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1. 发明公开

KR1020100067413A 비접촉식 플라즈마 모니터링 장치, 플라즈마 처리 장치 및 비접촉식 플라즈마 모니터링 방법 无效
标题翻译：非接触式等离子体监测装置，等离子体处理装置和非接触式等离子体监测系统
公开(公告)号：KR1020100067413A
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：KR1020080125975
申请日：2008-12-11
申请人： 삼성전자주식회사 , 주식회사 플라즈마트
发明人： 최신일 , 진홍기 , 김상갑 , 이기엽 , 양동주 , 정유광 , 최승하 , 여윤종 , 박지영 , 김형준 , 이상선
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： G01R33/12
摘要： PURPOSE: A contactless plasma monitoring apparatus, a plasma processing apparatus and a contactless plasma monitoring method are provided to maintain a plasma state in a processing chamber with proper condition to a plasma process by controlling a voltage provided to the processing chamber in a real time. CONSTITUTION: A processing chamber(100) supplies a reaction space(150) in which the process is implemented using a plasma(140). The processing chamber includes an upper electrode(110) and a lower electrode(120). A power supply unit(300) supplies the power supply to the processing chamber. The power supply unit includes a power generating unit(320) with generating the power supply to the processing chamber and a matching box(310). The matching box controls the intensity of the generated power source and supplies to the processing chamber. A power supply wiring(200) connects the processing chamber with the power supply unit.
摘要翻译：目的：提供一种非接触式等离子体监测装置，等离子体处理装置和非接触式等离子体监测方法，以通过实时控制提供给处理室的电压，将处于等离子体状态的等离子体状态保持在等离子体处理的适当条件。构成：处理室（100）提供使用等离子体（140）实现该过程的反应空间（150）。处理室包括上电极（110）和下电极（120）。电源单元（300）将电源供应到处理室。电源单元包括产生对处理室的电源的发电单元（320）和匹配箱（310）。匹配箱控制所产生的电源的强度并供应给处理室。电源线（200）将处理室与电源单元连接。

2. 发明公开

KR1020020091325A 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 헤드 및 그것을이용한 폴리싱방법 失效
标题翻译： CMP装置的抛光头和使用它的抛光方法
公开(公告)号：KR1020020091325A
公开(公告)日：2002-12-06
申请号：KR1020010030365
申请日：2001-05-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 부재필 , 김종수 , 유준규 , 이상선 , 이선웅
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B41/061 , B24B37/30
摘要： PURPOSE: A polishing head of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) apparatus and a polishing method using the same are provided to obtain high polishing uniformity in a polishing process by controlling variably pressures applied to each region of a wafer. CONSTITUTION: A CMP apparatus(100) has a polishing station(110) and a polishing head assembly(120). A rotary turntable(114) having a polishing pad(112) is installed in the polishing station(110). The rotary turntable(114) is connected with a rotary device. The polishing pad(112) is formed with a complex material having a polishing face. The polishing station(110) includes a pad conditioning portion(116) and a slurry supply portion(118). The slurry supply portion(118) is used for supplying a slurry to a surface of a pad. The slurry includes a reaction reagent, frictional particles, and a chemical reaction catalyst. The polishing head assembly(120) includes a polishing head(130), a driving shaft(122), and a motor(124). The polishing head(130) faces the polishing pad(112). The polishing head(130) is rotated by the driving shaft(122) connected with the motor(124).
摘要翻译：目的：提供CMP（化学机械抛光）装置的抛光头和使用其的抛光方法，以通过控制施加到晶片的每个区域的可变压力来在抛光过程中获得高抛光均匀性。构造：CMP设备（100）具有抛光台（110）和抛光头组件（120）。具有抛光垫（112）的旋转转盘（114）安装在抛光台（110）中。旋转转盘（114）与旋转装置连接。抛光垫（112）由具有抛光面的复合材料形成。抛光台（110）包括垫调节部分（116）和浆料供应部分（118）。浆料供应部分（118）用于将浆料供应到垫的表面。浆料包括反应试剂，摩擦颗粒和化学反应催化剂。抛光头组件（120）包括抛光头（130），驱动轴（122）和电动机（124）。抛光头（130）面向抛光垫（112）。抛光头（130）由与马达（124）连接的驱动轴（122）旋转。

