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1. 发明公开

KR1020080027985A 세그먼트 타입의 테스트 몰딩패턴들을 구비한 반도체소자및 그 제조방법 无效
标题翻译：具有分段类型的测试模型的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080027985A
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020060092853
申请日：2006-09-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이미경
IPC分类号： H01L21/28
摘要： A semiconductor device having test molding patterns of a segment type and a method for fabricating the same are provided to reduce a ratio of bad patterns by using segment type test molding patterns. A semiconductor substrate including a cell region and a test region is prepared. A gate pattern is formed in the cell region. A plurality of gate spacers are formed to cover sidewalls of the gate pattern. An interlayer dielectric is formed on the semiconductor substrate including the gate spacers. A self-aligned contact hole for exposing the semiconductor substrate between the gate spacers and segment type test molding patterns(45t) are formed in the test region by patterning the interlayer dielectric. A conductive layer is formed on the semiconductor substrate. A landing pad and a test pattern(55t) are formed by etching back the conductive layer.
摘要翻译：提供一种具有段型测试模制图案的半导体器件及其制造方法，以通过使用段式测试模制图案来减少不良图案的比例。制备包括电池区域和测试区域的半导体衬底。在单元区域中形成栅极图案。形成多个栅极间隔物以覆盖栅极图案的侧壁。在包括栅极间隔物的半导体衬底上形成层间电介质。通过图案化层间电介质，在测试区域中形成用于在半导体衬底和段型测试模制图案（45t）之间暴露半导体衬底的自对准接触孔。在半导体衬底上形成导电层。通过蚀刻导电层形成着陆焊盘和测试图案（55t）。

2. 发明公开

KR1020060082109A 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1020060082109A
公开(公告)日：2006-07-14
申请号：KR1020050002552
申请日：2005-01-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 양석윤 , 이윤석 , 권호균 , 이미경
IPC分类号： H05B33/10 , H05B33/26
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 제조 방법은, 기판 위에 게이트선 및 제1 금속띠를 형성하는 단계, 게이트 절연막을 형성하는 단계, 반도체층을 적층하는 단계, 상기 반도체층을 식각하는 단계, 도전막을 적층하는 단계, 그리고 상기 도전막을 패터닝하여 데이터선, 드레인 전극 및 제2 금속띠를 형성하는 단계를 포함한다.
이러한 방식으로, 게이트선 및 데이터선의 두께를 증가시켜 단면적을 크게 함으로써 배선 저항을 줄일 수 있다.
액정표시장치, 표시판, 저항, 금속띠, 게이트선, 데이터선, 표시, 주변, 영역

3. 发明公开

KR1020030083210A 분광분석법을 이용한 실리카 튜브의 수산화기 함량 측정장치 无效
标题翻译：使用光谱法测定二氧化硅中羟基放射性含量的装置
公开(公告)号：KR1020030083210A
公开(公告)日：2003-10-30
申请号：KR1020020021651
申请日：2002-04-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병삼 , 백영민 , 이미경 , 이형민
IPC分类号： G01N21/25
摘要： PURPOSE: An apparatus for measuring content of a hydroxide radical in a silica tube using spectrometry is provided to allow steric measurement of content of the hydroxide radical in the silica tube. CONSTITUTION: An apparatus(10) includes a Teflon reflector(11b), a probe(13), a spectrum analyzer(15), and a data processor(17). The Teflon reflector is inserted to a penetrating hole of a silica tube(11a) to reflect light incident through the probe. The probe sends light to the silica tube for measurement of content of the hydroxide radical, and receives light reflected by the Teflon reflector to transmit to the spectrum analyzer. The incident light is projected perpendicularly to longitudinal direction(A) of the silica tube, and toward a center of a section of the silica tube perpendicular to the longitudinal direction of the silica tube so that the light reflected by the Teflon reflector is inputted to the probe. A wavelength of the light projected by the probe is identical with a wavelength of optical signal transmitted through optical fiber to be manufactured using the silica tube.
摘要翻译：目的：提供一种用于使用光谱测定法测量二氧化硅管中氢氧根自由基的装置，以允许对硅石管中的氢氧根自由基的含量进行空间测量。构成：装置（10）包括特氟龙反射器（11b），探头（13），频谱分析仪（15）和数据处理器（17）。将特氟隆反射器插入石英管（11a）的穿透孔中以反射通过探针入射的光。探头将光发射到二氧化硅管，用于测量氢氧根的含量，并接收由特氟龙反射器反射的光，以传输到光谱分析仪。入射光垂直于石英管的长度方向（A）投射，并朝着与石英管的长度方向垂直的二氧化硅管的一部分的中心投影，使得由特氟龙反射器反射的光被输入到探测。由探针投射的光的波长与通过使用硅胶管制造的光纤传输的光信号的波长相同。

