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1. 发明公开

KR1020160116423A 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160116423A
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150044046
申请日：2015-03-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김동우 , 마에다시게노부 , 최영문 , 권용범 , 손창우 , 이도선
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/49 , H01L29/66
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/823418 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/785
摘要： 반도체장치는기판상에제1 방향으로연장되는복수개의액티브핀들(active fins), 액티브핀들상에형성되어제1 방향에실질적으로수직한제2 방향으로연장된게이트구조물, 및게이트구조물에인접하도록복수개의액티브핀들중 제1 액티브핀들상에형성되고, 제2 방향으로자른단면의적어도일 측벽이기판의상면으로부터수직방향으로높이가증가함에따라기판상면에대한기울기가점차감소하는곡선부분을갖는제1 소스/드레인층을포함한다.
摘要翻译：半导体器件可以包括多个有源散热片，每个有源散热片各自在衬底上沿第一方向延伸，栅极结构在第二方向上在有源鳍片上延伸;以及第一源/漏极层，位于邻近栅极的有源散热片的第一有源散热片上结构体。沿着第二方向截取的第一源/漏层的横截面的两个相对的侧壁中的至少一个可以包括相对于衬底的上表面具有斜率的弯曲部分。斜面可能从底部向其顶部减小。

2. 发明公开

KR1020160122463A 반도체 소자 및 그 제조 방법. 审中-实审
标题翻译：。半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160122463A
公开(公告)日：2016-10-24
申请号：KR1020150052355
申请日：2015-04-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이도선 , 손창우 , 김철성 , 마에다시게노부 , 최영문 , 최효석 , 현상진
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/36 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L29/0653 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41791 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： 반도체소자는기판상에, 제2 방향을따라서로인접하게배치되는에피택시얼패턴을포함하는에피택시얼구조물이구비된다. 상기에피택시얼구조물상부면전체를덮으면서상기에피택시얼구조물들을전기적으로연결시키는금속실리사이드패턴이구비된다. 상기금속실리사이드패턴의상부면일부와접촉하는콘택구조물이구비된다. 상기반도체소자는저저항을갖고기생커패시턴스가감소된다.

3. 发明公开

KR1020160015092A 반도체 제조 라인의 스토커 및 상기 스토커를 이용하여 웨이퍼를 이송하는 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体的储存器和使用其的波导传输方法
公开(公告)号：KR1020160015092A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140097586
申请日：2014-07-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이현우 , 손창우 , 안용준 , 전태조
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/673
CPC分类号： H01L21/6773 , H01L21/67294 , H01L21/67373 , H01L21/67379 , H01L21/67733 , H01L21/67736 , H01L21/67769 , H01L21/67772 , H01L21/67775 , H01L21/67706
摘要： 중앙통로와상기중앙통로의양측에위치하는제1 보관영역및 제2 보관영역을갖고상부가개방된바디프레임, 상기제1 보관영역및 상기제2 보관영역내에설치되며웨이퍼적재함의도어가상기바디프레임의외측을향하도록상기웨이퍼적재함이적재되는선반들, 상기제1 보관영역의상부영역내에설치되며상기웨이퍼적재함이로딩되는인렛포트들, 상기제2 보관영역의하부영역내에설치되며상기웨이퍼적재함또는상기웨이퍼적재함내부의웨이퍼들을레일이송기로제공하는아웃렛포트들, 및상기중앙통로내에설치되며상기선반들, 상기인렛포트들, 및상기아웃렛포트들사이에서상기웨이퍼적재함을이송하는로봇암을포함하는스토커가설명된다.
摘要翻译：本发明公开了一种储料机，其特征在于，包括：主体框架，其顶部开口并具有中心通道，第一和第二储存区域位于中心通道的两侧; 搁架，其安装在第一和第二存储区域中，并且其中装载晶片装载容器，使得晶片装载容器的门面向主体框架的外部; 入口端口，其安装在所述第一存储区域的上部区域中，并且装载所述晶片装载容器; 出口端口，其安装在第二存储区域的下部区域中，并将晶片装载容器或晶片供应到轨道传送装置; 以及安装在中心通道中并将晶片装载容器传送到搁板，入口和出口之间的机器人臂。

4. 发明公开

KR1020160143942A 반도체 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160143942A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：KR1020150079338
申请日：2015-06-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최경인 , 김동우 , 손창우 , 최영문
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/3065 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/7848
摘要： 본발명은반도체소자의제조방법에관한것으로, 기판상에제1 방향으로연장되는핀 구조체를형성하는것, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되어상기핀 구조체를가로지르는희생게이트패턴을형성하는것, 상기핀 구조체및 상기희생게이트패턴을덮는게이트스페이서막을형성하는것, 상기기판상에, 제1 입사각범위를가지고조사되는제1 이온빔, 및제2 입사각범위를가지고조사되는제2 이온빔을제공하는것, 상기제1 이온빔 및상기제2 이온빔을이용하여상기게이트스페이서막을패터닝하여, 상기희생게이트패턴의측벽들상에게이트스페이서들을형성하는것, 상기희생게이트패턴의양 측에소스/드레인영역들을형성하는것 및상기희생게이트패턴을게이트전극으로교체하는것을포함하는반도체소자의제조방법이제공된다.
摘要翻译：一种制造半导体器件的方法包括：形成在衬底上沿第一方向延伸的翅片结构，形成沿第二方向延伸以与鳍结构相交的牺牲栅极图案，形成覆盖鳍结构的栅极间隔层和牺牲栅极提供具有第一入射角范围的第一离子束和具有第二入射角范围的第二离子束到衬底，使用第一离子束和第二离子束来构图栅极间隔层，以在第二离子束的侧壁上形成栅极间隔牺牲栅极图案，在牺牲栅极图案的两侧形成源极/漏极区域，以及用栅极电极代替牺牲栅极图案。

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