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1. 发明授权

KR101827831B1 스팀조리기기 有权
公开(公告)号：KR101827831B1
公开(公告)日：2018-02-12
申请号：KR1020110040147
申请日：2011-04-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박근용 , 김재현 , 김철진 , 강한성 , 조진희 , 김은오 , 박찬 , 이동호
IPC分类号： F24C13/00 , F24C15/00
CPC分类号： F24C15/327
摘要： 스팀발생기로물을공급하는급수구조및 스팀발생기의물을배수하는배수구조를개선한스팀조리기기를개시한다. 스팀조리기기는조리실을갖는본체와, 조리실로공급되는스팀을발생시키는스팀발생기와, 스팀발생기의상부에배치되며, 스팀발생기로공급되는물을저장하는저장용기와, 본체의전면에위치하는홀더와, 본체의외부로인출될수 있도록홀더의내측에슬라이딩가능하게결합되는슬라이더를구비하는급수장치와, 슬라이더와저장용기를연결하여상기슬라이더를통해주입된물을상기저장용기로안내하는제1급수관과, 저장용기와스팀발생기를연결하여저장용기내부의물을스팀발생기로안내하는제2급수관과, 스팀발생기내부의물을상기본체의외부로배수하는배수관을포함한다. 배수관의일단은슬라이더에고정되어스팀발생기내부의물을상기본체의외부로배수하는과정에서슬라이더와함께본체의외부로인출된다.

2. 发明授权

KR101642909B1 불휘발성 메모리 장치, 그것의 프로그램 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR101642909B1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：KR1020100046988
申请日：2010-05-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장성일 , 강창석 , 박찬 , 최병인
IPC分类号： G06F12/04 , G06F13/16 , G06F12/00
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C16/0483
摘要： 본발명의목적은프로그램디스터브(disturb)를방지하는불휘발성메모리장치, 그것의프로그램방법, 그리고그것을포함하는메모리시스템을제공하는데에있다. 본발명의실시예에따른불휘발성메모리장치는메모리셀 어레이, 상기메모리셀 어레이에연결되는제 1 및제 2 워드라인들, 상기메모리셀 어레이와연결되고, 상기제 1 및제 2 워드라인들의사이에배치되는제 3 워드라인, 상기불휘발성메모리장치의온도를측정하도록구성되는온도측정기, 및제 1 및제 2 패스전압들그리고프로그램전압을발생하도록구성되는전압발생기를포함하되, 프로그램시에상기제 3 워드라인에상기프로그램전압이인가되고, 상기제 1 워드라인에상기제 1 패스전압이인가되고, 상기제 2 워드라인에상기제 2 패스전압이인가되고, 상기제 1 및제 2 패스전압들중 적어도하나는상기측정된온도에따라조절된다.

3. 发明公开

KR1020110127481A 불휘발성 메모리 장치, 그것의 프로그램 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템 有权
标题翻译：非易失性存储器件，其编程方法和包括其的存储器系统
公开(公告)号：KR1020110127481A
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020100046988
申请日：2010-05-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 장성일 , 강창석 , 박찬 , 최병인
IPC分类号： G06F12/04 , G06F13/16 , G06F12/00
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C16/0483 , G06F12/04 , G06F12/00 , G06F13/16
摘要： PURPOSE: A non-volatile memory device, program method thereof, and memory system including the same are provided to prevent program disturb by applying pass voltage to a group. CONSTITUTION: First and third word lines are connected to a memory cell array(110). A temperature measuring device(150) measures the temperature of a non-volatile memory device. A VCC generator(160) generates first and second pass voltages and a program voltage. One level of the first or second pass voltage is controlled by the measured temperature.
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储器件，其编程方法和包括该非易失性存储器件的存储器系统，以通过向组施加通过电压来防止程序干扰。构成：第一和第三字线连接到存储单元阵列（110）。温度测量装置（150）测量非易失性存储装置的温度。 VCC发生器（160）产生第一和第二通过电压和编程电压。第一或第二通过电压的一个电平由测量的温度控制。

