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1. 发明授权

KR102161565B1 보조 입력 장치를 이용한 전자 장치 및 그 운용 방법 有权
公开(公告)号：KR102161565B1
公开(公告)日：2020-10-05
申请号：KR1020130158062
申请日：2013-12-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최보근 , 오준석
IPC分类号： G06F3/033 , G06F3/041 , G06F3/048

2. 发明授权

KR101537638B1 그라펜 박막을 이용한 수지의 도금 방법 有权
标题翻译：用于树脂薄膜薄膜的涂层方法
公开(公告)号：KR101537638B1
公开(公告)日：2015-07-17
申请号：KR1020100046626
申请日：2010-05-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배아현 , 손상익 , 남재도 , 오준석 , 이준호 , 황태선
IPC分类号： C25D5/56 , C23C14/02 , C25D5/10 , C23C26/02
CPC分类号： C25D5/56 , C23C18/1653 , C23C18/2006 , C23C18/2066 , C23C18/2073 , C23C18/31 , C23C18/405 , C25D5/10
摘要： 본발명은그라펜박막을이용한수지도금방법에관한것으로, 더욱상세하게는수지기재위에그라펜박막을형성하여종래의수지도금시필수적인단계인에칭단계를생략하여친환경적으로수지의표면을처리할수 있는, 그라펜박막을이용한수지의도금방법에관한것이다.

3. 发明公开

KR1020070047398A 컬러 포토레지스트 및 이를 이용한 패턴 형성방법 无效
标题翻译：彩色光电元件及其形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020070047398A
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050104086
申请日：2005-11-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 오준석 , 김주영 , 김영호 , 김재현
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 컬러 포토레지스트에 포함된 안료에서 난 반사된 광의 영향을 받지 않는 컬러 포토레지스트 및 이를 이용한 패턴 형성방법에 관한 것이다. 포토레지스트는 감광성 수지 4 내지 10중량%, 광산 발생제 0.1 내지 0.5중량%, 흡광제 0.1 내지 1중량% 및 안료가 용해된 용매 80 내지 96 중량%를 포함하는 조성을 갖는다. 상기한 조성을 갖는 컬러 포토레지스트는 수직 프로파일을 갖는 컬러 포토레지스트 패턴을 형성하는데 적용된다.

4. 发明授权

KR102008342B1 팬-아웃 반도체 패키지 및 패키지 기판 有权
公开(公告)号：KR102008342B1
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：KR1020170090763
申请日：2017-07-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이창보 , 오준석 , 정현철 , 여정호
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/00 , H01L23/14

5. 发明公开

KR1020150071257A 보조 입력 장치를 이용한 전자 장치 및 그 운용 방법 审中-实审
标题翻译：使用辅助输入装置的电子装置及其操作方法
公开(公告)号：KR1020150071257A
公开(公告)日：2015-06-26
申请号：KR1020130158062
申请日：2013-12-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최보근 , 오준석
IPC分类号： G06F3/033 , G06F3/041 , G06F3/048
CPC分类号： G06F3/0488 , G06F3/041
摘要： 본발명이다양한실시예에따르면, 터치입력을감지하는디스플레이및 상기디스플레이에놓인보조입력장치의종류를인식하고, 상기보조입력장치의입력이벤트를확인하며, 상기보조입력장치의입력이벤트에따라현재실행되는프로그램에대응하는기능을수행하도록제어하는적어도하나의프로세서를포함하는전자장치를제공할수 있다. 한실시예에따르면, 보조입력장치는별도의전원이요구되지않기때문에제조원가가절감되며, 사용자에게직관적인동적입력방법을제공하기때문에조작이간단하며향상된사용편의성을제공할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的各种实施例，提供一种电子设备，其包括检测触摸输入的显示器; 以及至少一个处理器识别在显示器上设置的辅助输入装置的类型，检查辅助输入装置的输入事件，并且控制执行与辅助输入装置的输入事件当前执行的程序相对应的功能。根据实施例，辅助输入装置不需要额外的功率，从而降低制造成本，并且向用户提供直观的输入方法，从而提供易于控制和便利性的改进。

6. 发明授权

KR100814407B1 미세 패턴 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成精细图案的组合物和形成使用该图案的图案的方法
公开(公告)号：KR100814407B1
公开(公告)日：2008-03-18
申请号：KR1020070013259
申请日：2007-02-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김주영 , 오준석 , 김재현
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/40 , Y10S430/11 , G03F7/11
摘要： A composition for forming a micropattern is provided to realize improved etching resistance, to form a fine pattern exceeding the exposure limit of a n exposure light source, and to improve the line edge roughness and resolution of the resultant pattern in a semiconductor device fabrication process. A composition for forming a micropattern comprises, at least: a water soluble polymer having repeating units represented by the following formula 1; a crosslinking agent; and a water soluble solvent. In formula 1, each of R1, R2, R3, R4 and R5 represents H, OH, alkyl, hydroxyalkyl, aminoalkyl, mercaptoalkyl, amino, mercapto or ammonium group; R6 is H or alkyl; m is an integer of 1-4; and x is an integer of 1-1,000.
摘要翻译：提供了用于形成微图案的组合物以实现改进的耐蚀刻性，以形成超过n曝光光源的曝光极限的精细图案，并且在半导体器件制造工艺中提高线边缘粗糙度和所得图案的分辨率。用于形成微图案的组合物至少包括：具有由下式1表示的重复单元的水溶性聚合物; 交联剂; 和水溶性溶剂。在式1中，R 1，R 2，R 3，R 4和R 5各自表示H，OH，烷基，羟基烷基，氨基烷基，巯基烷基，氨基，巯基或铵基团; R6是H或烷基; m为1-4的整数; x为1-1000的整数。

