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1. 发明公开

KR1020080111819A 포토레지스트 제거방법 및 반도체 소자의 제조 방법 无效
标题翻译：去除光电元件的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020080111819A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：KR1020070060234
申请日：2007-06-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오준환 , 허동철 , 김형식
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0274 , G03F7/2041 , G03F7/70341 , H01L21/3043 , H01L21/3046 , H01L21/30608 , H01L21/30617
摘要： A method for erasing photoresist and a manufacturing method of a semiconductor device are provided to improve the reliability of the processing of a semiconductor device by effectively removing photoresist without the extension of process time. A method for erasing photoresist comprises: a step for providing pre-processing liquid for photoresist including supercritical carbon dioxide 75-98 weight% and organic solvent 2-25 weight% on a substrate in which the photoresist exposed to a ion injection process is formed; a step for removing by the photoresist pre-processing liquid the external layer of the photoresist(S140); and a step for removing from the substrate the inner layer of the photoresist in which the external layer is removed(S150).
摘要翻译：提供了擦除光致抗蚀剂的方法和半导体器件的制造方法，以通过有效地除去光致抗蚀剂来提高半导体器件的处理的可靠性，而不需要延长处理时间。擦除光致抗蚀剂的方法包括：在其上形成暴露于离子注入工艺的光致抗蚀剂的基板上提供用于光致抗蚀剂的预处理液体的步骤，其包括75-98重量％的超临界二氧化碳和2-25重量％的有机溶剂; 通过光致抗蚀剂预处理液体去除光致抗蚀剂的外层的步骤（S140）; 以及从基板除去去除外层的光致抗蚀剂的内层的步骤（S150）。

2. 发明公开

KR1020070060280A 반도체 웨이퍼 이송시스템 无效
标题翻译：传输半导体波形的系统
公开(公告)号：KR1020070060280A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：KR1020050119500
申请日：2005-12-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유동희 , 손홍성 , 허동철
IPC分类号： H01L21/68 , B65G49/07
CPC分类号： H01L21/67766 , B25J11/0095 , H01L21/68735
摘要： A semiconductor wafer transfer system is provided to restrain the generation of an unnecessary loss by removing a driving unit for moving an H guide, to reduce a time loss by simplifying wafer transfer processes and to minimize the damage of a wafer due to the increase of a contact area between the H guide and the wafer. A semiconductor wafer transfer system includes a wafer carrier(10), a transfer robot, a pair of V guides and a pair of H guides. The transfer robot(20) is installed at one side of the wafer carrier in order to transfer a semiconductor wafer from a storing space of the wafer carrier to a working position. The pair of V guides(30) are spaced apart from each other at the working position. The V guide has at least one V slot for loading and supporting one edge portion of the wafer. The pair of H guides(40) has an H slot for loading and supporting the other edge portion of the wafer. The H guide is arranged adjacent to the V guide in front of the V guide.
摘要翻译：提供半导体晶片传送系统以通过去除用于移动H导向器的驱动单元来抑制不必要的损耗的产生，通过简化晶片转移处理来减少时间损失，并且由于增加了晶片的损耗而最小化晶片的损坏 H引导件和晶片之间的接触面积。半导体晶片传送系统包括晶片载体（10），传送机器人，一对V引导件和一对H引导件。传送机器人（20）安装在晶片载体的一侧，以将半导体晶片从晶片载体的存储空间传送到工作位置。一对V导轨（30）在工作位置彼此间隔开。 V导轨具有至少一个V槽，用于装载和支撑晶片的一个边缘部分。一对H引导件（40）具有用于加载和支撑晶片的另一边缘部分的H槽。 H导轨与V导轨前面的V导轨相邻配置。

3. 发明公开

KR1020070050513A 기판 세정 장치 无效
标题翻译：用于清洁基板的装置
公开(公告)号：KR1020070050513A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：KR1020050107778
申请日：2005-11-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박금배 , 허동철
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 다수의 반도체 기판을 세정하기 위한 기판 세정 장치에서, 상기 반도체 기판들은 내측 용기에 수용되며, 상기 내측 용기에는 상기 반도체 기판들을 세정하기 위한 약액이 공급된다. 외측 용기는 내측 용기의 하부를 감싸도록 배치되며, 상기 외측 용기 내부에는 탈이온수가 수용된다. 또한, 상기 내측 용기와 외측 용기 사이에는 히터가 배치되며, 상기 내측 용기로 공급된 약액의 온도는 상기 히터로부터 제공되는 열 에너지에 의해 조절될 수 있다. 따라서, 상기 반도체 기판들의 세정 효율이 크게 향상될 수 있으며, 세정에 소요되는 약액의 양을 크게 절감시킬 수 있다.

