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1. 发明公开

KR1020160111786A 전자 장치의 절전 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于在电子设备中节电的方法及其电子设备
公开(公告)号：KR1020160111786A
公开(公告)日：2016-09-27
申请号：KR1020150036928
申请日：2015-03-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신재욱 , 이주범
IPC分类号： G06F1/32
CPC分类号： H04W52/0209 , G06F1/3293 , Y02D10/122 , Y02D70/00 , Y02D70/122 , Y02D70/1242 , Y02D70/1262 , Y02D70/1264 , Y02D70/142 , Y02D70/144 , Y02D70/164 , Y02D70/166 , Y02D70/168 , Y02D70/26
摘要： 전자장치에서전력소모를감소시켜절전을하는방법및 장치가제공된다. 전자장치는제1 및제2 프로세서를포함할수 있다. 제2 프로세서는바이패스동작중에제1 프로세서의사용자입력및 화면출력중 적어도하나를바이패스하며제1 프로세서로부터입력되는화면데이터를프레임버퍼에저장할수 있다. 제1 프로세서는바이패스동작중인제2 프로세서를통해사용자입력및 화면출력중 적어도하나를프로세싱하며지정된절전동작진입조건이만족되는경우제2 프로세서를프로세싱동작으로전환한후 슬립동작으로전환할수 있다. 제2 프로세서는프로세싱동작중에사용자입력및 프레임버퍼에저장된화면데이터를사용한화면출력중 적어도하나를지정된절전동작종료조건이만족되기전까지프로세싱할수 있다. 이외의다른실시예들도가능하다.
摘要翻译：提供了一种用于降低电子设备中的功率消耗以节省功率的方法和装置。电子设备可以包括第一处理器和第二处理器。第二处理器在旁路操作之中绕过相对于第一处理器的用户输入和屏幕输出中的至少一个，并将从第一处理器输入的画面数据存储在帧缓冲器中。第一处理器通过执行旁路操作的第二处理器处理用户输入和屏幕输出中的至少一个，并且当满足指定的节电操作输入条件时，第一处理器将第二处理器改变为处理操作并变成睡眠操作。第二处理器在处理操作期间使用存储在帧缓冲器中的屏幕数据来处理用户输入和屏幕输出中的至少一个，直到满足指定的节电操作终止条件。其他实施例是可能的。

2. 发明公开

KR1020160104965A 전자 장치, 그 동작 방법 및 기록 매체 审中-实审
标题翻译：电子设备，其操作方法和记录介质
公开(公告)号：KR1020160104965A
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020150027970
申请日：2015-02-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 방성용 , 김무영 , 김병욱 , 이주범
IPC分类号： G06F1/20 , G06F1/28 , G06F1/16 , G06F9/44
CPC分类号： G06F1/26 , G06F1/1626 , G06F1/203 , G06F1/206 , Y02D10/16 , G06F1/1635 , G06F1/28
摘要： 전자장치, 그동작방법및 기록매체가개시된다. 본문서의다양한실시예들에따른전자장치는, 하우징, 상기하우징내에배치된배터리, 상기하우징내에배치되고, 상기배터리와연결된전력매니지먼트집적회로(power management IC), 상기하우징내에배치되고, 상기배터리로부터상기전력매니지먼트집적회로를통하여전력을공급받는복수의전자컴포넌트들, 상기하우징내에배치되고, 상기복수의전자컴포넌트들과전기적으로연결된프로세서및 상기하우징내에배치되고, 상기프로세서와전기적으로연결된메모리를포함하며, 상기메모리는, 어플리케이션의실행시에, 상기프로세서가, 상기복수의전자컴포넌트들중 적어도하나의전자컴포넌트로공급되는전력량또는전류량을모니터링(monitoring)하고, 모니터링된상기적어도하나의전자컴포넌트의전력량또는전류량이미리지정된값과동일하거나상기미리지정된값을초과하는지여부를판단하고, 상기판단된결과에기초하여, 상기적어도하나의컴포넌트또는상기적어도하나의컴포넌트와연관된다른컴포넌트의전력량또는전류량이감소되도록제어하는인스트럭션들을저장하는것을포함할수 있다
摘要翻译：公开了一种电子设备，其操作方法和记录介质。根据本文件的各种实施例，电子设备包括：壳体; 设置在壳体内的电池; 电源管理IC，其设置在所述壳体中并连接到所述电池; 多个电子部件，其设置在所述壳体中，并且通过所述电力管理IC从所述电池接收电力; 处理器，其设置在所述壳体中并且电连接到所述多个电子部件; 以及存储器，其被布置在壳体中并且电连接到处理器。存储器存储控制处理器以监视在执行应用时提供给电子部件的至少一个电子部件的电量或当前量的指令，确定是否向至少提供的功率量或当前量一个电子部件等于或大于当前值，并且减少至少一个电子部件的功率量或当前量，或者连接到至少一个电子部件的其他电子部件的功率量或当前量基于确定结果。

