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1. 发明授权

KR102224850B1 온도측정용 전극을 구비하는 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102224850B1
公开(公告)日：2021-03-08
申请号：KR1020130119446
申请日：2013-10-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이경택 , 배상우 , 박준균
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/28
摘要： 반도체기판; 상기반도체기판위에형성된복수의도전성라인;으로구성된반도체소자에대하여상기도전성라인에연결된온도측정용전극을포함하는것을기술적특징으로하는반도체소자로서, 소자의정확한온도를자체적으로측정하는반도체소자를제공한다. 또한이 반도체소자를포함하는구성으로서온도센싱기능을갖춘전자장치를제공한다.

2. 发明授权

KR101698150B1 기준마크를 포함하는 마이크로 렌즈 어레이와 이를 포함하는 마스크리스 노광장치 및 그 교정방법 有权
标题翻译：包含基准标记的MLA和具有上述MLA的无掩模曝光装置及其校准方法
公开(公告)号：KR101698150B1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020100008387
申请日：2010-01-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김태현 , 이희국 , 장상돈 , 배상우
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 기준마크를포함하는 MLA를포함하는마스크리스노광장치및 그교정방법을제시한다. 이를위해마스크리스노광장치는기준마크를포함하는 MLA와기준마크에조사되는빔의위치정보를측정할수 있는위치측정센서와위치측정센서에서측정된정보를이용하여 DMD와 MLA를정렬시키도록 DMD 또는 MLA를이동시키도록제어하는제어부를포함한다.
摘要翻译：目的：提供包括参考标记的微透镜阵列和不具有掩模的曝光装置及其校正方法，以容易地测量和校正微透镜阵列（MLA）和数字微型装置（ DMD），不使用包括参考标记的MLA的掩模。构成：在对应于空间光调制装置的像素的微透镜阵列（20）的一部分中，代替微透镜而形成参考标记（20a）。没有掩模的曝光装置的空间光调制装置中的变形光束通过微透镜阵列。空间光调制器装置将所产生的光束从光源变形成所需的图案。多个微透镜压缩空间光调制装置中的变形光束。

3. 发明公开

KR1020170009189A 반도체 장치 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170009189A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020150100841
申请日：2015-07-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 사공현철 , 배상우 , 추승진
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L23/367 , B82Y10/00 , H01L23/3731 , H01L27/0211 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/66772 , H01L29/775 , H01L29/78603 , H01L29/78654 , H01L29/78684 , H01L29/78696
摘要： 트랜지스터에서발생하는열 발산을용이하게하여, 동작성능및 신뢰성을개선을할 수있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는기판, 상기기판상의열전도층으로, 상기열전도층의불순물의농도는상기기판의불순물의농도와다른열전도층, 상기열전도층상에, 제1 종단과제2 종단을포함하는제1 와이어패턴으로, 상기제1 와이어패턴에포함된불순물의농도는상기열전도층에포함된불순물의농도및 상기기판에포함된불순물의농도보다큰 제1 와이어패턴, 상기제1 와이어패턴의제1 종단및 상기열전도층과접하는제1 반도체패턴, 상기제1 와이어패턴의제2 종단과접하는제2 반도체패턴, 및상기제1 반도체패턴과상기제2 반도체패턴사이에, 상기제1 와이어패턴의둘레를감싸는게이트전극을포함한다.
摘要翻译：半导体器件包括衬底，衬底上的导热层，导热层上的第一布线图案，第一半导体图案，第二半导体图案以及第一半导体图案和第二半导体图案之间的栅电极。栅电极围绕第一线图案的周边。导热层的杂质浓度与基板的杂质浓度不同。第一线图案包括第一端和第二端。包含在第一线图案中的杂质的浓度高于在导热层中包含的和包含在基底中的杂质的浓度。第一半导体图案与第一布线图案的第一端和导热层接触。第二半导体图案与第一线图案的第二端接触。