3. 发明公开

KR1020040107593A 윈도로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부를 가지는 화학기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드 失效
标题翻译：抛光垫用于防止流体浸入CMP设备中的窗口的环状密封挡板
公开(公告)号：KR1020040107593A
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：KR1020030036334
申请日：2003-06-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진국 , 부재필 , 이상선 , 김종복
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205
摘要： PURPOSE: A polishing pad in CMP(Chemical Mechanical Polishing) equipment is provided to prevent a fluid from permeating into a window by using a loop-like sealing barrier. CONSTITUTION: A polishing pad includes a top pad, a bottom pad, an aperture, a transparent window and a loop-like sealing barrier. The top pad(210) includes a polishing surface for contacting a wafer. The bottom pad(230) is attached to a backside of the top pad. The aperture(30) is formed through the top and bottom pads. The transparent window(400) is inserted into the aperture of the top pad. The sealing barrier(700) is introduced into a portion between the bottom pad and the aperture.
摘要翻译：目的：提供CMP（化学机械抛光）设备中的抛光垫，以防止流体通过使用环状密封屏障渗入窗户。构成：抛光垫包括顶垫，底垫，孔，透明窗和环状密封屏障。顶垫（210）包括用于接触晶片的抛光表面。底垫（230）附接到顶垫的背面。孔（30）通过顶垫和底垫形成。透明窗（400）插入顶垫的孔中。密封屏障（700）被引入到底垫和孔之间的部分中。

4. 发明公开

KR1019990074148A 반도체소자 제조용 씨엠피장치 无效
标题翻译：用于半导体器件制造的CMP设备
公开(公告)号：KR1019990074148A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007553
申请日：1998-03-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상선 , 이인경
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 웨이퍼를 평탄화시킬 수 있는 반도체소자 제조용 씨엠피장치에 관한 것이다.
본 발명은, 씨엠피(CMP)공정의 수행시 웨이퍼를 지지할 수 있는 헤드부 및 상기 헤드부에 지지되는 웨이퍼를 평탄화시킬 수 있는 패드부가 구비되는 반도체소자 제조용 씨엠피장치에 있어서, 상기 패드부를 최적의 상태로 형성시키는 컨디서닝을 수행할 수 있는 컨디서너를 상기 헤드부의 리테이너링에 형성시키는 요홈에 부착하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 광역화된 평탄화처리기술 등을 만족시킬 수 있어 CMP장치의 효율성이 향상되는 효과가 있다.

5. 发明公开

KR1019990009659A 측정장치를구비한웨이퍼폴리싱장치및폴리싱방법 失效
标题翻译：抛光装置和配备测量装置的抛光方法
公开(公告)号：KR1019990009659A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970032127
申请日：1997-07-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상선 , 김정곤
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 특정 막이 형성된 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 웨이퍼 폴리싱장치 및 폴리싱방법에 관한 것이다.
본 발명의 장치는, 로딩 카세트 및 로딩용 로봇아암으로 이루어지는 로딩부, 폴리싱공정이 진행될 또는 진행된 웨이퍼가 위치하는 대기 스테이지, 대기 스테이지로부터 인계된 웨이퍼에 대하여 폴리싱공정이 진행되는 폴리싱 테이블, 대기 스테이지의 폴리싱된 웨이퍼를 이송시키는 언로딩용 로봇아암 및 언로딩 카세트로 이루어지는 언로딩부, 폴리싱된 웨이퍼에 대하여 폴리싱상태를 웨이퍼에 대한 세정전에 분석하기 위하여 상기 언로딩 카세트에 근접하여 설치되는 측정장치 및 측정장치에서 분석공정이 완료된 웨이퍼를 세정하는 세정장치를 구비하며, 폴리싱된 웨이퍼를 세정하기 전에 두께측정을 하여 불량 웨이퍼를 재폴리싱한다.
따라서, 세정 후 폴리싱불량 웨이퍼를 재폴리싱함에 따른 인적, 시간적 손실을 감소시킬 수 있다는 효과가 있다.

