 장유진 , 조환 , 노용성 , 문영진 , 박정표 , 최중호 , 양정모 , 유창식
IPC分类号： H02M1/12 , H02M1/14
CPC分类号： H02M1/4225 , H02M1/14 , H02M3/1584 , H02M2001/4291 , H02M2003/1586 , Y02B70/126
摘要： 본 발명은 위상 변환 회로 및 그를 포함하는 역률 보상 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 복수의 스위치 소자에 의해 커패시터를 충전 또는 방전하고, 상기 커패시터의 전압을 소정의 기준 전압과 비교하는 스위치 회로부, 및 상기 스위치 회로부의 출력에 기초하여 기준 클럭 신호를 생성하는 클럭 생성부를 포함하고, 상기 스위치 회로부는 역률 보상 회로의 주 회로와 서브 회로 각각에 포함되는 인덕터의 전류에 기초하여 상기 복수의 스위치 소자를 턴-온 또는 턴-오프함으로써 상기 커패시터의 전압 극성을 결정하는 위상 변환 회로를 제안한다.

5. 发明授权

KR102143186B1 셀 밸런싱 회로 有权
公开(公告)号：KR102143186B1
公开(公告)日：2020-08-10
申请号：KR1020190044438
申请日：2019-04-16
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 최중호 , 윤범수 , 정태경 , 김진현
IPC分类号： H02J7/00 , H01M10/42

6. 发明授权

KR101965556B1 조명구동장치 有权
公开(公告)号：KR101965556B1
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：KR1020110057378
申请日：2011-06-14
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 최중호 , 이연중 , 박득희 , 차상현 , 이창석
IPC分类号： H05B37/02

7. 发明授权

KR101802947B1 논리 장치 및 논리 장치의 동작 방법 有权
标题翻译：逻辑设备和逻辑设备如何工作
公开(公告)号：KR101802947B1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020110087847
申请日：2011-08-31
申请人： 삼성전자주식회사 , 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 최현식 , 김호정 , 김기철 , 신재광 , 최중호 , 정형수
IPC分类号： H03K19/173 , G06F9/06
CPC分类号： H03K19/17756
摘要： 논리장치가개시된다. 본발명의실시예에따른논리장치는, 제1 저장블록및 제2 저장블록및 제1 기능제어부를포함하는제1 기능블록을포함하고, 제1 동작구간에서상기제1 기능제어부는, 제1 설정선택신호및 제1 기능의설정을명령하는제1 설정명령신호를수신하고, 상기제1 설정선택신호를기반으로상기제1 저장블록을상기제1 동작구간의설정저장블록으로선택하고, 상기제1 설정명령신호를기반으로상기제1 저장블록에상기제1 기능을설정한다.
摘要翻译：公开了一种逻辑器件。根据本发明的一个实施例，在所述第一存储块和第二存储块，以及第一功能的控制，如权利要求包括第一功能块，并在第1动作期间包括第一功能控制单元，该第一逻辑装置接收第一组命令信号，以命令组的选择信号，并设置第一功能，以及基于所述第一设定选择信号到所述第一铜雀之间的设定存储块中选择所述第一存储块，并且其中并且第一功能基于第一设定命令信号被设定到第一存储块。

8. 发明公开

KR1020170048632A 무선 전력 송신 장치 审中-实审
标题翻译：无线电力发射器
公开(公告)号：KR1020170048632A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：KR1020150148622
申请日：2015-10-26
申请人： 삼성전기주식회사 , 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 홍병주 , 류제혁 , 박형구 , 최중호 , 김홍진 , 이주영 , 서동현 , 박영준 , 이종우 , 이강윤
IPC分类号： H02J17/00 , H02J7/02
CPC分类号： H03K4/502 , H02J7/025 , H03F1/025 , H03F3/245 , H03F2200/114 , H03K3/0231 , H03K3/84 , H04J11/0023 , H04L1/242
摘要： 본발명의일 실시예에따른무선전력송신장치는, 전원을제공하는전원제공부; 전원을증폭시키는증폭부; 증폭부에의해증폭된전원을받아공진하는공진부; 및증폭부에주파수가가변하는기준신호를제공하는기준신호제공부; 를포함함으로써, 전자파간섭(EMI)을저감시킬수 있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的无线电力传输设备包括：提供电力的电力供应单元; 放大电源的放大器; 谐振单元，接收由放大单元放大并谐振的功率; 以及参考信号提供单元，用于提供频率在放大单元中变化的参考信号; 电磁干扰（EMI）可以降低。