4. 发明公开

KR1020160146205A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160146205A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020150083148
申请日：2015-06-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조용상 , 배상우 , 전현석 , 정영석
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/52 , H01L23/535 , H01L23/488 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L24/02 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2224/02235 , H01L2224/0235 , H01L2224/0237 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/05569 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/141 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/0231 , H01L2224/11
摘要： 반도체장치및 반도체장치의제조방법이제공된다. 반도체장치는, 기판상에형성된게이트구조물을포함하는반도체칩; 상기반도체칩의상면에형성되고, 상기반도체칩의제1 전극패드와제1 솔더볼을전기적으로연결하는제1 재배선층; 상기반도체칩의상면에형성되고, 상기반도체칩의제2 전극패드와제2 솔더볼을전기적으로연결하는제2 재배선층; 및상기제1 재배선층 및상기제2 재배선층 상에형성되는절연층을포함하고, 상기게이트구조물의제1 영역은상기제1 재배선층과오버랩되고, 상기게이트구조물의상기제1 영역과다른제2 영역은상기제2 재배선층과오버랩되고, 상기게이트구조물의상기제1 영역및 상기제2 영역사이의제3 영역은상기제1 재배선층 및상기제2 재배선층 사이에서노출되고, 상기제1 재배선층 및상기제2 재배선층은상기게이트구조물을향한방향으로만곡되어상기게이트구조물에스트레스를가한다.
摘要翻译：半导体器件包括半导体芯片，其包括在衬底上的至少一个栅极结构，所述栅极结构包括第一区域，与第一区域不同的第二区域以及第一和第二区域之间的第三区域，第一再分布所述第一再分配层被配置为将所述半导体芯片的第一电极焊盘电连接到第一焊球并与所述栅极结构的所述第一区域重叠，所述第二再分配层在所述第一焊盘的顶表面上所述半导体芯片，所述第二再分配层被配置为将所述半导体芯片的第二电极焊盘电连接到第二焊球，并且与所述栅极结构的所述第二区域重叠以使得所述第三区域被暴露，以及在所述第一重新分布上的绝缘层层和第二再分布层。

5. 发明公开

KR1020100083459A 노광 장치 및 그 직각도 측정방법 无效
标题翻译：曝光装置和测量其正交性的方法
公开(公告)号：KR1020100083459A
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：KR1020090002840
申请日：2009-01-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김을태 , 이희국 , 장상돈 , 박상현 , 배상우 , 백동석
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2051 , G03F7/7005 , G03F7/70383 , G03F7/70516 , G03F7/70716
摘要： PURPOSE: An exposing device and a method for measuring orthogonality thereof are provided to measure and correct the orthogonality of a stage by using an optical unit installed on the exposing device without an additional measuring device. CONSTITUTION: A stage(18) transfers a substrate. An optical unit(66) generates a plurality of beams irradiated to a substrate. A controller(63) exposes a plurality of beams on the exposed part of the substrate while moving the stage. The orthogonality of the stage is measured by using the exposed result. A beam distance measuring unit(26) measures the distance between a plurality of exposed beams.
摘要翻译：目的：提供一种曝光装置及其正交性的测量方法，通过使用安装在曝光装置上的光学单元，无需额外的测量装置来测量和校正舞台的正交性。构成：阶段（18）转移底物。光学单元（66）产生照射到基板的多个光束。控制器（63）在移动平台的同时在基板的暴露部分上露出多个光束。通过使用暴露结果来测量舞台的正交性。光束距离测量单元（26）测量多个外露光束之间的距离。

6. 发明公开

KR1020170033989A 반도체 테스트 장치 및 방법과 데이터 분석 장치 审中-实审
标题翻译：半导体测试设备和方法以及数据分析设备
公开(公告)号：KR1020170033989A
公开(公告)日：2017-03-28
申请号：KR1020150132027
申请日：2015-09-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이순영 , 배상우
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/26
CPC分类号： G01R31/002 , G01R31/303 , G01R31/31816
摘要： 본발명은알파입자의에너지소모를효율적으로측정하고, 측정된데이터를기초로 SER을개선시킬수 있는데이터를제공하는반도체테스트장치를제공하는것이다. 상기반도체테스트장치는, 방사선소스(radiation source)를거치하고, 상기방사선소스와측정샘플사이의거리(distance)를조절하는액츄에이터, 및상기액츄에이터의동작을제어하고, 상기거리에따른상기측정샘플의 SER(Soft Error Rate)을계산하는컨트롤러를포함하되, 상기컨트롤러는, 상기측정샘플의 SER(Soft Error Rate)이제로(0)가되는, 상기방사선소스와상기측정샘플사이의제1 거리를계산하고, 상기제1 거리를기초로, 상기측정샘플에포함된금속(metal)과절연체(dielectric) 간의비율을계산한다.
摘要翻译：本发明提供一种半导体测试设备，其有效地测量α粒子的能量消耗并且提供可以基于测量的数据改善SER的数据。该半导体测试装置包括通过（放射线源）的辐射源，并且控制致动器，并且致动器的操作用于根据所述距离调节所述辐射源和测定试样的测定试样之间的距离（距离）包括：用于计算SER（软错误率）时，控制器，计算所述之间的第一距离的控制器SER（软错误率），其是目前（0），所述辐射源和所述测定试样的测定试样并且基于第一距离计算测量样本中包括的金属和电介质之间的比率。

