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    • 10. 发明公开
    • 반도체 장치 및 이의 제조 방법
    • 半导体装置及其制造方法
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    • H01L29/41791H01L23/5226H01L23/5329H01L29/41775H01L29/6653H01L29/66795H01L29/7851
    • 게이트전극과다른노드사이의기생정전용량을줄여줌으로써, 동작특성을향상시킬수 있는반도체장치를제공하는것이다. 상기반도체장치는액티브영역과, 상기액티브영역에바로인접하는필드영역을포함하는기판, 상기액티브영역의상기기판으로부터돌출된제1 핀형패턴, 상기기판상에, 상기제1 핀형패턴과교차하고, 제1 부분과제2 부분을포함하는제1 게이트전극으로, 상기제1 부분은상기제1 핀형패턴과교차하는제1 게이트전극, 상기기판상에, 상기제1 핀형패턴과교차하고, 제3 부분과제4 부분을포함하는제2 게이트전극으로, 상기제4 부분은상기제2 부분과마주하고, 상기제3 부분은상기제1 핀형패턴과교차하고상기제1 부분과마주하는제2 게이트전극, 상기기판상에, 상기제1 부분과상기제3 부분사이에배치되고, 제1 유전상수를갖는제1 층간절연구조체, 및상기기판상에, 상기제2 부분과상기제4 부분사이에배치되고, 상기제1 유전상수와다른제2 유전상수를갖는제2 층간절연구조체를포함한다.
    • 并且能够通过降低栅电极和另一节点之间的寄生电容来改善工作特性的半导体器件。 所述半导体器件包括:衬底,所述衬底包括有源区和与所述有源区紧邻的场区;第一鳍状图案,从所述有源区的衬底突出; 所述第一部分突出的第一栅电极,所述第一部分是第一栅电极,在所述基板上,并与第一销形图案,所述第三部分交叉的第销形图案,包括两个部分 第二栅电极,包括第四部分,所述第四部分面向所述第二部分,所述第三部分与所述第一鳍状图案相交并面向所述第一部分, 基板,其被设置在所述第一部分和第三部分,所述第一在第一层间绝缘结构,并具有介电常数,其被布置在所述第二部分与所述第四部分之间的衬底之间的 ,具有与第一介电常数不同的第二介电常数的第二层间绝缘结构 它包括。