专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101260945B1 실록산 폴리머 조성물 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법 失效
标题翻译：硅氧烷聚合物组合物和使用硅氧烷聚合物组合物制造电容器的方法
公开(公告)号：KR101260945B1
公开(公告)日：2013-05-06
申请号：KR1020070068625
申请日：2007-07-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경미 , 김영호 , 왕윤경 , 박미라
IPC分类号： C08L83/04 , C08G77/04 , C08G77/00
CPC分类号： C08G77/38 , H01L28/91
摘要： ---------------[구조식 1]

2. 发明公开

KR1020110059471A 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조방법 无效
标题翻译：光刻胶组合物，形成图案的方法和使用光刻胶组合物制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110059471A
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：KR1020090116217
申请日：2009-11-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경미 , 김영호
IPC分类号： G03F7/075 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0758 , G03F7/11 , G03F7/40 , G03F7/70433
摘要： PURPOSE: A photoresist composition is provided to form patterns with an improved pattern profile and corrosion resistance. CONSTITUTION: A photoresist composition comprises (a) a polymer including first repeating units represented by chemical formulas 1-5 containing a diazoketo group and second repeating units represented by chemical formula 6 or 7 containing a silicon-containing group, and (b) a solvent. A method for preparing the patterns comprises the steps of: applying the photoresist film on a substrate to form a photoresist film; selectively exposing the photoresist film using a light source; developing the exposed photoresist film to form photoresist patterns.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂组合物以形成具有改进的图案轮廓和耐腐蚀性的图案。构成：光致抗蚀剂组合物包含（a）包含由含有二唑酮基的化学式1-5表示的第一重复单元和含有含硅基团的化学式6或7表示的第二重复单元的聚合物，（b）溶剂。制备图案的方法包括以下步骤：将光致抗蚀剂膜施加在基底上以形成光致抗蚀剂膜; 使用光源选择性地曝光光致抗蚀剂膜; 显影曝光的光致抗蚀剂膜以形成光致抗蚀剂图案。

3. 发明授权

KR100965672B1 이동 통신 시스템에서 기지국과 이동국간의 상태 동기화를 위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：移动通信系统中基站与移动站之间的状态同步的系统和方法
公开(公告)号：KR100965672B1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020050060945
申请日：2005-07-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손영문 , 장홍성 , 주판유 , 손중제 , 조재원 , 이미현 , 강현정 , 홍송남 , 이성진 , 임형규 , 김영호
IPC分类号： H04W56/00
CPC分类号： H04W76/028 , H04L1/0028 , H04L5/0053 , H04L5/0094 , H04W76/19
摘要： 본 발명은 이동 통신 시스템에서 기지국과 이동국간의 상태 동기화를 위한 시스템 및 방법을 제공한다. 이동국은, 상기 기지국이 재가동한 횟수를 나타내는 현재 재가동 카운트 값을 수신하고, 상기 수신한 현재 재가동 카운트 값과 상기 이동국이 이전에 수신하여 저장한 이전 재가동 카운트 값을 비교하고, 상기 현재 재가동 카운트 값과 상기 이전 재가동 카운트 값이 상이하면, 상기 기지국과 네트워크 진입 절차를 수행한다.
네트워크 재진입 절차, DCD 메시지, 상태 동기, DLFP

4. 发明授权

KR100965671B1 이동 통신 시스템에서 기지국과 이동국간의 상태 동기화를 위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：用于移动通信系统中的基站和移动台之间的状态同步的系统和方法
公开(公告)号：KR100965671B1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020100005305
申请日：2010-01-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손영문 , 장홍성 , 주판유 , 손중제 , 조재원 , 임형규 , 이성진 , 이미현 , 강현정 , 홍송남 , 김영호
IPC分类号： H04W56/00 , H04B7/26
摘要： 본 발명은 이동 통신 시스템에서 기지국과 이동국간의 상태 동기화를 위한 시스템 및 방법을 제공한다. 기지국은 현재 재가동 카운트 값을 설정하고, 상기 현재 재가동 카운트 값이 상기 이동국 내에 저장된 이전 재가동 카운트 값과 상이할 경우 상기 이동국이 네트워크 진입 절차를 수행하도록 하기 위하여, 상기 현재 재가동 카운트 값을 상기 이동국으로 송신한다.
摘要翻译：本发明提供了用于移动通信系统中的基站和移动台之间的状态同步的系统和方法。基站发送所述当前计数值被设置为当前的计数值，并且如果从存储在所述移动站的先前计数值不同的所述当前计数值是所述移动站执行与所述移动站的网络进入过程的。