7. 发明公开

KR1020160095748A 회로 디자인 시스템 및 이를 이용한 반도체 회로 审中-实审
标题翻译：采用该系统设计的电路设计系统和半导体电路
公开(公告)号：KR1020160095748A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：KR1020150017098
申请日：2015-02-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이경택 , 배상우 , 김혜진 , 박준균 , 이현우
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： H01L27/0922 , H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L27/1104 , G06F17/5068 , G06F17/5054
摘要： 회로디자인시스템및 이를이용한반도체회로가제공된다. 회로디자인시스템은, 프로세서; 복수의트랜지스터디자인이저장된저장부; 및상기프로세서를이용하여, 정의된요구조건(requirment)에따라상기복수의트랜지스터디자인을이용하여회로를디자인하는디자인모듈을포함하되, 상기복수의트랜지스터디자인은고유전율막을포함하는게이트절연막을포함하는트랜지스터에대한디자인이고, 상기디자인모듈은, 상기복수의트랜지스터디자인을포함하는회로디자인을분석하여, 상기복수의트랜지스터디자인중 드레인전압이게이트전압보다높은영역에서동작하는제1 트랜지스터디자인을선정하고, 선정된상기제1 트랜지스터디자인을, 상기제1 트랜지스터디자인보다작은사이즈를갖는제2 트랜지스터디자인으로치환하되, 어큐뮬레이션모드(accumulation mode)에서동작하는상기제2 트랜지스터디자인의제2 드레인-게이트전압(V)은상기어큐뮬레이션모드에서동작하는상기제1 트랜지스터디자인의제1 드레인-게이트전압(V)보다높다.
摘要翻译：提供一种电路设计系统，其使用包括高介电膜的晶体管，并且可以在保持产品的可靠性的同时减小产品的面积，并且还提供了通过使用电路设计系统设计的半导体电路。电路设计系统包括：处理器; 存储单元，其中存储多个晶体管设计; 以及设计模块，其通过根据定义的要求使用所述处理器和所述多个晶体管设计来设计电路，其中所述多个晶体管设计是每个包括包括高电介质膜的栅极绝缘膜的晶体管的设计。并且设计模块通过分析包括多个晶体管设计的电路设计来选择在漏极电压高于栅极电压的区域中工作的晶体管的第一晶体管设计，并将所选择的第一晶体管设计用第二晶体管晶体管设计具有比第一晶体管设计更小的尺寸，在这种情况下，在累积模式下工作的第二晶体管设计的第二漏极 - 栅极电压（V_（DG））高于第一漏极 - 栅极电压（V_（DG）））在第一晶体管设计中工作在累加模式。

8. 发明公开

KR1020160021960A 회로의 자가 발열 특성을 예측하는 시뮬레이션 시스템 및 그것의 회로 설계 방법 审中-实审
标题翻译：模拟系统估计电路的自加热特性及其设计方法
公开(公告)号：KR1020160021960A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140107135
申请日：2014-08-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전종욱 , 윤여일 , 배상우 , 권의희 , 이근호
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5036 , G06F2217/80
摘要： 본발명의컴퓨터에서구동되는회로시뮬레이션툴을사용한반도체회로의설계방법은, 상기회로시뮬레이션툴을사용하여상기반도체회로의소자들각각의소모전력을계산하는단계, 상기소모전력및 상기소자들각각의기하정보를참조하여상기반도체회로에대한열 회로넷리스트를생성하는단계, 그리고상기회로시뮬레이션툴을이용하여상기열 회로넷리스트에대한시뮬레이션을수행하여상기소자들각각의온도를검출하는단계를포함하되, 상기열 회로넷리스트에는상기소자들각각의열용량정보를포함한다.
摘要翻译：使用在本发明的计算机中驱动的电路模拟工具来设计半导体电路的方法包括通过使用电路仿真工具来计算半导体电路的每个元件的功耗的步骤，产生热电路的步骤参考元件的功耗和每个几何信息的半导体电路的网表，以及通过使用电路仿真工具对热电路网表执行模拟来检测元件的每个温度的步骤。热电路网表包括每个元件的热容量信息。