3. 发明公开

KR1020150106635A 휴대형 전자장치의 절전 방법 및 그에 관한 장치 审中-实审
标题翻译：用于保存支持其的电源和便携式电子设备的方法
公开(公告)号：KR1020150106635A
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020140028938
申请日：2014-03-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이종린 , 김병욱 , 박성근 , 이주범
IPC分类号： G06F1/32
CPC分类号： G06F1/3234 , G06F1/206 , G06F1/3212 , G06F1/324 , Y02D10/126 , Y02D10/16 , Y02D10/174 , Y02D50/20
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 휴대형 전자장치의 절전 방법은 절전 모드로 진입하는 과정; 포어 그라운드(foreground)에서 실행되는 적어도 하나의 애플리케이션을 확인하는 과정; 및 상기 확인된 적어도 하나의 애플리케이션마다 상기 휴대형 전자장치의 동작 설정을 변경하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的用于节省便携式电子设备的电力的方法包括以下步骤：进入省电模式; 确认在前台执行的一个或多个应用程序; 以及通过确认的应用来改变便携式电子设备的操作设置。

4. 发明公开

KR1020110115329A 반도체 소자의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020110115329A
公开(公告)日：2011-10-21
申请号：KR1020100034777
申请日：2010-04-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장종광 , 지승헌 , 오영묵 , 이주범
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823842 , H01L21/82345 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/78
摘要： 제조 공정이 단순화된 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 소자의 제조 방법은 제1 및 제2 영역이 정의된 기판을 제공하고, 상기 기판 상에, 제1 및 제2 트렌치를 포함하는 층간 절연막을 형성하되, 상기 제1 및 제2 트렌치는 각각 제1 및 제2 영역에 형성되고, 상기 층간 절연막의 상면, 상기 제1 트렌치의 측면 및 바닥면, 상기 제2 트렌치의 측면 및 바닥면을 따라서, 일함수 조절 금속막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 제1 및 제2 트렌치를 매립하도록 마스크막을 형성하되, 상기 마스크막은 현상 가능한 물질을 포함하고, 상기 마스크막을 현상하여, 상기 제1 영역에 형성된 일함수 조절 금속막을 노출하는 마스크 패턴을 형성하고, 상기 마스크 패턴을 이용하여, 상기 제1 영역에 형성된 일함수 조절 금속막을 제거하고, 상기 마스크 패턴을 제거하고, 상기 제1 트렌치를 매립하도록 제1 금속 게� �트를 형성하고, 상기 제2 트렌치를 매립하도록 제2 금속 게이트를 형성하는 것을 포함한다.

