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1. 发明授权

KR102140792B1 데이터 중복 제거를 수행할 수 있는 데이터 저장 장치의 동작 방법들 有权
公开(公告)号：KR102140792B1
公开(公告)日：2020-08-03
申请号：KR1020130162460
申请日：2013-12-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서만근 , 김광훈 , 박찬익 , 정상규 , 손홍락
IPC分类号： G06F12/02 , G06F13/14

2. 发明授权

KR102083271B1 플래시 메모리의 물리적 특성을 이용하여 난수를 생성하는 플래시 메모리 시스템 및 그것의 난수 생성 방법 有权
公开(公告)号：KR102083271B1
公开(公告)日：2020-03-02
申请号：KR1020120084064
申请日：2012-07-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 설창규 , 공준진 , 손홍락 , 윤필상
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/22 , G06F12/14

3. 发明授权

KR102060488B1 불휘발성 랜덤 액세스 메모리 장치 및 그것의 데이터 읽기 방법 有权
公开(公告)号：KR102060488B1
公开(公告)日：2019-12-30
申请号：KR1020120155060
申请日：2012-12-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오은주 , 공준진 , 손홍락 , 유영건
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/26

4. 发明授权

KR101934892B1 메모리 장치의 열화 상태 판정 방법 및 이를 이용한 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101934892B1
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：KR1020120115486
申请日：2012-10-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 설창규 , 공준진 , 손홍락
IPC分类号： G11C29/00 , G11C16/34

5. 发明授权

KR101845510B1 반도체 저장 장치 및 시스템 有权
标题翻译：半导体存储设备和系统
公开(公告)号：KR101845510B1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：KR1020110109429
申请日：2011-10-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 설창규 , 공준진 , 손홍락
IPC分类号： G11C7/10 , G11C16/06
CPC分类号： G06F13/00 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/42 , G11C29/52 , G11C2029/0411
摘要： 본발명의실시예에따른반도체저장시스템은, 메모리에기록된샘플데이터들의제1 상태값의개수와메모리에서독출된독출데이터들에서제1 상태값의개수의차이를계산하는연산부(CAL); 및상기메모리에기록된샘플데이터들에서제1 상태값의개수와메모리에서독출된독출데이터들에서제1 상태값의개수의차이에대응하는독출레벨보상값을산정하는보상값산정부(CPC)를포함한다.
摘要翻译：根据本发明系统的实施例的半导体存储器，用于在输出的西方计算第一状态值的数目之间的差的操作单元（CAL）读取的数量和记录在存储器中的第一状态值的采样数据的存储器中的数据。以及补偿值计算单元（CPC），用于计算与记录在存储器中的采样数据中的第一状态值的数量与读出到存储器中的读取数据中的第一状态值的数量之间的差相对应的读取电平补偿值，它包括。

6. 发明授权

KR101818441B1 데이터 처리 장치 및 이의 동작 방법 有权
标题翻译：数据处理装置及其操作方法
公开(公告)号：KR101818441B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020110065195
申请日：2011-06-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준 , 공준진 , 김재홍 , 손홍락 , 김용준 , 정정수 , 최성혁
IPC分类号： G06F7/58
CPC分类号： G06F7/584 , G06F2207/583
摘要： 데이터처리장치는다수의쉬프트레지스터들을포함하는의사난수발생기와, 상기다수의쉬프트레지스터들중에서마지막쉬프트레지스터를제외한나머지쉬프트레지스터들중에서어느하나로부터출력되는의사난수시퀀스를이용하여제1데이터를제2데이터로랜더마이즈하거나또는랜더마이즈된제3데이터를제4데이터로디랜더마이즈하는변환회로를포함한다. 상기의사난수발생기는상기제2데이터를저장하기위한또는상기제3데이터를저장하는메모리를액세스하기위해필요한파라미터를이용하여상기의사난수발생기의피드백다항식을결정하는피드백다항식결정기를포함한다.
摘要翻译：使用伪随机数序列是从伪随机数发生器，包括多个移位寄存器值的数据处理中的任一个输出，并且其它的移位寄存器，除了中的最后一个移位寄存器的第一数据，所述多个移位寄存器的第二数据以及转换电路，用于将经受光栅化的第三数据渲染为第四数据。伪随机数生成器可以包括一个判决反馈多项式用于通过使用被访问以存储存储器或用于存储所述第二数据的第三数据所需的参数确定所述伪随机数发生器的反馈多项式。