4. 发明公开

KR1020060082484A 저유전율막 제거 방법 및 이를 이용한 웨이퍼 재생 방법 失效
标题翻译：移除低介电层的方法和使用其回收晶片的方法
公开(公告)号：KR1020060082484A
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020050002991
申请日：2005-01-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황동원 , 이양구 , 허동철 , 전필권 , 임광신 , 이상언
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31133 , H01L21/31053
摘要： 경제적인 저유전율막 제거 방법 및 이를 이용한 웨이퍼 재생 방법에서, 저유전율막이 형성된 대상물을 불산으로 처리한 후, 상기 저유전율막을 대상물로부터 제거한다. 저유전율막을 대상물로부터 제거하기에 앞서, 상기 저유전율막에 포함된 실리콘-산소 결합을 약화시킴으로써 효율적으로 저유전율막을 제거할 수 있어 전체적인 반도체 제조 공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.

5. 发明公开

KR1020010068656A 반도체 장치의 소자 분리 영역 형성 방법 无效
标题翻译：形成半导体器件隔离区的方法
公开(公告)号：KR1020010068656A
公开(公告)日：2001-07-23
申请号：KR1020000000673
申请日：2000-01-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 맹동조 , 김태형 , 허동철 , 박형무
IPC分类号： H01L21/76
摘要： PURPOSE: A method for forming an isolation region of a semiconductor device is provided to prevent the formation of a dent at an outside of a trench by forming a shallow trench isolation region. CONSTITUTION: A pad oxide layer(20) is formed on a semiconductor substrate(10). A silicon layer(35) is formed on the pad oxide layer(20). A trench etching process is performed on the semiconductor substrate(10). An oxide layer(40) is formed from an inner wall of the trench to a surface of the silicon layer(35). An insulating layer(50) is formed on the oxide layer(40). An annealing process is performed on the semiconductor substrate(10). The semiconductor substrate(10) is polished to remove the oxide layer(40) from the surface of the silicon layer(35). The remaining silicon layer(35) is etched. The semiconductor substrate(10) is flattened by removing the oxide layer(45) of a side of the remaining silicon layer(35) and a part of the insulating layer(50).
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的隔离区域的方法，以通过形成浅沟槽隔离区域来防止在沟槽的外部形成凹陷。构成：在半导体衬底（10）上形成衬垫氧化物层（20）。在衬垫氧化物层（20）上形成硅层（35）。在半导体衬底（10）上执行沟槽蚀刻工艺。氧化物层（40）由沟槽的内壁到硅层（35）的表面形成。绝缘层（50）形成在氧化物层（40）上。对半导体基板（10）进行退火处理。抛光半导体衬底（10）以从硅层（35）的表面去除氧化物层（40）。剩余的硅层（35）被蚀刻。通过去除剩余硅层（35）的一侧的氧化物层（45）和绝缘层（50）的一部分，使半导体衬底（10）变平。

6. 发明授权

KR100156314B1 반도체 웨이퍼 건조장치의 업,다운 스테이지 失效
标题翻译：半导体干燥设备的上下降
公开(公告)号：KR100156314B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950042318
申请日：1995-11-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강태철 , 허동철 , 유동준 , 최영만
IPC分类号： H01L21/8242
摘要： 본 발명은 상면에 캐리어의 하부를 지지하기 위한 지지부가 형성된 반도체 웨이퍼 건조장치의 업·다운 스테이지에 관한 것으로, 상기 캐리어의 안착시 캐리어내의 웨이퍼를 소정높이 들어올려 캐리어의 하측부분의 슬롯으로부터 웨이퍼를 이격시키는 스페이스 바(Space Bar)가 캐리어의 안착부위에 형성되고, 상기 지지부중 캐리어의 하부 측면을 지지하는 지지부와 상기 스페이스 바가 웨이퍼의 후면쪽으로 점점 낮아지도록 경사지게 형성되어 캐리어가 소정각도 기울어진 상태로 놓여지게 구성된 것이다.
따라서 캐리어의 슬롯에 웨이퍼에 후면이 접촉되고 캐리어의 하측 슬롯으로부터 웨이퍼의 하단부가 이격되어 접촉부위가 감소됨으로써 웨이퍼에 생성되는 파티클이 최소한으로 감소되어 수율이 향상되는 효과가 있다.

7. 发明公开

KR1019980014336A 반도체 제조공정의 황산 보일 스테이션 失效
标题翻译：半导体制造过程中的硫酸锅炉站
公开(公告)号：KR1019980014336A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033271
申请日：1996-08-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허동철 , 이유인
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 반도체 제조공정에 있어서 포토레지스트의 스트리핑이나 유기물의 세정에 사용되는 반도체 제조공정의 황산 보일 스테이션(H2SO4 Boil Station)에 관한 것이다.
본 발명은 공정액조, 상기 공정액조에 화학물질을 공급하는 화학물질 공급라인, 상기 공정액조에서 화학물질 혼합액을 배출하는 화학물질 혼합액의 배출부가 기본적으로 구비되어 이루어지는 반도체 제조공정의 황산 보일 스테이션에 있어서, 화학물질 혼합액의 온도를 낮추기 위한 냉각기가 더 구비되어 이루어지거나, 배출부에서 배출되는 상기 혼합액의 온도를 낮추기 위한 냉각기가 더 구비되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정액조에 과산화수소수를 보충하면서도 반응열을 냉각기를 통해 동시에 방출하여 혼합액의 온도를 항상 공정온도로 유지하여 공정의 중단시간을 줄이므로 공정효율을 높일 수 있다. 또는 배출되는 혼합액의 온도를 낮추어 배출부 설비의 부식을 경감하므로 설비의 열화를 억제하고 누수로 인한 위험을 줄이는 효과를 얻을 수 있다.

