专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101818441B1 데이터 처리 장치 및 이의 동작 방법 有权
标题翻译：数据处理装置及其操作方法
公开(公告)号：KR101818441B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020110065195
申请日：2011-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준 , 공준진 , 김재홍 , 손홍락 , 김용준 , 정정수 , 최성혁
IPC分类号： G06F7/58
CPC分类号： G06F7/584 , G06F2207/583
摘要： 데이터처리장치는다수의쉬프트레지스터들을포함하는의사난수발생기와, 상기다수의쉬프트레지스터들중에서마지막쉬프트레지스터를제외한나머지쉬프트레지스터들중에서어느하나로부터출력되는의사난수시퀀스를이용하여제1데이터를제2데이터로랜더마이즈하거나또는랜더마이즈된제3데이터를제4데이터로디랜더마이즈하는변환회로를포함한다. 상기의사난수발생기는상기제2데이터를저장하기위한또는상기제3데이터를저장하는메모리를액세스하기위해필요한파라미터를이용하여상기의사난수발생기의피드백다항식을결정하는피드백다항식결정기를포함한다.
摘要翻译：使用伪随机数序列是从伪随机数发生器，包括多个移位寄存器值的数据处理中的任一个输出，并且其它的移位寄存器，除了中的最后一个移位寄存器的第一数据，所述多个移位寄存器的第二数据以及转换电路，用于将经受光栅化的第三数据渲染为第四数据。伪随机数生成器可以包括一个判决反馈多项式用于通过使用被访问以存储存储器或用于存储所述第二数据的第三数据所需的参数确定所述伪随机数发生器的反馈多项式。

2. 发明授权

KR101650123B1 페이지-기반 반복 복호 구조를 갖는 메모리 시스템 및 그것의 페이지-기반 반복 복호 방법 有权
标题翻译： - - 基于页面的迭代解码结构的存储器系统和基于页面的迭代解码方法
公开(公告)号：KR101650123B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020100046596
申请日：2010-05-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준 , 손홍락 , 공준진
IPC分类号： G06F11/10 , G06F13/16 , H03M13/29
CPC分类号： H03M13/2951 , G06F11/1008 , H03M13/2948
摘要： 여기에는채널을통해전송되는데이터를반복복호화하는방법이제공되며, 그러한방법은 (a) 상기데이터의섹터들중 하나를반복적으로복호화하는단계와; (b) 상기하나의섹터의복호화가성공적으로행해진것으로판별될때, 유휴상태없이상기데이터에속한다음섹터에대한반복복호동작을바로수행하는단계와; 그리고 (c) 상기데이터의섹터들이모두복호화될때까지상기 (a) 및 (b) 단계들을반복하는단계를포함한다.

3. 发明授权

KR101623730B1 인터리버 장치 有权
标题翻译： INTERLEAVER APPARATUS
公开(公告)号：KR101623730B1
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：KR1020090113102
申请日：2009-11-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김재홍 , 은희석 , 이기준 , 김용준
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/08 , G11C16/02
CPC分类号： G06F12/0607 , G06F2212/7208
摘要： 인터리버장치는제 1 버퍼부, 인코딩부, 제 2 버퍼부및 출력부를포함한다. 제 1 버퍼부는입력데이터를섹터단위로버퍼링하여복수의섹터단위데이터들을순차적으로생성한다. 인코딩부는섹터단위데이터들에대하여이씨씨인코딩을수행하고, 복수의패리티코드들을순차적으로생성한다. 제 2 버퍼부는섹터단위데이터들및 패리티코드들을인터리빙하여복수의출력버퍼들에저장한다. 출력부는출력버퍼들에저장된복수의인터리빙데이터들을적어도하나이상의메모리장치들에출력한다. 이와같이, 인터리버장치는간단한구조를가지면서도인터리빙을다양한방식으로수행할수 있다.

4. 发明授权

KR101601849B1 불휘발성 메모리 장치, 그것의 읽기 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 有权
标题翻译：非易失性存储器件的读取方法和包括其的存储器系统
公开(公告)号：KR101601849B1
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020090100234
申请日：2009-10-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준 , 손홍락 , 공준진
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/26 , G06F11/1072 , G11C16/06
摘要： 본발명은불휘발성메모리장치에관한것이다. 본발명의불휘발성메모리장치는셀 당하나또는그 이상의비트를저장하도록구성되는메모리셀 어레이, 메모리셀 어레이를액세스하도록구성되는읽기및 쓰기회로, 메모리셀 어레이의선택메모리셀의읽기동작을적어도두 번수행하고, 읽기동작의결과로서읽기데이터심볼을출력하도록상기읽기및 쓰기회로를제어하는제어로직, 그리고읽기데이터심볼의패턴에기반하여상기읽기데이터심볼의에러를정정하고, 에러정정된심볼을출력하도록구성되는에러정정부를포함한다.

