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1. 发明授权

KR101742815B1 ＤＵＶ 필터링용 코팅 조성물, 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101742815B1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020100071605
申请日：2010-07-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김현우 , 나혜섭 , 정칠희 , 조한구
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0388 , G02B5/208 , G02B5/22 , G03F7/095 , G03F7/11
摘要： 본발명개념은알코올계용매인제 1 용매를포함하는용매 100 중량부; 및 193 nm의파장을갖는입사광에대하여 50 %/μm 이상의흡광도(degree of absorption)를갖는코팅용폴리머 0.05 중량부내지 5 중량부를포함하는 EUV (extreme ultraviolet) 해상도개선을위한 DUV 흡광코팅용조성물, 이를이용한포토레지스트패턴형성방법및 반도체소자의제조방법에관한것이다. 본발명개념에따른 DUV 흡광코팅용조성물, 이를이용한포토레지스트패턴형성방법및 반도체소자의제조방법을이용하면미세한패턴을정밀하게형성할수 있다.

2. 发明公开

KR1020170025802A 지문 인식 기반 인증 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：基于指纹识别的认证方法和装置
公开(公告)号：KR1020170025802A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020150122778
申请日：2015-08-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김원준 , 정칠희 , 김정배 , 최창규 , 한승주
IPC分类号： G06F21/32 , G06K9/00 , G06F3/041 , H04M1/725
CPC分类号： H04L63/0861 , G06F3/044 , G06F2203/04104 , G06K9/00087 , H04M1/66 , H04M1/673 , H04M2250/22 , H04W12/06
摘要： 지문인식기반인증방법및 장치가개시된다. 일실시예에따르면, 인증장치는사용자의터치입력으로부터입력지문을획득하고, 미리등록된지문-번호맵핑정보를이용하여입력지문에대응하는입력번호를결정할수 있다. 인증장치는입력지문의시퀀스에대응하는입력번호시퀀스가기준번호시퀀스와동일한지여부에기초하여사용자를인증할수 있다.
摘要翻译：公开了一种基于指纹识别的认证方法和装置。认证装置可以从用户的触摸输入获得输入的指纹，使用预先登记的指纹号码映射信息确定与输入的指纹对应的输入号码，并根据输入的指纹序列对应的输入号码顺序对用户进行认证与参考号序列相同。

3. 发明公开

KR1020130135603A 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：相变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130135603A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020120059323
申请日：2012-06-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박태진 , 송윤종 , 정칠희
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/1683 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/143
摘要： A phase change memory device includes a phase change memory unit and a heat sink. The phase change memory unit includes a phase change material pattern; a lower electrode formed in the lower part of the phase change material pattern and heating the phase change material pattern; and an upper electrode formed in the upper part of the phase change material pattern. The upper surface of the heat sink is lower than the lower surface of the upper electrode. The heat sink is separated from the phase change memory unit and absorbs the heat emitted from the phase change memory unit. [Reference numerals] (AA) Example 3;(BB) Second direction
摘要翻译：相变存储器件包括相变存储器单元和散热器。相变存储器单元包括相变材料图案; 形成在所述相变材料图案的下部的下部电极，并加热所述相变材料图案; 以及形成在相变材料图案的上部的上电极。散热器的上表面比上电极的下表面低。散热器与相变存储器单元分离并吸收从相变存储器单元发出的热量。（标号）（AA）实施例3;（BB）第二方向