5. 发明公开

KR1020070047641A 이동통신 시스템에서 통화중 대기에 따른 호 해제 후자동연결 방법 无效
标题翻译：在移动通信系统中呼叫后自动连接方式呼叫等待
公开(公告)号：KR1020070047641A
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050104555
申请日：2005-11-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주범
IPC分类号： H04B7/26
CPC分类号： H04W76/19 , H04W76/10 , H04W88/02
摘要： 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 이동통신 시스템의 통화중 대기(Call Waiting) 서비스에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 이동통신 단말기 간의 통화중 대기 방법에서 통화중 대기 상태가 된 이동통신 단말기는 수신측 이동통신 단말기에 호 해제 후 자동연결을 요청하여, 이를 수신측 이동통신 단말기에서 수락하면, 호를 해제한 상태에서 수신측 이동통신 단말기와 호 연결을 기다림으로써, 불필요하게 트래픽(Traffic) 상태에서 호 연결을 기다리는 것을 막는 통화중 대기에 따른 호 해제 후 자동연결 방법을 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은, 이동통신 시스템에서 통화중 대기에 따른 호 해제 후 자동연결 방법에 있어서, 상기 이동통신 시스템이 제 1 이동통신 단말기와 제 2 이동통신 단말기에 대해 호 연결중, 제 3 이동통신 단말기로부터의 상기 제 1 이동통신 단말기에 대한 호 연결 시도 및 상기 제 1 이동통신 단말기의 응답에 따라, 상기 제 2 이동통신 단말기는 통화중 대기 상태가 되도록 호를 전환하는 제 1 단계; 상기 통화중 대기 상태인 제 2 이동통신 단말기로부터 호 해제 후 자동연결을 요청하기 위한 메시지가 수신되면, 상기 수신된 메시지를 상기 제 1 이동통신 단말기로 전달하는 제 2 단계; 상기 제 1 이동통신 단말기로부터 호 해제 후 자동연결을 요청하기 위한 메시지에 대한 응답 메시지를 수신하고, 상기 수신된 응답 메시지를 제 2 이동통신 단말기로 전달하여, 상기 제 2 이동통신 단말기에 대한 호를 해제하는 제 3 단계; 및 상기 제 1 이동통신 단말기와 상기 제 3 이동통신 단말기에 연결된 호가 해제됨에 따라, 상기 제 1 이동통신 단말기로부터 상기 제 2 이동통신 단말기에 대한 자동 호 연결 신호를 수신하여, 상기 제 1 이동통신 단말기와 상기 제 2 이동통신 단말기의 호를 자동연결하는 제 4 단계를 포함함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 이동통신 시스템의 통화중 대기 서비스 등에 이용됨.
통화중 대기, 이동통신 단말기, 메시지, 호

6. 发明授权

KR100678132B1 이동통신 단말기에서 개인 정보 검색 방법 失效
标题翻译：在移动通信终端中搜索个人数据的方法
公开(公告)号：KR100678132B1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：KR1020000037526
申请日：2000-07-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주범
IPC分类号： H04B1/40
摘要： 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
이동통신 단말기에서 정보를 검색하는 방법에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
이동통신 단말기에 저장된 개인 정보를 쉽고 간편하며, 빠르게 검색할 수 있는 방법을 제공한다.
다. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 이동통신 단말기에서 개인 정보의 검색 방법으로, 사용자가 키입력부를 통해 입력하는 로깅 이름 데이터를 수신하여 검색을 위한 준비를 하는 과정과, 상기 입력된 로깅 이름 데이터를 이용하여 메모리에 루틴 형식으로 저장된 데이터를 이용하여 검색을 수행하는 과정과, 상기 검색된 데이터와 일치하는 암호를 표시한 후 확인이 되면 로깅 이름 및 암호를 완성하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도
이동통신 단말기의 정보 검색에 사용된다.