5. 发明公开

KR1020160017983A 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：存储器件，存储器系统和存储器系统的操作方法
公开(公告)号：KR1020160017983A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140101794
申请日：2014-08-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성혁 , 공준진 , 설창규 , 손홍락 , 윤필상 , 이기준
IPC分类号： G11C29/52 , G11C29/42
CPC分类号： G11C29/52 , G06F11/1048 , G11C2029/0411
摘要： 메모리장치, 메모리시스템및 메모리시스템의동작방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따른비휘발성의메모리장치를포함하는메모리시스템의동작방법은, 상기메모리장치에대한제1 요청에응답하여, 원본키(key)를이용하여상기제1 요청에대한응답을처리하는단계; 상기원본키에대응되는제1 패리티데이터(parity data)를생성하고저장하는단계; 및상기원본키를삭제하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种存储器件，存储器系统和存储器系统的操作方法。根据本发明的实施例，包括非易失性存储器件的存储系统的操作方法包括以下步骤：响应于关于存储器件的第一请求，通过使用原始密钥来处理对第一请求的响应; 生成并存储对应于原始密钥的第一奇偶校验数据; 并删除原始密钥。因此，本发明有效地提高了安全性。

6. 发明公开

KR1020140113101A 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 데이터 쓰기 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件及其数据写入方法
公开(公告)号：KR1020140113101A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130028050
申请日：2013-03-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오은주 , 공준진 , 유영건 , 이기준
IPC分类号： G11C13/00 , G11C11/15 , G11C16/10
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C7/1006 , G11C11/2275 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2029/0411
摘要： A data writing method of a non-volatile memory device according to the present invention includes a step of receiving write data to be stored in selected memory cells, a step of reading the data stored in the selected memory cells, a step of generating a plurality of modulated data by processing the write data according to a plurality of data modulation methods, a step of calculating the number of flip-bits in which logic values of the selected memory cells are converted and calculating the number of switching-bits in which the logic values of the selected memory cells are converted from first logic to second logic when the write data and the modulated data are overwritten on the selected memory cells, and a step of selecting either the write data or the modulated data according to the number of the switching bits.
摘要翻译：根据本发明的非易失性存储器件的数据写入方法包括接收要存储在所选存储单元中的写入数据的步骤，读取存储在所选存储单元中的数据的步骤，产生多个通过根据多个数据调制方法处理写入数据来调制数据;计算转换位数的步骤，其中所选择的存储器单元的逻辑值被转换并计算其中逻辑当写入数据和调制数据被覆盖在所选择的存储器单元上时，所选存储单元的值从第一逻辑转换为第二逻辑，以及根据切换次数选择写入数据或调制数据的步骤位。

7. 发明公开

KR1020120118762A 불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 시스템 및 그것의 랜덤 데이터 읽기 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件和非易失性存储器系统及其随机数据读取方法
公开(公告)号：KR1020120118762A
公开(公告)日：2012-10-29
申请号：KR1020110036350
申请日：2011-04-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준 , 김재홍 , 임세진 , 정정수
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/06 , G06F12/00 , G06F3/06
CPC分类号： G06F12/06 , G06F7/58 , G06F7/584 , G06F7/724 , G06F11/1008 , G06F11/1012 , G06F11/1044 , G06F11/1048 , G06F12/0246 , G06F2212/251 , G11C7/1006 , G11C16/00 , H03M13/03 , G11C16/26 , G06F3/06 , G06F12/00 , G11C16/06
摘要： PURPOSE: A nonvolatile memory device, a nonvolatile memory system, and a random data reading method thereof are provided to improve reliability by suppressing the variation of threshold voltages of memory cells. CONSTITUTION: An array includes memory cells which are arranged in rows and columns. A randomizing and de-randomizing circuit(600a) randomizes data stored in the array, generates a seed in reference to position information of the random data and an initial seed of a page including read requested random data in a random read operation, and de-randomizes the random data by applying a random sequence generated from the seed. A seed converter(611) converts the initial seed into finite field element. A location table(613) stores the location information of a sector.
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储器件，非易失性存储器系统及其随机数据读取方法，通过抑制存储器单元的阈值电压的变化来提高可靠性。构成：阵列包括以行和列排列的存储单元。随机化和去随机化电路（600a）使存储在阵列中的数据随机化，参考随机数据的位置信息和随机读取操作中包括读取请求随机数据的页面的初始种子生成种子，通过应用从种子生成的随机序列随机化随机数据。种子转换器（611）将初始种子转换为有限域元素。位置表（613）存储扇区的位置信息。