8. 发明公开

KR1020110054381A 무선통신 시스템에서의 핸드오버 수행 방법 및 장치 无效
标题翻译：在无线通信系统中执行切换的方法和装置
公开(公告)号：KR1020110054381A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090111001
申请日：2009-11-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 한기태 , 박영삼 , 이강규 , 원종현 , 엄태일 , 허동철
IPC分类号： H04W36/30 , H04W36/08
摘要： PURPOSE: A handover performing method and apparatus thereof are provided to prevent disconnection phenomenon of data communication in handover and to perform seamless handover in a wireless communication system. CONSTITUTION: In case channel quality satisfies one or more condition, a controller(504) transmits a first message which shows about communication with a serving base station. The controller discontinues the communication with the serving base station. The controller transmits a second message to the target base station about communication with a target base station. The controller decides to start the communications of the target base station. A message transceiver(506) transmits one among the first and the second mesh paper field to the serving base station or the target base station.
摘要翻译：目的：提供切换执行方法及其装置，以防止切换中数据通信的断开现象，并在无线通信系统中执行无缝切换。构成：在信道质量满足一个或多个条件的情况下，控制器（504）发送示出与服务基站的通信的第一消息。控制器中断与服务基站的通信。控制器向目标基站发送关于与目标基站的通信的第二消息。控制器决定启动目标基站的通信。消息收发器（506）将第一和第二网格纸字段中的一个发送到服务基站或目标基站。

9. 发明公开

KR1020100081048A 광대역 무선통신 시스템에서 적응적 재전송 기법을 위한 장치 및 방법 无效
标题翻译：宽带无线通信系统中自适应自动重发请求方案的装置及方法
公开(公告)号：KR1020100081048A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：KR1020090000308
申请日：2009-01-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 허동철 , 한정호 , 한기태 , 박정훈 , 원종현
IPC分类号： H04L1/18 , H04W28/04
CPC分类号： H04L1/1812 , H04B17/318 , H04L1/0015 , H04L47/29
摘要： PURPOSE: A device and a method thereof are provided to prevent resource abuse by deactivating a HARQ method in a strong electric field and to improve the reliability of data transmission by activating a HARQ method in a weak electric field. CONSTITUTION: An analyzer(408) confirms an activation request for the HARQ technique from a terminal or a deactivate request. A controller(416) activates or deactivates a HARQ method for a service flow according to the activation request of the HARQ method.
摘要翻译：目的：提供一种装置及其方法，以通过在强电场中去除HARQ方法来防止资源滥用，并且通过在弱电场中激活HARQ方法来提高数据传输的可靠性。构成：分析器（408）从终端或停用请求确认HARQ技术的激活请求。控制器（416）根据HARQ方法的激活请求激活或去激活业务流的HARQ方法。

10. 发明授权

KR100852207B1 절연막 제거방법 및 금속 배선 형성방법 失效
标题翻译：去除绝缘体层的方法和形成金属线的方法
公开(公告)号：KR100852207B1
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020070054575
申请日：2007-06-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오준환 , 허동철 , 김형식
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/7682 , H01L21/76835 , H01L21/76843 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method for removing a dielectric layer and a method for manufacturing a metal wire are provided to prevent the metal wire from being damaged by minimizing an etching damage of a barrier layer and removing a dielectric pattern at a rapid speed. A dielectric pattern(120) including openings(115) is formed on a substrate(100). The openings expose the substrate. Metal wires are gap-filled in the openings. The metal wires include a barrier layer(130a) and a metal pattern. A side of a lower portion of the barrier layer has a selective thin thickness. An etching process is performed using etching vapor to remove the dielectric pattern before the barrier layer whose side of the lower portion thereof has the selective thin thickness is damaged. The etching vapor is hydrogen fluoride vapor. The dielectric pattern includes a dielectric material selected in a group comprised of SiO2, FSG, TEOS, SiOH, Fox, BARC, ARC, PR, NFC, SiC, SiOC, and SiCOH.
摘要翻译：提供一种去除电介质层的方法和金属线的制造方法，以防止通过最小化阻挡层的蚀刻损伤并以快速的方式去除电介质图案而损坏金属线。在衬底（100）上形成包括开口（115）的电介质图案（120）。开口露出基板。金属丝在开口中间隙填充。金属线包括阻挡层（130a）和金属图案。阻挡层的下部的一侧具有选择性薄的厚度。在其下部的侧面具有选择性薄的厚度的阻挡层被破坏之前，使用蚀刻蒸气来进行蚀刻处理以去除电介质图案。蚀刻蒸气是氟化氢蒸汽。电介质图案包括选自SiO 2，FSG，TEOS，SiOH，Fox，BARC，ARC，PR，NFC，SiC，SiOC和SiCOH中的介电材料。

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