7. 发明授权

KR101811298B1 랜덤마이져로 씨드를 제공하는 씨드 컨트롤러 및 그것을 포함한 메모리 컨트롤러 有权
标题翻译：种子控制器提供包含随机化器和存储器控制器的种子
公开(公告)号：KR101811298B1
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：KR1020110144995
申请日：2011-12-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정정수 , 손홍락 , 공준진
IPC分类号： G06F13/16 , G06F12/00
CPC分类号： G06F11/1008 , G06F12/0238 , G06F2212/1032 , G06F2212/7202 , G06F2212/7208 , G11C7/1006
摘要： 랜덤마이져로씨드를제공하는씨드컨트롤러가개시된다. 씨드컨트롤러는제 1 파라미터를사용하여제 1 시클릭시프트를수행하기위한제 1 레지스터블록및 제 2 파라미터를사용하여제 2 시클릭시프트를수행하기위한제 2 레지스터블록을포함한다. 씨드컨트롤러는제 1 및제 2 레지스터블록에서수행된시클릭시프트결과를사용하여상기씨드를생성한다.
摘要翻译：公开了种子控制器，其向种子提供随机化器。种子控制器包括用于使用第一参数执行第一循环移位的第一寄存器块和用于使用第二参数执行第二循环移位的第二寄存器块。种子控制器使用在第一和第二寄存器块中执行的循环移位的结果来生成种子。

8. 发明公开

KR1020170086173A 불휘발성 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器系统
公开(公告)号：KR1020170086173A
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020160005536
申请日：2016-01-15
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오은주 , 윤필상 , 공준진 , 손홍락 , 진동섭
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/04 , G06F12/02 , G06F13/16
摘要： 불휘발성메모리시스템은각각 N(N은 1보다큰 자연수)-레벨셀로구성된복수의메모리셀을포함하고, 복수의읽기전압을기반으로복수의메모리셀에저장된데이터를읽기위한불휘발성메모리장치및 불휘발성메모리장치로부터데이터가읽히도록, 불휘발성메모리장치로읽기커맨드를전송하기위한메모리컨트롤러를포함하되, 불휘발성메모리장치는복수의읽기전압중 제1 읽기전압을기반으로, N-레벨셀의제1 레벨에대한제1 읽기동작을수행하고, 복수의메모리셀 중제1 읽기전압에응답하는온-셀들의개수를카운트하고, 카운트된개수와기준셀 개수의비교결과에따라, 복수의읽기전압중 N-레벨셀의제1 레벨또는제2 레벨에대한제2 읽기동작을수행하기위해이용될제2 읽기전압의레벨을조절한다.
摘要翻译：所述的非易失性存储器系统中，每个N（N是大于一的自然数1），用于基于多个读取电压器件和所述多个信号由一个多级单元的，和读取存储在所述多个存储器单元的数据的存储器单元的非易失性存储器使得数据从非易失性存储器装置读出，包括：存储器控制器，用于发送读取命令到非易失性存储器装置中，基于多个读取电压的第一读取电压，所述N-级单元中的非易失性存储器件用于第一级执行第一读取操作，和多个存储单元的jungje上响应1个读出到电压计数细胞的数目，并读取根据计数数目和细胞的参考号，多个电压之间的比较结果第二读取电压的电平将被用于执行第二读取操作以用于第N级的第一级或第二级，

9. 发明授权

KR101727707B1 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법과, 상기 방법을 수행할 수 있는 장치들 有权
公开(公告)号：KR101727707B1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：KR1020100071770
申请日：2010-07-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최성혁 , 손홍락 , 공준진 , 김용준
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/04 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/10
摘要： 스페어영역에포함된멀티레벨셀들의프로그램방법이개시된다. 상기스페어영역에포함된멀티레벨셀들의프로그램방법은제1페이지데이터를적어도하나의제1더미데이터와함께제1멀티레벨셀에프로그램하는단계; 및제2페이지데이터를적어도하나의제2더미데이터와함께제2멀티레벨셀에프로그램하는단계를포함한다.

10. 发明授权

KR101650123B1 페이지-기반 반복 복호 구조를 갖는 메모리 시스템 및 그것의 페이지-기반 반복 복호 방법 有权
标题翻译： - - 基于页面的迭代解码结构的存储器系统和基于页面的迭代解码方法
公开(公告)号：KR101650123B1
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020100046596
申请日：2010-05-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기준 , 손홍락 , 공준진
IPC分类号： G06F11/10 , G06F13/16 , H03M13/29
CPC分类号： H03M13/2951 , G06F11/1008 , H03M13/2948
摘要： 여기에는채널을통해전송되는데이터를반복복호화하는방법이제공되며, 그러한방법은 (a) 상기데이터의섹터들중 하나를반복적으로복호화하는단계와; (b) 상기하나의섹터의복호화가성공적으로행해진것으로판별될때, 유휴상태없이상기데이터에속한다음섹터에대한반복복호동작을바로수행하는단계와; 그리고 (c) 상기데이터의섹터들이모두복호화될때까지상기 (a) 및 (b) 단계들을반복하는단계를포함한다.

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