8. 发明公开

KR1020050106714A 반도체 웨이퍼 습식 세정장치 无效
标题翻译：用于半导体波形的湿度清洁装置
公开(公告)号：KR1020050106714A
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：KR1020040031732
申请日：2004-05-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 반도체 웨이퍼 습식 세정장치가 제공된다. 반도체 웨이퍼 습식 세정장치는, 화학 용액이 담긴 배스와, 배스 내의 화학 용액을 순환시키는 배스 용액 순환부와, 배스 내의 화학 용액을 배출시키는 드레인부와, 배스 외부에 부착되어 배스 내부로 빛을 통과시키는 광센서부와, 광센서부의 동작에 따라 배스 내의 화학 용액의 오염여부를 감지하는 제어부를 포함한다. 여기서, 광센서부는 배스의 일측 방향에서 빛을 발생시키는 투광부와, 투광부와 마주보는 배스의 타측 방향에서 투광부로부터의 빛을 받는 수광부로 구성될 수 있다.

9. 发明公开

KR1020040036300A 웨이퍼 습식 식각 장치의 리크 감지 기능을 구비한 케미컬순환 시스템 无效
标题翻译：化学循环系统在水中湿度测量仪器中具有泄漏感测功能
公开(公告)号：KR1020040036300A
公开(公告)日：2004-04-30
申请号：KR1020020065265
申请日：2002-10-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준 , 박준모
IPC分类号： H01L21/306
摘要： PURPOSE: A chemical circulation system having a leak sensing function in a wafer wet-etch apparatus is provided to exchange a defective tube and prevent damage of a wafer by sensing a leak of the tube for connecting a chemical bath to a pump. CONSTITUTION: A chemical circulation system having a leak sensing function in a wafer wet-etch apparatus includes a chemical bath, a pump(105), a solenoid valve(205), a controller(106), and a leak sensing unit. The chemical bath is used for storing chemicals. The pump(105) is connected to the chemical bath though a tube in order to inject the chemicals into the chemical bath. The solenoid valve(205) is used for injecting alternately air into both sides of the pump to drive the pump. The controller(106) is used for controlling an operation of the solenoid valve. The leak sensing unit is installed at the tube for connecting the chemical bath to the pump.
摘要翻译：目的：提供一种在晶片湿蚀刻设备中具有泄漏检测功能的化学循环系统，用于交换有缺陷的管，并通过感测用于将化学浴连接到泵的管的泄漏来防止晶片损坏。构成：在晶片湿蚀刻装置中具有泄漏检测功能的化学循环系统包括化学浴，泵（105），电磁阀（205），控制器（106）和泄漏检测单元。化学浴用于储存化学品。泵（105）通过管连接到化学浴，以便将化学品注入化学浴中。电磁阀（205）用于将泵交替空气注入泵的两侧以驱动泵。控制器（106）用于控制电磁阀的操作。泄漏检测单元安装在用于将化学浴连接到泵的管上。

10. 发明公开

KR1019980034807A 불휘발성 반도체 메모리 장치 失效
公开(公告)号：KR1019980034807A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052972
申请日：1996-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준
IPC分类号： G11C16/06
摘要： 본 발명은 불휘발성 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 반도체 메모리 장치에 있어 집적도를 높이기 위한 불휘발성 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 데이터들을 저장하기 위한 셀 어레이와, 복수개의 페이지버퍼들로 구비되며 상기 셀 어레이로부터 상기 데이터들을 센싱하여 이에 대응되는 상기 각 페이지버퍼에 일시적으로 저장하기 위한 페이지버퍼부와, 상기 각 페이지버퍼에 저장된 상기 데이터들의 전압레벨을 반전시키는 반전부와, 칼럼 선택신호들에 응답하여 상기 반전된 데이터들을 다음단으로 전달하는 칼럼 패스게이트부와, 상기 칼럼 패스게이트부로부터 전달된 상기 데이터들을 외부로 출력하는 입출력 버퍼부를 구비한 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 반전부는, 제 1 제어신호와 제 2 제어신호에 � ��답하여 제 1 전압레벨과 제 2 전압레벨을 출력하는 전원공급수단과; 상기 페이지버퍼들로부터 출력된 상기 데이터들에 응답하여 상기 제 1 전압레벨과 상기 제 2 전압레벨 중 어느 하나를 상기 칼럼 패스게이트부로 각각 출력하되, 상기 각 데이터의 전압레벨을 반전시켜 출력하는 복수개의 반전수단들로 이루어졌다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式