4. 发明公开

KR1020130053104A 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 장치들 有权
标题翻译：图像传感器及其操作方法，以及包括它们的装置
公开(公告)号：KR1020130053104A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020110118647
申请日：2011-11-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정정규 , 이태연 , 정칠희 , 박윤동 , 진영구
IPC分类号： H04N5/335 , H04N13/00
CPC分类号： G06K9/78 , G01S7/4863 , G01S17/023 , G01S17/89 , G06K9/209 , H04N5/335 , H04N5/3696 , H04N13/00
摘要： PURPOSE: An image sensor, an operating method thereof, and devices including the same are provided to generate an improved three-dimensional image, a three-dimensional color image, a three-dimensional thermal image, or a two-dimensional color thermal image by using a pixel array including thermal image pixels, depth pixels, and color pixels. CONSTITUTION: If pulse light generated from a light source is reflected from a target, an image sensor senses the reflected pulse light to measure a distance between the image sensor and the target(S10). The image sensor activates a color pixel array, a depth pixel array, and a thermal image pixel array according to a measured distance(S12). [Reference numerals] (S10) Measure a distance between an image sensor and a target; (S12) Activate at least one of color pixel, depth pixel, and thermal image pixel according to the measured distance
摘要翻译：目的：提供一种图像传感器及其操作方法以及包括该图像传感器的装置，以通过以下方式生成改进的三维图像，三维彩色图像，三维热图像或二维彩色热图像使用包括热图像像素，深度像素和彩色像素的像素阵列。构成：如果从光源产生的脉冲光从目标反射，则图像传感器感测反射的脉冲光以测量图像传感器与目标之间的距离（S10）。图像传感器根据测量距离激活彩色像素阵列，深度像素阵列和热像素阵列（S12）。（附图标记）（S10）测量图像传感器和目标之间的距离; （S12）根据测量的距离激活彩色像素，深度像素和热图像像素中的至少一个

5. 发明公开

KR1019970030847A 마스크 롬 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019970030847A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040263
申请日：1995-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상진 , 강민규 , 정칠희
IPC分类号： H01L27/112
摘要： 본 발명은 마스크 롬(ROM) 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 마스크 ROM은 실리콘 기판 상에 형성된 복수개의 MOSFET와, 확산 방지막과, 보호층을 포함하는 마스크 ROM에 있어서, 상기 게이트 상에 상기 확산 방지막과 보호층이 형성된 상태에서도 ROM 코드 확인이 가능하도록 상기 보호층에 상기 보호층의 상면으로부터 소정의 깊이로 형성된 코딩 마크를 포함한다. 본 발명에 의하면, 칩 패키징을 할 때에 각각 ROM 코드가 다른 칩이 혼재된 상태로 패키징되는 것으로 인한 클레임을 방지하고, 소자의 불량 분석시 ROM 코드의 확인을 가능하게 함으로써 정확한 분석이 가능하다.

6. 发明授权

KR100020178B1 금속 전극 복합 MOS의 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100020178B1
公开(公告)日：1985-10-24
申请号：KR1019820003644
申请日：1982-08-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정칠희
IPC分类号： H01L21/265

7. 发明公开

KR1020150025623A 반도체막의 형성방법 및 반도체막을 포함하는 트랜지스터의 제조방법 审中-实审
标题翻译：形成化合物半导体膜的方法和包括化合物半导体膜的制造晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020150025623A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130103430
申请日：2013-08-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태상 , 선종백 , 류명관 , 정칠희
IPC分类号： H01L21/203 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02521 , H01L21/02554 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , C23C14/086 , H01L21/02565
摘要： 반도체막 및 그 형성방법과 반도체막을 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공한다. 아연, 질소, 산소 및 불소를 포함하는 반도체막 및 그 형성방법을 제공한다. 아연, 질소 및 불소를 포함하는 반도체막 및 그 형성방법을 제공한다. 상기 반도체막의 형성을 위해, 스퍼터링(sputtering) 법, 이온 주입, 플라즈마 처리, 화학기상증착(CVD) 법, 용액 공정(solution process) 등을 이용할 수 있다. 상기 스퍼터링 법은 아연(Zn) 타겟 및 불소를 포함하는 반응 가스를 사용하여 수행할 수 있다. 상기 반응 가스는 질소 및 불소를 포함하거나, 질소와 산소 및 불소를 포함할 수 있다.
摘要翻译：提供半导体层，其形成方法，具有半导体层的晶体管和制造该晶体管的方法。提供了包含Zn，N，O和F的半导体层及其形成方法。提供了包含Zn，N和F的半导体层及其形成方法。为了形成半导体层，可以使用溅射法，离子注入法，等离子体处理法，CVD法和溶液法。可以通过使用Zn靶和包含F的反应气体来进行溅射法。反应气体可以包括N和F，或者可以包括N，O和F.