6. 发明公开

KR1020070077683A 화학 기계적 연마 장치 无效
标题翻译：化学机械抛光装置
公开(公告)号：KR1020070077683A
公开(公告)日：2007-07-27
申请号：KR1020060007399
申请日：2006-01-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상선 , 전영수 , 권영민
IPC分类号： H01L21/304
摘要： A CMP apparatus is provided to keep a process temperature in an aiming range during a CMP process by controlling the temperature of a heating unit connected with a turn table using a temperature measuring unit and a control unit. A CMP apparatus includes a turn table(100) attached with a polishing pad, a heating unit, a polishing head, a slurry supply unit, a retainer ring, a temperature measuring unit and a control unit. The heating unit(106) is connected with the turn table to heat the turn table. The polishing head(110) is used for holding and rotating a wafer. The slurry supply unit(140) is used for supplying slurry to a portion between the wafer and the polishing pad. The retainer ring(120) is used for preventing the deviation of the wafer in a wafer polishing process. The temperature measuring unit(130) is embedded in the retainer ring to detect the temperature of the polishing pad. The control unit is connected with the temperature measuring unit to control the temperature of the heating unit according to the results of the temperature measuring unit.
摘要翻译：提供一种CMP装置，通过使用温度测量单元和控制单元控制与转台相连的加热单元的温度，在CMP处理期间将工艺温度保持在目标范围内。 CMP装置包括安装有抛光垫的转台（100），加热单元，抛光头，浆料供应单元，保持环，温度测量单元和控制单元。加热单元（106）与转台相连以加热转台。抛光头（110）用于保持和旋转晶片。浆料供给单元（140）用于向晶片和抛光垫之间的部分供应浆料。保持环（120）用于防止晶片在晶圆抛光过程中的偏离。温度测量单元（130）嵌入保持环中以检测抛光垫的温度。控制单元与温度测量单元连接，根据温度测量单元的结果控制加热单元的温度。

7. 发明授权

KR100532440B1 윈도로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부를 가지는 화학기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드 失效
标题翻译：抛光垫具有密封屏障，以保护液体渗透到窗户上用于化学机械抛光设备
公开(公告)号：KR100532440B1
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：KR1020030036334
申请日：2003-06-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진국 , 부재필 , 이상선 , 김종복
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/205
摘要： 윈도(window)로의 유체의 침투를 막는 실링 장벽부(sealing barrier)를 가지는 화학 기계적 연마 장비에 사용되는 연마 패드(pad)를 제공한다. 본 발명의 일 관점에 의한 연마 패드는 웨이퍼에 접촉할 연마면을 가지는 상측 패드, 상면이 상측 패드 후면에 부착되고 바닥면이 화학 기계적 연마 장비의 플레이튼(platen) 상면에 부착되는 바닥측 패드, 바닥측 패드 및 상측 패드를 관통하게 형성되되 상측 패드를 관통하는 부분이 바닥측 패드를 관통하는 부분에 비해 넓은 구멍(aperture), 상측 패드의 구멍 부위에 끼워져 연마 종말점 감지를 위한 감지광이 지나는 통로로 이용되는 투명한 윈도(window), 및 연마면에 도입되는 유체로부터 기인하는 습기가 투명한 윈도의 배후로 침투되는 것을 방지하기 위해 바닥측 패드의 구멍 부위에서 바닥측 패드의 측면을 덮어 가리고 투명한 윈도의 일부 배후 바닥면을 덮어 가리게 연장된 실링 장벽부(sealing barrier)를 포함하여 구성된다.

8. 发明授权

KR100437456B1 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 헤드 및 그것을이용한 폴리싱방법 失效
标题翻译： 화학적기계적평탄기기계의폴리싱헤드및그것을이용한폴리싱방
公开(公告)号：KR100437456B1
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：KR1020010030365
申请日：2001-05-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 부재필 , 김종수 , 유준규 , 이상선 , 이선웅
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B41/061 , B24B37/30
摘要： PURPOSE: A polishing head of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) apparatus and a polishing method using the same are provided to obtain high polishing uniformity in a polishing process by controlling variably pressures applied to each region of a wafer. CONSTITUTION: A CMP apparatus(100) has a polishing station(110) and a polishing head assembly(120). A rotary turntable(114) having a polishing pad(112) is installed in the polishing station(110). The rotary turntable(114) is connected with a rotary device. The polishing pad(112) is formed with a complex material having a polishing face. The polishing station(110) includes a pad conditioning portion(116) and a slurry supply portion(118). The slurry supply portion(118) is used for supplying a slurry to a surface of a pad. The slurry includes a reaction reagent, frictional particles, and a chemical reaction catalyst. The polishing head assembly(120) includes a polishing head(130), a driving shaft(122), and a motor(124). The polishing head(130) faces the polishing pad(112). The polishing head(130) is rotated by the driving shaft(122) connected with the motor(124).
摘要翻译：目的：提供CMP（化学机械抛光）装置的抛光头和使用该装置的抛光方法，以通过控制施加到晶片的每个区域的可变压力来获得抛光工艺中的高抛光均匀性。构成：CMP设备（100）具有抛光台（110）和抛光头组件（120）。具有抛光垫（112）的旋转转盘（114）安装在抛光站（110）中。旋转转盘（114）与旋转装置连接。研磨垫（112）由具有研磨面的复合材料形成。抛光站（110）包括垫调节部分（116）和浆料供应部分（118）。浆液供应部分（118）用于将浆液供应到衬垫的表面。浆料包括反应试剂，摩擦颗粒和化学反应催化剂。抛光头组件（120）包括抛光头（130），驱动轴（122）和马达（124）。抛光头（130）面向抛光垫（112）。抛光头（130）由与马达（124）连接的驱动轴（122）旋转。