9. 发明公开

KR1020120060018A 마스크리스 노광 장치 无效
标题翻译： MASKLESS EXPOSURE APPARATUS
公开(公告)号：KR1020120060018A
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：KR1020100121568
申请日：2010-12-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배상우 , 장상돈
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03B27/52 , G03B27/522 , G03F7/70391 , H01L21/0275 , G03F7/2059
摘要： PURPOSE: A maskless exposure apparatus is provided to improve light utilization ratio by increasing a working distance which is the distance between a substrate and an optical system. CONSTITUTION: A light source array(210) is composed of a plurality of light sources(212). A focusing element array(220) is composed of two dimensional array configuration of arranging a plurality of light sources on a support substrate(214). A focusing element(222) generates first focused beams(244a) by focusing light beams coming out from the light source in any spot(P). An image formation lens unit(226) is arranged between the focusing element array and the substrate. The image formation lens unit forms a light focusing spot(246) by focusing the light beam on a surface of substrate.
摘要翻译：目的：提供无掩模曝光装置，通过增加作为基板和光学系统之间的距离的工作距离来提高光利用率。构成：光源阵列（210）由多个光源（212）构成。聚焦元件阵列（220）由在支撑衬底（214）上布置多个光源的二维阵列构造组成。聚焦元件（222）通过将来自光源的光束聚焦在任何斑点（P）中来产生第一聚焦光束（244a）。图像形成透镜单元（226）布置在聚焦元件阵列和基底之间。图像形成透镜单元通过将光束聚焦在基板的表面上来形成聚光点（246）。

10. 发明公开

KR1020060038820A 기판제조장치 有权
标题翻译：液晶显示器制造设备
公开(公告)号：KR1020060038820A
公开(公告)日：2006-05-04
申请号：KR1020040087979
申请日：2004-11-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박광영 , 이성진 , 원민영 , 이준호 , 김태현 , 김정욱 , 배상우
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： G02F1/1341 , G02F1/1339 , G02F2001/13415
摘要： 본 발명은 액정도포공정과 합착공정을 동시에 수행할 수 있는 기판제조장치에 관한 것으로서, 프레임; 상기 프레임에 설치되고, 제1 기판을 지지하는 하부스테이지와 상기 하부스테이지와 대향되게 제2 기판을 지지하는 상부스테이지를 갖는 스테이지부; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 합착을 위해 상기 하부스테이지와 상기 상부스테이지를 상호 접근 및 이격시키는 수직구동부; 상기 제1 기판에 액정을 도포하기 위한 헤드부와, 상기 헤드부를 상기 제1 기판의 판면을 따라 수평이동시키는 헤드구동부를 갖는 액정도포장치; 및 상기 수직구동부 및 상기 액정도포장치를 제어하는 제어부를 포함한다. 이에 의해, 비교적 구조가 간단하고, 액정도포후 합착공정이 즉시 행해질 수 있으며, 도포되는 액정량의 정밀조절이 가능해진다는 효과가 있다.
LCD, 액정도포, 기판, 합착, 스테이지
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种结构简单的基板的制造装置，能够在施加液晶之后立即进行聚结步骤，并且可以精确地调节要施加的液晶的量。解决方案：可以进行液晶涂覆步骤和聚结步骤的基板的制造装置同时包括框架100，具有下层210的台架部分200，其设置在框架100上并支撑第一基板1 以及支撑与下层210相对的第二基板2的上层220，垂直驱动部300，其使下层210和上层接近而彼此离开以使第一基板和第二基板聚结;液晶涂层具有用于用液晶涂布第一基板的头部420的装置400和沿着第一基板的后表面水平地移动头部420的头驱动部分以及控制垂直驱动部分300和液晶涂层的控制部分设备400.版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

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