5. 发明授权

KR100929080B1 통신 시스템에서 신호 송수신 장치 및 방법 有权
标题翻译： 통신시스템에서신호송수신장치및방법
公开(公告)号：KR100929080B1
公开(公告)日：2009-11-30
申请号：KR1020060016286
申请日：2006-02-20
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍송남 , 주판유 , 손중제 , 조재원 , 임형규 , 손영문 , 이성진 , 박정호 , 이미현 , 강현정 , 김영호
IPC分类号： H04L1/00 , H04L1/12 , H04L27/36 , H04L27/38
CPC分类号： H03M13/1185 , H03M13/033 , H03M13/6362
摘要： A signal transmission/reception apparatus of a communication system. The signal transmission apparatus receives an information vector, encodes the information vector into a structured Low Density Parity Check (LDPC) codeword using a structured LDPC coding scheme, and transmits the generated structured LDPC code to the signal reception apparatus. Then the signal reception apparatus receives a signal, and detects an information vector by decoding the received signal using a decoding scheme corresponding to the structured LDPC coding scheme used in the signal transmission apparatus.
摘要翻译：通信系统的信号发送/接收装置。信号传输设备接收信息向量，使用结构化的LDPC编码方案将信息向量编码为结构化低密度奇偶校验（LDPC）码字，并将生成的结构化LDPC码发送到信号接收设备。然后，信号接收设备接收信号，并且通过使用与在信号传输设备中使用的结构化LDPC编码方案对应的解码方案对接收到的信号进行解码来检测信息矢量。

6. 发明公开

KR1020090102194A 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法和包括其的电子设备
公开(公告)号：KR1020090102194A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：KR1020080027482
申请日：2008-03-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영호
IPC分类号： H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78
摘要： PURPOSE: A semiconductor device, a manufacturing method thereof, and an electronic device are provided to prevent the lowering of the performance of the semiconductor chip by minimizing a chipping phenomenon and a crack phenomenon. CONSTITUTION: A wafer(100) is provided. The wafer includes a chip area(110) with a semiconductor chip and a scribe area surrounding each chip area between chip areas. The wafer has the first surface. The penetration extending holes(130) and scribe connection parts(140) are formed along a scribe lane area. The scribe connection parts connect the chip areas between the penetration extension holes. The penetration extending holes pass through the wafer. The chip areas are separated by cutting the scribe connection parts.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件及其制造方法和电子器件，以通过使切削现象和裂纹现象最小化来防止半导体芯片的性能下降。构成：提供晶片（100）。晶片包括具有半导体芯片的芯片区域（110）和围绕芯片区域之间的每个芯片区域的划线区域。晶片具有第一表面。穿过延伸孔（130）和划线连接部分（140）沿着划线路区域形成。划线连接部分连接穿透延伸孔之间的芯片区域。穿透延伸孔穿过晶片。通过切割划线连接部分来分离芯片区域。

7. 发明授权

KR100886219B1 자기정렬된 이중 패터닝을 채택하는 미세 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：使用自对准双重图案形成精细图案的方法
公开(公告)号：KR100886219B1
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020070055456
申请日：2007-06-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경미 , 김재호 , 김영호 , 김명선 , 왕윤경 , 박미라
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337
摘要： 자기정렬된 이중 패터닝을 채택하는 미세 패턴 형성 방법이 제공된다. 상기 미세 패턴 형성 방법은 기판을 제공하는 것을 구비한다. 상기 기판 상에 제1 마스크 패턴들을 형성한다. 상기 제1 마스크 패턴들을 갖는 기판 상에 반응막을 형성한다. 화학적 부착 공정(chemical attachment process)에 의해 상기 제1 마스트 패턴들에 인접한 상기 반응막을 반응시키어 상기 제1 마스크 패턴들의 외벽들을 따라 상기 희생막들을 형성한다. 미반응된 상기 반응막을 제거하여 상기 희생막들을 노출시킨다. 상기 제1 마스크 패턴들의 마주보는 측벽들과 인접한 상기 희생막들 사이에 제2 마스트 패턴들을 형성한다. 상기 희생막들을 제거하여 상기 제1 및 제 2 마스크 패턴들과 아울러서 이들 사이의 상기 기판을 노출시킨다. 상기 제1 및 제2 마스크 패턴들을 식각 마스크로 사용하여 상기 기판을 식각한다.
미세 패턴, 희생막, 화학적 부착 공정