4. 发明公开

KR1020110040455A 더미 셀을 갖는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 바이어스 방법 有权
标题翻译：具有DUMMY细胞的非易失性存储器件及其偏置方法
公开(公告)号：KR1020110040455A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：KR1020090097729
申请日：2009-10-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬 , 설종선 , 강창석 , 박영우 , 장성일 , 박진택
IPC分类号： G11C16/30 , G11C16/24 , G11C16/28
摘要： PURPOSE: An internal voltage control circuit is provided to have high reliability by intercepting the interference from a dummy string. CONSTITUTION: Dummy cells are connected to a dummy bit line. The dummy bit line bias circuit applies a dummy bit line voltage to the dummy bit line. At least one dummy cell is programmed with the dummy bit line voltage to a threshold voltage. The threshold voltage is lower than the highest program state. The threshold voltage is higher than an erase state.
摘要翻译：目的：提供内部电压控制电路，通过截取来自虚拟线的干扰来实现高可靠性。构成：虚拟单元连接到虚拟位线。虚拟位线偏置电路将虚拟位线电压施加到虚拟位线。至少一个虚拟单元被编程为虚拟位线电压为阈值电压。阈值电压低于最高程序状态。阈值电压高于擦除状态。

5. 发明公开

KR1020060040065A ＣＭＯＳ 이미지 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： CMOS图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060040065A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040089255
申请日：2004-11-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬 , 신종철
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/1461 , H01L27/14689
摘要： N형의 포토다이오드 위에 있는 HAD (hole accumulated device) 영역의 표면에 얕은 표면 확산 영역이 형성되어 있는 CMOS 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 CMOS 이미지 센서는 반도체 기판에 그 표면으로부터 제1 깊이까지 형성되어 있는 제1 도전형의 포토다이오드와, 상기 포토다이오드의 위에서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 제1 깊이보다 얕은 제2 깊이까지 형성된 제1 도전형과 반대인 제2 도전형의 HAD 영역과, 상기 HAD 영역 위에서 상기 반도체 기판의 표면으로부터 상기 제2 깊이보다 얕은 제3 깊이까지 형성된 상기 제1 도전형의 표면 확산 영역을 포함한다.
CMOS 이미지 센서, 포토다이오드, HAD, 백점, 계면 결함
摘要翻译：一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，在NAD光电二极管上的HAD（空穴积累元件）区域的表面上形成浅表面扩散区域。根据本发明的CMOS图像传感器包括：半导体衬底，具有在半导体衬底上从其表面到第一深度形成的第一导电类型光电二极管;以及第二深度以及从半导体衬底的表面到比第二深度浅的第三深度形成在HAD区域上的第二导电型表面扩散区域。的。

6. 发明授权

KR101681738B1 더미 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 有权
标题翻译：包含DUMMY MEMORY CELL的非易失性存储器件及其程序方法
公开(公告)号：KR101681738B1
公开(公告)日：2016-12-02
申请号：KR1020100055561
申请日：2010-06-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬 , 강창석 , 장성일 , 최병인
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/28 , G11C16/30
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/3418
摘要： 본발명은더미메모리셀을포함하는불휘발성메모리장치및 그것의프로그램방법에관한것이다. 본발명의기술적사상의실시예에따른불휘발성메모리장치는더미메모리셀 및상기더미메모리셀에직렬로연결된복수의메모리셀들을포함하며, 프로그램동작시에상기복수의메모리셀들중 선택된메모리셀과상기더미메모리셀 사이의거리에따라상기더미메모리셀에제공되는전압을가변한다. 따라서, 본발명의기술적사상의실시예에따른불휘발성메모리장치는디스터브를방지할수 있다.
摘要翻译：一种包括虚拟存储单元的非易失性存储器件及其编程方法，其中非易失性存储器件包括一个虚拟存储单元，以及与该虚拟存储单元串联连接的多个存储单元。非易失性存储装置根据执行程序操作时的多个存储单元中的所选择的存储单元与虚拟存储单元之间的距离，设定提供给虚拟存储单元的电压。

7. 发明公开

KR1020120122141A 스팀조리기기 审中-实审
标题翻译：蒸汽烹饪设备
公开(公告)号：KR1020120122141A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020110040147
申请日：2011-04-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박근용 , 김재현 , 김철진 , 강한성 , 조진희 , 김은오 , 박찬 , 이동호
IPC分类号： F24C13/00 , F24C15/00
CPC分类号： F24C15/327 , F24C13/00 , F24C15/00 , F24C15/02
摘要： PURPOSE: A steam cooker is provided to prevent water from discharging to a body through a drain pipe even when users mistakenly press a drain switch. CONSTITUTION: A steam cooker comprises a body, a steam generator(60), a storage container(50), a water supply unit, a first water pipe(91), a second water pipe(92), and a drain pipe(94). The first water pipe connecting a slider and the storage container guides water to the storage container. The second water pipe connecting the storage container and the steam generator guides the water to the steam generator. The drain pipe discharges the water in the steam generator to the outside. One end of the drain pipe is fixed to the slider, and brought out of the body with the slider when the water in the steam generator is discharged to the outside.
摘要翻译：目的：提供一个蒸汽锅，以防止用户误按压排水开关，通过排水管将水排放到人体内。构成：蒸汽锅包括主体，蒸汽发生器（60），储存容器（50），供水单元，第一水管（91），第二水管（92）和排水管（94））。连接滑块和储存容器的第一个水管将水引导到储存容器。连接储存容器和蒸汽发生器的第二个水管将水引导到蒸汽发生器。排水管将蒸汽发生器中的水排放到外部。排水管的一端固定在滑块上，当蒸汽发生器中的水排放到外面时，排水管从滑块上脱出。