4. 发明授权

KR100326174B1 솔-젤 공법을 이용한 고순도 실리카 글래스 제조 방법 失效
标题翻译：使用溶胶 - 凝胶法制造高纯度二氧化硅玻璃的方法
公开(公告)号：KR100326174B1
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：KR1019990068274
申请日：1999-12-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오정현 , 이미경
IPC分类号： C03B8/02
CPC分类号： C03B19/12 , C03B2201/12 , C03C1/006 , C03C2201/12 , C03C2203/20 , C03C2203/22 , C03C2203/30 , C03C2203/34
摘要： 본발명은본 발명은솔-젤공법을이용한고순도실리카글래스제조방법에있어서, 탈이온수에플루오린화합물과분산제를섞어혼합수용액을만드는혼합수용액제조과정; 상기과정에서제조된혼합수용액에발연실리카를투입하여혼합하는혼합과정; 상기혼합과정에서제조된혼합물을믹싱하여솔을형성하는분산과정; 상기분산과정을거친솔을상온에서숙성시켜실리카입자를안정화시키는숙성과정; 및상기솔에함유된기포를제거하고젤화제를첨가하는기포제거과정을포함하여구성함을특징으로하는솔-젤공법을이용한고순도실리카글래스제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明涉及使用银凝胶法制造高纯度二氧化硅玻璃的方法，其包括以下步骤：通过将去离子水与氟化合物和分散剂混合以制备混合水溶液以制备混合水溶液; 将气相二氧化硅混入上述方法制备的混合水溶液中并混合气相二氧化硅; 将在混合步骤中制备的混合物混合以形成鞋底的分散步骤; 将经过分散处理的二氧化硅颗粒在室温下老化以使二氧化硅颗粒稳定化的老化过程; 本发明还提供了使用溶胶 - 凝胶法制造高纯度二氧化硅玻璃的方法。

5. 发明公开

KR1020010056606A 솔-젤 공법을 이용한 고순도 실리카 글래스 제조 방법 失效
标题翻译：使用溶胶凝胶法制备高纯度二氧化硅玻璃的方法
公开(公告)号：KR1020010056606A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：KR1019990058144
申请日：1999-12-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오정현 , 이미경
IPC分类号： C03B8/02
CPC分类号： C03B19/12 , C03C1/006 , C03C3/06 , C03C2203/20 , C03C2203/32 , C03C2203/34
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a high purity silica glass by using a sol-gel process is provided which produces the large-sized silica glass with maximumly restraining crack while drying the silica glass and improving molding property. CONSTITUTION: The method comprises steps of: (i) preparing a mixed aqueous solution by mixing a monomer of 1-vinyl-2-pyrrolidinone and a dimer of N,N-methylenebisacrylamide with deionized water; (ii) mixing the mixed aqueous solution of the step (i) with fumed silica and a dispersing agent; (iii) dispersing the prepared mixture of the step (ii) with using a dispersing agent of tetramethylammonium hydroxide to form a sol; (iv) ripening the sol of the step (iii) at room temperature and removing bubbles from the sol; and (v) adding a polymerizing initiator and a gelating agent to the sol of the step (iv).
摘要翻译：目的：提供一种通过使用溶胶 - 凝胶法制造高纯度二氧化硅玻璃的方法，其产生具有最大抑制裂纹的大尺寸石英玻璃，同时干燥二氧化硅玻璃并提高成型性能。方法：该方法包括以下步骤：（i）通过将1-乙烯基-2-吡咯烷酮的单体和N，N-亚甲基双丙烯酰胺的二聚体与去离子水混合来制备混合的水溶液; （ii）将步骤（i）的混合水溶液与煅制二氧化硅和分散剂混合; （iii）使用四甲基氢氧化铵的分散剂分散所制备的步骤（ii）的混合物以形成溶胶; （iv）在室温下熟化步骤（iii）的溶胶并从溶胶中除去气泡; 和（v）在步骤（iv）的溶胶中加入聚合引发剂和凝胶剂。