8. 发明公开

KR1020090005521A 실록산 폴리머 조성물 및 이를 이용한 커패시터 제조 방법 失效
标题翻译：硅氧烷聚合物组合物和使用硅氧烷聚合物组合物制造电容器的方法
公开(公告)号：KR1020090005521A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020070068625
申请日：2007-07-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경미 , 김영호 , 왕윤경 , 박미라
IPC分类号： C08L83/04 , C08G77/04 , C08G77/00
CPC分类号： C08G77/38 , H01L28/91
摘要： A siloxane polymer composition is provided to ensure excellent blocking property of opening, and excellent solubility to the teramethyl ammoniom hydroxide solution. A siloxane polymer composition having a structure indicated as the chemical formula 1, comprises siloxane polymer introduced with a carboxylic acid 2-7 weight% and organic solvent 93-98 weight%. In the chemical formula 1, R1, R2, R3 and R4 are independently H, OH, CH3, C2H5, C3H7, C4H9 or C5H11; R' is CH2, C2H4, C3H6, C4H8, C5H10 or C6H10; and n is a positive number satisfying the number average molecular weight of 4000-5000.
摘要翻译：提供硅氧烷聚合物组合物以确保优异的开口封闭性，以及对三甲基氢氧化铵溶液的优异溶解性。具有化学式1所示结构的硅氧烷聚合物组合物包含引入2-7重量％羧酸的硅氧烷聚合物和93-98重量％的有机溶剂。在化学式1中，R 1，R 2，R 3和R 4独立地为H，OH，CH 3，C 2 H 5，C 3 H 7，C 4 H 9或C 5 H 11; R'是CH 2，C 2 H 4，C 3 H 6，C 4 H 8，C 5 H 10或C 6 H 10; n为满足数均分子量为4000〜5000的正数。

9. 发明公开

KR1020080107557A 자기정렬된 이중 패터닝을 채택하는 미세 패턴 형성 방법 失效
标题翻译：形成采用自对准双重图案的精细图案的方法
公开(公告)号：KR1020080107557A
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：KR1020070055456
申请日：2007-06-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김경미 , 김재호 , 김영호 , 김명선 , 왕윤경 , 박미라
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/02282 , H01L21/308
摘要： A fine pattern forming method for adopting the self-aligned double patterning is provided to reduce the pitch size less than the limit resolution of the photo lithography process by forming the second mask pattern between the sacrificing layers along the exterior wall of the first mask patterns. A fine pattern forming method comprises the following processes. The substrate(100) is provided. A first mask pattern(110) is formed on the top of the substrate. A reaction film(120) is formed on the top of the substrate having the first mask patterns. A sacrificing layer(120a) is formed along the exterior walls of the first mask patterns by reacting the reaction film adjacent to first mast patterns according to the chemical attachment process. The sacrificing film is exposed by removing the reaction film which is not reacted. The second mask patterns are formed between the sacrificing layers which are adjacent to the side walls facing the first mask patterns. The first and second mask patterns are exposed by removing the sacrificing layers. The substrate is etched by using the first and second mask patterns as the etching mask.
摘要翻译：提供了采用自对准双重图案化的精细图案形成方法，通过沿着第一掩模图案的外壁在牺牲层之间形成第二掩模图案，以减小小于光刻工艺的极限分辨率的间距尺寸。精细图案形成方法包括以下处理。提供基板（100）。第一掩模图案（110）形成在基板的顶部。在具有第一掩模图案的基板的顶部上形成反应膜（120）。通过根据化学附着过程使与第一桅杆图案相邻的反应膜反应，沿着第一掩模图案的外壁形成牺牲层（120a）。通过除去未反应的反应膜来暴露牺牲膜。在与面向第一掩模图案的侧壁相邻的牺牲层之间形成第二掩模图案。通过去除牺牲层来暴露第一和第二掩模图案。通过使用第一和第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻衬底。

10. 发明授权

KR100872413B1 다중 홉 릴레이 방식을 사용하는 광대역 무선 접속 통신시스템에서 인접 기지국 및 인접 중계국 정보 획득 방법 有权
标题翻译：收购多台基站和邻里中继站信息的方法在多路中继宽带无线接入通信系统
公开(公告)号：KR100872413B1
公开(公告)日：2008-12-05
申请号：KR1020050085421
申请日：2005-09-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강현정 , 주판유 , 손중제 , 조재원 , 임형규 , 손영문 , 이성진 , 이미현 , 홍송남 , 김영호
IPC分类号： H04B7/26
CPC分类号： H04W48/10 , H04B17/24 , H04B17/382 , H04W48/12 , H04W92/20
摘要： 본 발명은 다중 홉 릴레이 방식을 사용하는 광대역 무선 통신 시스템에서 인접 기지국 및 인접 중계국 정보 획득 방법에 관한 것으로서, 서빙 기지국이 인접 기지국들 및 인접 중계국들의 정보를 수집하고, 상기 수집된 정보를 포함하는 메시지를 생성하여 서빙 중계국 및 상기 서빙 기지국과 직접 통신을 수행하는 이동 가입자 단말기로 브로드캐스트(broadcast) 전송하는 과정과, 상기 서빙 중계국이 상기 서빙 중계국을 거쳐서 상기 서빙 기지국과 통신하는 이동 가입자 단말기에게 상기 메시지를 브로드캐스트하여 전송하는 과정을 포함하여, 상기 중계국 및 상기 단말기들이 상기 인접 기지국 및 인접 중계국에 관한 정보를 이용하여 상기 인접 기지국 혹은 인접 중계국으로 핸드오버 할 수 있는 이점이 있다.
릴레이 통신 시스템, 광대역 무선 접속 통신 시스템, OFDM, 중계국

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式