7. 发明授权

KR100763848B1 쇼트키 다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：肖特基二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100763848B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060062838
申请日：2006-07-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김대식 , 권오겸 , 김명희 , 김용찬 , 박혜영 , 오준석
IPC分类号： H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/47 , H01L29/66143
摘要： A schottky diode and its manufacturing method are provided to simply manufacturing processes without the degradation of characteristics of the schottky diode by forming the schottky diode, a PMOS transistor, an NMOS transistor or a CMOS transistor on the same semiconductor substrate. A schottky diode includes a schottky junction, an ohmic junction, an isolation region, and a well guard ring. The schottky junction(13) includes a first conductive type well and a first electrode for contacting the first conductive type well. The ohmic junction includes a first conductive type high concentration junction region and a second electrode for contacting the first conductive type high concentration junction region. The isolation region(17) is used for isolating the schottky junction and the ohmic junction from each other. The well guard ring(18) is partially overlapped with the schottky junction along an outer periphery of the schottky junction. The schottky diode, an NMOS transistor, a PMOS transistor or a CMOS transistor are formed on the same semiconductor substrate.
摘要翻译：提供肖特基二极管及其制造方法来简单地制造工艺，而不会在同一半导体衬底上形成肖特基二极管，PMOS晶体管，NMOS晶体管或CMOS晶体管而不会降低肖特基二极管的特性。肖特基二极管包括肖特基结，欧姆结，隔离区和保护环。肖特基结（13）包括第一导电型阱和用于接触第一导电类型阱的第一电极。欧姆结包括第一导电型高浓度结区和用于接触第一导电型高浓度结区的第二电极。隔离区（17）用于将肖特基结和欧姆结彼此隔离。保护环（18）沿着肖特基结的外周与肖特基结部分重叠。在同一半导体衬底上形成肖特基二极管，NMOS晶体管，PMOS晶体管或CMOS晶体管。

8. 发明授权

KR102012443B1 팬-아웃 반도체 패키지 有权
公开(公告)号：KR102012443B1
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：KR1020160160724
申请日：2016-11-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고태호 , 이대희 , 김봉수 , 홍명호 , 정도영 , 오준석
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/498 , H01L23/48 , H01L23/00

9. 发明公开

KR1020130072691A 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020130072691A
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：KR1020110140228
申请日：2011-12-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남정수 , 오준석 , 박혜영
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/085 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78 , H01L27/0629 , H01L27/0811 , H01L29/66181 , H01L29/94 , H01L29/66712
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to reduce plasma damage by covering the center part of an active area with a gate electrode. CONSTITUTION: A substrate includes an active area (16) and a field area. A gate insulating layer (18) is formed the upper surface of the active area. A gate electrode (20) is formed on the gate insulating layer. The gate electrode covers the center part of the active area. An impurity region is formed under the surface of the active area.
摘要翻译：目的：提供半导体器件以通过用栅电极覆盖有源区的中心部分来减少等离子体损伤。构成：衬底包括有源区（16）和场区。栅极绝缘层（18）形成在有源区域的上表面上。栅电极（20）形成在栅极绝缘层上。栅电极覆盖有源区的中心部分。在有源区的表面下形成杂质区。

10. 发明授权

KR100817084B1 고전압 트랜지스터 및 그 제조방법 有权
标题翻译：高电压晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100817084B1
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：KR1020070011251
申请日：2007-02-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 권오겸 , 김용찬 , 오준석 , 김명희 , 박혜영
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/66568 , H01L29/42368 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要： A high-voltage transistor is provided to prevent generation of a parasitic transistor in the bottom of and on the edge of an isolation layer by including an extended active region. An isolation layer(120) is formed in a semiconductor substrate to define an active region(130). A gate electrode(142) is formed on the semiconductor substrate, maintaining a predetermined width and extended along the central portion of the active region. A second well(114) is formed in the semiconductor substrate at both sides of the gate electrode and partially extended to a portion under the isolation layer. The active region includes a first active region(130a) and a second active region(130b). The first active region separates the isolation layer, positioned under the gate electrode. The second active region is confined by the first active region and the isolation layer. A source/drain region can be formed in the second well, separated from the gate electrode by a predetermined interval.
摘要翻译：提供高压晶体管，以通过包括扩展的有源区域来防止在隔离层的底部和边缘上产生寄生晶体管。隔离层（120）形成在半导体衬底中以限定有源区（130）。栅极电极（142）形成在半导体衬底上，保持预定的宽度并沿有源区的中心部分延伸。第二阱（114）在栅电极的两侧形成在半导体衬底中，并部分延伸到隔离层下方的部分。有源区包括第一有源区（130a）和第二有源区（130b）。第一有源区域分离位于栅电极下方的隔离层。第二有源区被第一有源区和隔离层约束。源极/漏极区域可以形成在第二阱中，与栅电极隔开预定间隔。

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