6. 发明公开

KR1020010009008A 국간 이동 서비스 가입자의 호출 제어 방법 및 그 장치 失效
标题翻译：用于控制机构间服务订户的呼叫的方法和装置
公开(公告)号：KR1020010009008A
公开(公告)日：2001-02-05
申请号：KR1019990027130
申请日：1999-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이미경
IPC分类号： H04B7/26
CPC分类号： H04W8/28 , H04Q3/0029 , H04W4/16
摘要： PURPOSE: A method for controlling calls of inter-office portability service subscribers is provided to make a telephone subscriber receive incoming services in previous/portability-afterward exchange stations as telephone numbers of exchange stations of a previous area so as to remove wasteful exchange number resources, and to make the telephone subscriber use a once-allowed telephone number so as to efficiently perform telephone incoming services of business people who frequently move areas. CONSTITUTION: Number portability information presents that a number portability subscriber moves to an exchange station of other area. The number portability information is registered in a database(DB2) of a previous exchange station(14). A telephone number of the number portability subscriber is registered in a local area prefix table of a portability-afterward exchange(16) from the exchange station of the other area. If information calling the number portability subscriber is received from an optional originating exchange(18), the previous exchange station(14) transmits the information calling the number portability subscriber to the originating exchange(18). If the originating exchange(18) receives the information, the originating exchange(18) requests a number portability service to an intelligent network service processor, and receives an internal prefix of the portability-afterward exchange(16), then loops an incoming call.
摘要翻译：目的：提供一种用于控制办公室间可携带服务用户呼叫的方法，使电话用户在以前/可移植性交换站中接收来自前一个区域的交换站的电话号码，以消除浪费的交换号码资源并且使得电话用户使用一次允许的电话号码，以便有效地执行频繁移动区域的商务人员的电话接入服务。规定：号码可移植性信息表明，号码可携带用户移动到其他地区的交换站。号码携带性信息被登记在先前交换台（14）的数据库（DB2）中。号码携带用户的电话号码从另一区域的交换台登记在可移动性交换（16）的本地区域前缀表中。如果从可选的始发交换机（18）接收到呼叫号码携带用户的信息，则前一交换站（14）将呼叫号码可携带用户的信息发送到始发交换机（18）。如果始发交换机（18）接收到信息，则始发交换机（18）向智能网络服务处理器请求号码可携带性服务，并接收随后可交换（16）的内部前缀，然后循环传入呼叫。

7. 发明授权

KR100257678B1 반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법 失效
标题翻译：金属污染的微观化方法
公开(公告)号：KR100257678B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970013313
申请日：1997-04-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상미 , 이미경 , 김정희 , 고복순 , 허용우 , 손병우 , 길준잉
IPC分类号： H01L21/66
摘要： PURPOSE: A trace metal impurity analysis method in semiconductor process sample is provided to effectively perform qualitative and quantitative analysis of metal impurities by optimizing the temperature profile. CONSTITUTION: The trace metal impurity present in sample obtained from semiconductor process is analyzed by drying, ashing, quenching and atomizing the sample with AAS(atomic absorption spectroscopy). At each stage of the analysis, the temperature profile of the metal impurities, such as chromium(Cr), aluminum(Al), nickel(Ni), zinc(Zn), magnesium(Mg), copper(Cu), iron(Fe), sodium(Na) and silicon(Si), is optimized to offer best analysis result. This method minimizes the detection limit and improves its reproducibility and reliability.
摘要翻译：目的：提供半导体工艺样品中的痕量金属杂质分析方法，通过优化温度曲线来有效地进行金属杂质的定性和定量分析。构成：通过用AAS（原子吸收光谱）干燥，灰化，淬火和雾化样品来分析从半导体工艺获得的样品中存在的痕量金属杂质。在分析的每个阶段，金属杂质如铬（Cr），铝（Al），镍（Ni），锌（Zn），镁（Mg），铜（Cu），铁），钠（Na）和硅（Si），被优化以提供最佳分析结果。该方法可以最大限度地减少检测限，提高其重现性和可靠性。