9. 发明公开

KR1020160000054A 캐리어 헤드, 화학적 기계식 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 审中-实审
标题翻译：载体头，化学机械抛光装置和波浪抛光方法
公开(公告)号：KR1020160000054A
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020140076526
申请日：2014-06-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김종복 , 반준호 , 이상선
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/32
CPC分类号： H01L21/30625 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/32
摘要： 본발명은캐리어헤드, 화학적기계식연마장치및 웨이퍼연마방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른캐리어헤드는링 형상가지고외 측면에제 1 걸림부를갖는바디; 상기바디의측부및 하부를감싸는방식으로상기바디에승강가능하게결합되고, 내측면에상기제 1 걸림부와상하로마주하는제 2 걸림부를갖는지지유닛; 상기제 1 걸림부와상기제 2 걸림부사이에형성되는공간에위치되는조절부재; 링형상으로제공되고, 상기지지유닛의하면외측에위치되는유지링; 및상기유지링을상기지지유닛에대해상대적높이조절가능하게결합시키는승강유닛을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种载体头，化学机械抛光装置和晶片抛光方法。根据本发明的实施例，载体头包括：具有环形的主体，其中第一锁定部分形成在主体的外表面上; 围绕所述主体的横向和下部的支撑单元可升降地联接到所述主体，其中在所述支撑单元的内表面上形成有垂直面对所述第一锁定部的第二锁定部; 形成在所述第一锁定部和所述第二锁定部之间的调节构件; 保持环，其具有环形并且位于所述支撑单元的外部底部; 以及将保持环联接到支撑单元的升降单元，以使得能够相对于支撑单元调节高度。

10. 发明授权

KR100621620B1 웨이퍼 이송 기구 및 이를 포함하는 폴리싱 장치 有权
标题翻译：包括它的波浪运输机和抛光装置
公开(公告)号：KR100621620B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020030087141
申请日：2003-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤현주 , 이상선 , 김종복 , 이광희 , 김민수 , 이현성
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/345 , B24B41/005 , B24B49/12
摘要： 본 발명은 웨이퍼 이송 기구 및 이를 포함하는 폴리싱 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 웨이퍼 이송 기구는, 웨이퍼가 놓여지는 경사부를 갖는 원형의 트레이; 상기 트레이의 원주 방향으로 배치되는 가이드; 및 상기 트레이에 수용되는 웨이퍼의 가장자리 측벽을 각각 센싱하는 복수개의 센서를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 웨이퍼 이송 기구를 포함하는 폴리싱 장치는, 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 홀딩부를 포함하는 연마부; 및 웨이퍼가 놓여지는 경사부를 갖는 원형의 트레이와, 상기 트레이의 원주 방향으로 배치되는 가이드와, 상기 가이드와 트레이를 상하 방향으로 이동시키는 푸셔와, 복수개의 센서를 포함하는 웨이퍼 이송 기구를 포함하며, 상기 연마부의 웨이퍼 홀딩부로부터 언로딩되는 웨이퍼를 상기 웨이퍼 이송 기구의 트레이에 받는 경우 상기 트레이에 놓여지는 웨이퍼의 유무와 수평 상태를 상기 복수개의 센서로써 상기 웨이퍼의 가장자리 측벽을 각각 센싱하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 웨이퍼 이송 기구로 웨이퍼가 놓여질 때 웨이퍼의 유무 뿐만 아니라 웨이퍼가 올바르게 놓여져 있는가를 감지할 수 있게 된다.

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