9. 发明公开

KR1020160056975A 전원장치 및 그의 구동방법 审中-实审
标题翻译：切换控制器和功率控制器，包括它们
公开(公告)号：KR1020160056975A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：KR1020140156875
申请日：2014-11-12
申请人： 주식회사 솔루엠 , 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 성준엽 , 김서형 , 최중호 , 김홍진 , 박영준 , 유창재 , 안민영 , 이강윤
IPC分类号： H02M3/28 , H02M1/08
摘要： 본발명의목적은, 공진이탈방지를위한전원장치및 그의구동방법을제공하는것이다. 본발명은제1FET와제2FET를서로다른시간에턴온시키는제1스위칭신호와제2스위칭신호를출력하는제어장치에있어서, 구동전류와구동전압을감지하고구동전류와구동전압을이용하여공진이탈발생조건을판단하고, 공진이탈발생조건이만족되면공진이탈방지신호를생성하여출력하되, 공진이탈발생조건을만족할때까지공진이탈방지신호를지연하여출력하는공진이탈방지회로부, 및제1스위칭신호와제2스위칭신호를생성하여출력하되, 공진이탈방지신호에대응하여제1스위칭신호또는제2스위칭신호의주파수를각각조절하는스위칭신호생성부를포함하는제어장치및 그의구동방법을제공하는것이다.
摘要翻译：本发明提供一种防止共振逃逸的电源装置及其驱动方法。本发明的电源装置在不同时间点输出第一开关信号和第二开关信号以接通第一FET和第二FET的控制装置中包括：谐振防止逃逸电路单元，用于检测驱动电流和驱动电压，通过使用驱动电流和驱动电压来确定共振逃逸生成条件，以在谐振逃逸产生条件满足时产生并输出共振逃逸防止信号，并且延迟并输出谐振逃逸防止信号，直到满足共振逃逸生成条件为止; 以及切换信号生成单元，其生成并输出第一切换信号和第二切换信号，并且响应于所述共振逃逸防止信号，分别控制所述第一切换信号或所述第二切换信号的频率。

10. 发明授权

KR101434057B1 위상 변환 회로 및 그를 포함하는 역률 보상 회로 有权
标题翻译：相位切换电路和功率因数校正电路，包括它们
公开(公告)号：KR101434057B1
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020120151304
申请日：2012-12-21
申请人： 삼성전기주식회사 , 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 양정모 , 조환 , 노용성 , 문영진 , 박정표 , 유창식 , 장유진 , 최중호
IPC分类号： H02M1/12 , H02M1/14
CPC分类号： H02M1/4225 , Y02B70/126 , Y02P80/112
摘要： 본 발명은 위상 변환 회로 및 그를 포함하는 역률 보상 회로에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 복수의 스위치 소자에 의해 커패시터를 충전 또는 방전하고, 상기 커패시터의 전압을 소정의 기준 전압과 비교하는 스위치 회로부, 및 상기 스위치 회로부의 출력에 기초하여 기준 클럭 신호를 생성하는 클럭 생성부를 포함하고, 상기 스위치 회로부는 역률 보상 회로의 주 회로와 서브 회로 각각에 포함되는 인덕터의 전류에 기초하여 상기 복수의 스위치 소자를 턴-온 또는 턴-오프함으로써 상기 커패시터의 전압 극성을 결정하는 위상 변환 회로를 제안한다.

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