8. 发明公开

KR1019990079442A 대표번호 서비스방법 无效
标题翻译：代表号码服务方式
公开(公告)号：KR1019990079442A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980012069
申请日：1998-04-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이미경 , 박기범 , 이균필
IPC分类号： H04M3/42
摘要： 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본 발명은 대표번호 서비스방법에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
하나의 대표번호에 다수의 개별 디렉토리 번호를 할당함에 따라 넘버 트랜슬레이션 프로세스에 부하가 과중되는 것을 방지한다.
다. 발명의 해결방법의 요지
대표번호로 지정된 분산국번에 소수의 그룹 디렉토리 번호를 지정하고, 각 그룹 디렉토리 번호에 다시 소수의 개별 디렉토리 번호를 지정하는 단계와, 상기와 같이 지정된 상태에서 외부로부터 상기 분산국번에 대한 호요구가 있을 때마다 상기 소수의 그룹 디렉토리 번호를 순차적으로 돌아가면서 지정하는 단계와, 상기 그룹 디렉토리 번호가 지정되면 그 그룹 디렉토리 번호에 속하는 소수의 개별 디렉토리 번호중에서 아이들한 개별 디렉토리 번호를 헌팅하는 단계와, 그 헌팅된 개별 디렉토리 번호로 착신시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도
교환기에 사용된다.

9. 发明公开

KR1019980076558A 반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법 失效
标题翻译：分析半导体工艺样品中痕量金属污染物的方法
公开(公告)号：KR1019980076558A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970013313
申请日：1997-04-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상미 , 이미경 , 김정희 , 고복순 , 허용우 , 손병우 , 길준잉
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 본 발명은 반도체 공정에서 사용되는 각종 재료들로부터 분취한 시료내에 존재하는 여러가지 종류의 금속 오염물을 원자흡광분광기를 사용하여 보다 정확하게 정성 및 정량분석할 수 있는 반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 시료내의 극미량 금속 오염물 분석방법은 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 원자화단계로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 금속원소의 분석방법에서 이들 각 단계들의 온도프로파일을 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 니켈(Ni), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 구리(Cu), 철(Fe), 나트륨(Na) 또는 규소(Si) 등의 각 금속 오염물의 분석에 최적의 결과를 나타낼 수 있도록 하기 위한 조건으로 조절한 점에 특징이 있는 것이다.
따라서, 통상의 원자흡광분광기의 고온 흑연로 분석 프로그램의 온도프로파일을 최적화함으로써 금속 오염물의 정성분석 및 정량분석을 효과적으로 수행할 수 있는 효과가 있다.

10. 发明公开

KR1020120091866A 포토마스크 형성 방법, 이를 수행하는 프로그래밍된 명령을 저장하는 컴퓨터에서 판독 가능한 저장 매체 및 마스크 이미징 시스템 审中-实审
标题翻译：使用该方法制造光电子的方法，计算机可读介质，包括存储在其上的编程指令的序列，用于实现相同和掩蔽成像系统
公开(公告)号：KR1020120091866A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020110011926
申请日：2011-02-10
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이미경 , 최성운
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/70 , H01L21/0274 , H01L21/0337
摘要： PURPOSE: A method for forming a photomask, a computer readable storage medium storing a programmed command, and a mask imaging system are provided to prevent patterns from being broken due to external forces based on surface tension of cleaning solutions or developers. CONSTITUTION: Patterns are provided(S1). The patterns are formed using design patterns(S2). A force relating to the patterns is calculated(S3). It is evaluated whether the patterns collapse based on the calculated force(S4). The design pattern is corrected to prevent the breakdown of the patterns(S5).
摘要翻译：目的：提供一种用于形成光掩模的方法，存储编程命令的计算机可读存储介质和掩模成像系统，以防止图案由于基于清洁溶液或显影剂的表面张力的外力而被破坏。规定：提供图案（S1）。使用设计图案形成图案（S2）。计算与图案相关的力（S3）。基于计算出的力来评估图案是否崩溃（S4）。校正设计图案以防止图案的破坏（S5）。

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