8. 发明公开

KR1020050115813A 이미지 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050115813A
公开(公告)日：2005-12-08
申请号：KR1020040090444
申请日：2004-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신종철 , 박찬
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/146 , H01L27/14612 , H04N5/335
摘要： 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서에서 트랜스퍼 트랜지스터의 채널 영역으로서 P
- 형의 제1 채널 영역과, 포토다이오드와는 격리되도록 상기 제1 채널 영역의 위에서 반도체 기판의 표면에 형성되어 있는 N
- 형의 제2 채널 영역을 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 이미지 센서는 CMOS 이미지 센서 및 CCD 이미지 센서에 모두 적용될 수 있다. CMOS 이미지 센서에서는 제2 채널 영역이 플로팅 확산 영역에 연결되고, CCD 이미지 센서에서는 제2 채널 영역이 BCCD 영역에 연결된다. 트랜스퍼 게이트의 하부에서 반도체 기판 표면에 열적으로 생성되는 전자의 포토다이오드 쪽으로의 확산은 억제되고, 플로팅 확산 영역의 전위에 의하여 플로팅 확산 영역 쪽으로 쓸려가게 된다.

9. 发明授权

KR101642935B1 더미 셀을 갖는 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 바이어스 방법 有权
标题翻译：具有DUMMY细胞的非易失性存储器件及其偏置方法
公开(公告)号：KR101642935B1
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020090097729
申请日：2009-10-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박찬 , 설종선 , 강창석 , 박영우 , 장성일 , 박진택
IPC分类号： G11C16/30 , G11C16/24 , G11C16/28
摘要： 본발명은더미셀들을포함하는불휘발성메모리장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른불휘발성메모리장치는더미비트라인에연결되는더미셀들; 및프로그램동작시, 상기더미비트라인으로더미비트라인전압을제공하는더미비트라인바이어스회로를포함하되, 상기더미비트라인전압에의하여상기더미셀들중 적어도하나는복수의프로그램상태들중 최상위프로그램상태보다낮고소거상태보다높은문턱전압으로프로그램된다.

10. 发明公开

KR1020160017686A 이미지 센서 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：图像传感器及其制作方法
公开(公告)号：KR1020160017686A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020140098251
申请日：2014-07-31
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 노현필 , 이동철 , 이석하 , 박찬 , 신승호
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14689
摘要： 본발명의실시예에따른이미지센서는기판, 상기기판내에배치된광전변환소자, 상기기판내에상기광전변환소자와이격된제 1 저장영역, 상기제 1 저장영역상에배치된게이트, 상기게이트를덮는차광막, 및상기게이트와상기차광막사이에개재되고, 상기기판의상부면으로연장되는유전막, 상기기판상에상기차광막을덮는층간절연구조체, 및상기층간절연구조체상에상기광전변환소자과서로중첩되도록위치하는마이크로렌즈를포함하되, 상기게이트의측벽에인접하는상기차광막의측벽은상기유전막의상부면으로부터수직으로연장되는제 1 두께를갖고, 상기차광막의상기제 1 두께는상기게이트상에위치하는상기차광막의제 2 두께보다두껍다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的图像传感器包括：基板; 布置在基板中的光电转换装置; 与基板中的光电转换元件分离的第一存储区域; 布置在第一存储区域上的门; 覆盖门的遮光层; 介电层，介于所述栅极和所述遮光层之间，并从所述基板的上表面延伸; 覆盖基板上的遮光层的层间电介质结构; 以及位于与层间电介质结构上的光电转换装置重叠的微透镜。与遮光板的侧壁相邻的遮光层的侧壁具有从电介质层的上表面垂直延伸的第一厚度。遮光层的第一厚度比位于栅极上的遮光层的第二厚度厚。

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