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    • 1. 发明公开
    • 게이트 구동 회로, 스위치 장치 및 이를 갖는 전원 공급 장치
    • 闸门驱动电路,开关装置及其具有的电源装置
    • KR1020150050777A
    • 2015-05-11
    • KR1020130131617
    • 2013-10-31
    • 서울시립대학교 산학협력단
    • 차상현박득희이연중최중호유제현류현선이창석
    • H03K17/56H02M1/08
    • H03K17/063H02M3/33507H03K17/687
    • 본발명은데드타임제어가필요없는클래스 B 증폭기구조의게이트구동회로, 스위칭장치및 이를갖는전원공급장치에관한것으로, 사전에설정된하이레벨과로우레벨의신호레벨을갖는입력신호를입력받고, 상기입력신호가하이레벨인경우턴 온하는제1 N MOS FET와, 상기입력신호가로우레벨인경우턴 온하는제1 P MOS FET를가지며, 상기제1 N MOS FET 및상기제1 P MOS FET의턴 온에의해바이어스전원을공급하는바이어스부; 및상기입력신호가하이레벨인경우상기제1 N MOS FET로부터바이어스전원을공급받아턴 온하는제2 N MOS FET와, 상기입력신호가로우레벨인경우턴 온하는제1 P MOS FET로부터바이어스전원을공급받아턴 온하는제2 P MOS FET를구비하여, 상기제2 N MOS FET와상기제2 P MOS FET의턴 온에따라게이트신호를제공하는증폭부를포함하는게이트구동회로, 스위칭장치및 이를갖는전원공급장치를제안한다.
    • 门驱动电路,开关装置和具有该栅极驱动电路的电源装置技术领域本发明涉及栅极驱动电路,开关装置和具有该栅极驱动电路的电源装置。 栅极驱动电路具有不需要死区时间控制的B类放大器的结构。 本发明包括:具有第一N MOS FET的偏置部分,其接收具有预定高电平和低电平的信号电平的输入信号,并且当输入信号处于高电平时导通;以及第一P MOS FET, 当输入信号处于低电平时导通,并且根据接通的1 N MOS FET或1 P MOS FET提供偏置电源; 以及放大器,其包括第二N MOS FET,所述第二N MOS FET从所述第一N MOS FET提供所述偏置电源,并且当所述输入信号处于高电平时导通; 以及第二P MOS FET,其从所述第一P MOS FET提供所述偏置电源,并且当所述输入信号为低电平时导通,以便根据所述第二N MOS FET和所述第二P MOS FET提供栅极信号 MOS FET导通。