8. 发明授权

KR100884235B1 불휘발성 메모리 카드 有权
标题翻译：非挥发性记忆卡
公开(公告)号：KR100884235B1
公开(公告)日：2009-02-17
申请号：KR1020030101270
申请日：2003-12-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김상범 , 정칠희 , 방삼룡
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G11C5/147 , G11C16/30
摘要： 본 발명은 불휘발성 메모리 카드에 관한 것이다. 본 발명은 불휘발성 메모리와, 상기 불휘발성 메모리를 제어하는 컨트롤러를 포함하여 구성되고, 상기 컨트롤러는 외부에서 공급되는 제 1 전압에서 동작하고, 상기 제 1전압을 이용하여 제 2전압을 발생하는 전압조절회로를 포함하며, 상기 불휘발성 메모리는 상기 제 2전압에서 동작하는 불휘발성 메모리 카드를 제공한다. 본 발명은 서로 다른 동작전압을 갖는 호스트들에 사용할 수 있는 불휘발성 메모리 카드를 제공한다.
메모리카드, 불휘발성 메모리, 컨트롤러, 호스트, 전압조절회로

9. 发明公开

KR1020050074161A 휴대용 데이터 저장 장치 有权
标题翻译：便携式数据存储设备
公开(公告)号：KR1020050074161A
公开(公告)日：2005-07-18
申请号：KR1020040002394
申请日：2004-01-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최진혁 , 방삼룡 , 정칠희
IPC分类号： G11C16/30
CPC分类号： G11C5/145 , G11C16/30 , G11C5/143 , G11C16/0483
摘要： A memory card includes a non-volatile memory; and a power management unit for receiving an external supply voltage to supply an operating voltage to the non-volatile memory. The power management unit boosts/bypasses the external supply voltage based on whether the external supply voltage is lower than a detection voltage and then outputs the boosted/bypassed voltage as the operating voltage of the non-volatile memory.

10. 发明授权

KR100311971B1 비휘발성메모리반도체소자제조방법 失效
标题翻译：制造非易失性存储器半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100311971B1
公开(公告)日：2001-12-28
申请号：KR1019980057517
申请日：1998-12-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박원호 , 조민수 , 한정욱 , 정칠희
IPC分类号： H01L27/112
摘要： 메모리 셀의 축소와 공정 신뢰성 향상을 이룰 수 있도록 한 비휘발성 메모리 반도체 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 반도체 기판 상의 소정 부분에는 터널 절연막이 형성되어 있고, 상기 터널 절연막이 형성되어 있는 부분을 제외한 영역의 상기 기판 상에는 게이트 절연막이 형성되어 있으며, 상기 터널 절연막과 그 주변의 게이트 절연막 상의 소정 부분에는 "플로우팅 게이트/층간 절연막/센스 게이트" 적층 구조의 센스 트랜지스터가 형성되어 있고, 상기 센서 트랜지스터 일측의 게이트 절연막 상에는 "제1 셀렉트 게이트/층간 절연막/제2 셀렉트 게이트" 적층 구조의 셀렉트 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 터널 절연막 하측의 기판 내부에는 셀렉트 게이트와 소정 부분 오버랩되도록 정션 영역이 형성되어 있고, 상기 정션 영역과 소정 간격 이격된 지점의 기판 내부에는 센스 트랜지스터와 소정 부분 오버랩되도록 소오스 영역이 형성되어 있으며, 상기 정션 영� ��과 소정 간격 이격된 지점의 기판 내부에는 셀렉트 트랜지스터와 소정 부분 오버랩되도록 드레인 영역이 형성되어 있는 구조의 비휘발성 메모리 반도체 소자가 제공된다. 그 결과, 활성역역 위에 플로우팅 게이트가 한 개만 존재하도록 하면서도 플로우팅 게이트와 센스 게이트 및 셀렉트 게이트를 한번의 식각공정을 이용하여 동시에 형성할 수 있게 되므로 단위 메모리 셀의 축소와 공정 신뢰성 향상을 동시에 이룰 수 있게 된다.

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