이동통신 단말기, 정보 검색, 개인정보. 정보 루틴

7. 发明授权

KR100512939B1 트렌치 소자분리 방법 失效
标题翻译：沟槽隔离法
公开(公告)号：KR100512939B1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：KR1020030046982
申请日：2003-07-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김홍래 , 이주범 , 김민
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76229
摘要： 트렌치 소자분리 방법을 제공한다. 상기 방법은 셀 어레이 영역과 주변회로 영역이 구비된 반도체 기판을 제공하고, 상기 반도체 기판에 트렌치를 형성하되, 상기 셀 어레이 영역 내에 셀 트렌치를 그리고, 상기 주변회로 영역 내에 상기 셀 트렌치 보다 넓은 주변회로 트렌치를 형성하는 것을 구비한다. 상기 셀 및 주변회로 트렌치들이 형성된 반도체 기판 전면에 상기 셀 및 주변회로 트렌치들을 일부 채우는 제 1 절연막을 형성한다. 상기 제 1 절연막이 형성된 반도체 기판 상에 상기 셀 어레이 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 노출된 셀 어레이 영역의 셀 트렌치 측벽에 형성된 제 1 절연막을 식각한다. 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 포토레지스트 패턴이 제거된 반도체 기판 전면에 상기 셀 및 주변회로 트렌치들을 채우는 제 2 절연막을 형성한다. 상술한 방법에 따르면, 셀 트렌치 소자분리막을 보이드 없이 형성할 뿐 아니라, 주변회로 트렌치에 인접한 게이트 절연막에 언더컷이 없는 트렌치 소자분리를 구현할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020050043394A 이동 통신 시스템에서 이동통신단말기의 상태 정보 제공방법 및 그 이동통신단말기 失效
标题翻译：移动通信系统移动通信终端状态信息和移动通信终端的方法
公开(公告)号：KR1020050043394A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：KR1020030078290
申请日：2003-11-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이주범
IPC分类号： H04B1/40
CPC分类号： H04M1/72519 , H04M1/57 , H04M1/72552 , H04M2250/62
摘要： 본 발명은 하나 이상의 상대방 이동통신단말기와 회의 통화를 수행하는 이동통신단말기에 있어서, 회의 통화시 하나 이상의 상대방 이동통신단말기에게 알리도록 설정된 상태가 발생하는 지를 검사하고, 미리 설정된 상태가 발생하면 상기 상대방 이동통신단말기로 해당 상태 정보를 전송하는 제어부와, 상기 제어부의 제어 하에 각종 메시지를 표시하는 표시부를 포함한다.

9. 发明公开

KR1020050026319A 리세스 채널을 가지는 트랜지스터 제조 방법 失效
标题翻译：制造具有通道的晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020050026319A
公开(公告)日：2005-03-15
申请号：KR1020030063359
申请日：2003-09-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김민 , 이주범 , 이현덕 , 이승재
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66621 , H01L21/823412 , H01L21/823437 , H01L21/823487 , H01L29/51 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/7835
摘要： A method of manufacturing a transistor is provided to prevent short channel effect by using an enhanced recess channel. A plurality of trenches(110) for a recess channel are formed on a semiconductor substrate(100). An isolation layer is formed in the substrate. A gate dielectric film(310) is formed along an upper surface of the resultant structure. A gate(330) for filling completely the trench is formed on the gate dielectric film. A source and drain region are formed in the substrate to align the gate.
摘要翻译：提供一种制造晶体管的方法，以通过使用增强的凹槽来防止短沟道效应。在半导体衬底（100）上形成用于凹槽的多个沟槽（110）。在衬底中形成隔离层。沿所得结构的上表面形成栅介质膜（310）。在栅极电介质膜上形成用于完全填充沟槽的栅极（330）。源极和漏极区域形成在衬底中以对准栅极。

10. 发明授权

KR100464862B1 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译： 반도체장치의제조방법
公开(公告)号：KR100464862B1
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：KR1020020045897
申请日：2002-08-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김주완 , 이주범 , 김형수 , 김신혜
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02129 , H01L21/02271 , H01L21/02315 , H01L21/02337 , H01L21/31625 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76837
摘要： A method of manufacturing a semiconductor device by which a generation of a void is prevented after depositing an interlayer dielectric material. First, a plurality of conductive patterns are formed on a substrate and then, a capping insulation layer is formed on the conductive patterns. The capping insulation layer is treated with plasma, and an interlayer dielectric material is deposited on the plasma treated capping insulation layer. The dependency of the interlayer dielectric on the type of material and form of an underlying layer is reduced to improve a gap-filling characteristic, especially for a gap having a high aspect ratio. An improved gap-filling characteristic is accomplished and the formation of all or substantially all of the voids from forming in a gap is prevented even though an interlayer dielectric is deposited under a conventional deposition conditions.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法，通过该方法在沉积层间介电材料之后防止产生空隙。首先，在基板上形成多个导电图案，然后在导电图案上形成覆盖绝缘层。覆盖绝缘层用等离子体处理，并且层间介电材料沉积在等离子体处理的覆盖绝缘层上。层间电介质对材料类型和底层形式的依赖性被降低以改善间隙填充特性，特别是对于具有高纵横比的间隙。即使在常规沉积条件下沉积层间电介质，也完成了改进的间隙填充特性，并且防止了在间隙中形成全部或基本全部空隙的形成。

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